存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

2006年存儲硬件收入排名 EMC領(lǐng)跑IBM第二

　據(jù)國外媒體報道，Gartne公布最新調(diào)查報告稱，2006年在全球儲存硬件市場，EMC 公司銷售收入市場份額排名第一，IBM超過惠普奪取了第二的位置。　　Gartne表示，EMC的市場份額從2005年的23.4%上升到24.8%排在第一位，隨后是IBM公司，它的市場份額從2005年的14.5%上升到2006年的15.8%排名第二，惠普的市場份額從2005年的14.7%下滑到13.1%，從2005年的排名第二下降為第三。　　其他儲存硬件提供商的排名是，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)的份額為9.6%排在第四位;戴
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串行存儲器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用

1 概述行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài)，記錄儀提供的與實時時間對應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。該記錄儀需要采用大容量的數(shù)據(jù)
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杰爾系統(tǒng)針對硬盤驅(qū)動器市場推出運行最快的前置放大器芯片樣品

　　杰爾系統(tǒng)宣布向客戶推出其最新高性能、低功耗前置放大器芯片（IC）樣品，該樣品專門針對企業(yè)應(yīng)用及臺式機硬盤驅(qū)動器（HDD）而設(shè)計。　　杰爾最新款TrueStore PA7800前置放大器性能卓越，運行速度業(yè)界最快，可達(dá)2.5 Gbps ，同時在寫入模式下比上一代杰爾芯片可節(jié)省30％的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強，數(shù)據(jù)容量更高，且兼容新一代TMR讀取頭，并降低了功耗，從而實現(xiàn)了更高的處理能力。　　杰爾存儲產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Ruediger Stroh說：
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Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)的Ramtron FRAM存儲器

　Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個汽車溫度范圍內(nèi)，這個寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車核心系統(tǒng)應(yīng)用級別。　　Ramtron副總裁Mike Alwais稱
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Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)的Ramtron FRAM存儲器

　　Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個汽車溫度范圍內(nèi)，這個寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車核心系統(tǒng)應(yīng)用級別。　　Ramtron副總裁Mike Alwais
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羅克韋爾自動化旗下品牌艾倫-布拉德利推出占用系統(tǒng)更少內(nèi)存的新型Complex Logic

　　羅克韋爾自動化近日推出新型SIL3安全控制器SmartGuard，支持SIL3 DeviceNet Safety應(yīng)用。制造商可將靈活的可編程安全解決方案應(yīng)用到設(shè)備上，可在降低安裝成本的同時提高員工的生產(chǎn)力。這款艾倫-布拉德利的SmartGuard 600安全控制器大小僅為4
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采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會因為它的混合式結(jié)構(gòu)而受到影響。對準(zhǔn)和反對準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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WindowsCE跨進程內(nèi)存注入原理

近日，由于程序設(shè)計需要，我對WincowsCE 的內(nèi)存布局進行了研究，由于發(fā)現(xiàn)國內(nèi)在這方面的文檔資料較少，于是在研究告一段落之際，形成這篇示例文檔，以望拋磚引玉，得到別的高手的指正。　　一、程序?qū)崿F(xiàn)的先決條件　　由于windows系統(tǒng)的窗體消息總是投遞至一個特定進程的指定窗體消息函數(shù)中。于是在本地進程（自己的應(yīng)用程序）中取得屬于其它進程的窗體的消息必須實現(xiàn)以下兩個部分：　　1、將需要掛接窗體的代碼放到目標(biāo)進程的地址空間中去。　　2、執(zhí)行這一段代碼，并獲得目標(biāo)進程窗體的消息。　　這兩步看
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WinCE內(nèi)存管理報告

1. Windows CE支持虛擬內(nèi)存動態(tài)分配（virtual memory allocation）,局部和單獨的堆空間（Local and separate heaps）,甚至內(nèi)存映射文件（memory_mapped files，memory mapping simplifies file access. Instead of using a system-maintained pointer to write to the file, you can write directly to memory.
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μC/OS-II實時操作系統(tǒng)內(nèi)存管理的改進

摘要：分析了μC/OS-II實時操作系統(tǒng)在內(nèi)存管理上存在的不足，提出了改進方法，通過一個具體實例描述了該方法的實現(xiàn)。關(guān)鍵詞：實時操作系統(tǒng) 內(nèi)存管理微處理器鏈接器 μC/OS-II是一種開放源碼的實時操作系統(tǒng)，具有搶先式、多任務(wù)的特點，已被應(yīng)用到眾多的微處理器上。雖然該內(nèi)核功能較多，但還是有不甚完善的地方。筆者在分析使用中發(fā)現(xiàn)，內(nèi)核在任務(wù)管理（包括任務(wù)調(diào)度、任務(wù)間的通信與同步）和中斷管理上是比較完善的，具有可以接受的穩(wěn)定性和可靠性；但在內(nèi)存管理上顯得過于簡單，內(nèi)存分區(qū)的
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Ramtron 推出 USB 接口的 Versa 8051 MCU 開發(fā)套件

　　Ramtron International Corporation 宣布：針對其公司的Versa 8051 微控制器推出USB 接口的編程/調(diào)試開發(fā)工具。　　USB 接口的VJTAG-USB 開發(fā)器將與 VersaKit-30xx 開發(fā)板配套發(fā)售。VersaKit-30xx 是針對 Ramtron 的高速、多功能的 VRS51L2000 系列以及帶有 FRAM的 VRS51L3000 系列 MCU 的通用開發(fā)平臺。　　新型的 USB 板卡能夠?qū)崿F(xiàn)更快速的器件編程和出色的在線調(diào)試。它可以工作在
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瑞薩科技與松下開發(fā)可實現(xiàn)45nm工藝傳統(tǒng)CMOS穩(wěn)定工作的片上SRAM制造技術(shù)

　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經(jīng)得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計，一個元件面積僅有0.327μm
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QuickLogic存儲解決方案產(chǎn)品線增加NAND閃存控制器

　　QuickLogic宣布為其超低功耗PolarPro 和Eclipse II可編程邏輯系列推出功能齊全的NAND閃存控制器解決方案?；诳蛻舻男枨螅琎uickLogic NAND閃存控制器解決方案專為用于便攜式應(yīng)用的各種應(yīng)用處理器而設(shè)計，例如Marvel PXA2xx® 應(yīng)用處理器系列和Analog Devices® Blackfin® DSP系列。此次推出的新產(chǎn)品擴展了QuickLogic存儲解決
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閃存價格不斷走低再提“硬盤替代者”

近日，隨著閃存芯片價格的再次走低，分析家預(yù)測，隨著每千兆比特的價格不斷下降，閃存將有可能在兩年內(nèi)成為筆記本電腦上替代現(xiàn)有硬盤的新存儲技術(shù)。　　閃存芯片具有多次可擦寫性，并且在不外加電源能情況下就可以保存現(xiàn)有的數(shù)據(jù)。閃存一度成為數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品的首選存儲技術(shù)。最近，許多頂級電子業(yè)分析師指出，閃存正逐漸踏入一場存儲媒質(zhì)的大變革中。　　東芝和其它半導(dǎo)體廠商為了推廣閃存芯片，為其耗費了接近天文數(shù)字的研發(fā)和市
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]