富士通兩款2Mbit FRAM內(nèi)存芯片上市

    富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內(nèi)存芯片已開始供貨上市，該產(chǎn)品號稱為目前全球可量產(chǎn)的最大容量FRAM組件。 

    富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內(nèi)建非揮發(fā)性內(nèi)存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發(fā)性內(nèi)存來儲存各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件與保存安全信息的各項高階應(yīng)用。


    FRAM組件的高速資料寫入和大量寫入周期功能，非常適合辦公設(shè)備中儲存事件計數(shù)或參數(shù)，以及記錄各種事件等用途。FRAM組件可提供100億次的讀/寫周期，相當(dāng)于以每秒寫入30次的速率連續(xù)寫入10年。此外，F(xiàn)RAM組件不需電池即可儲存資料達10年以上。即使當(dāng)儀表設(shè)備等應(yīng)用面臨電源臨時中斷之情況，富士通的FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM組件，而不會損失任何重要資料。 

    MB85R2001芯片組態(tài)為256K字?jǐn)?shù)