存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

閃存價(jià)格不斷走低再提“硬盤(pán)替代者”

近日，隨著閃存芯片價(jià)格的再次走低，分析家預(yù)測(cè)，隨著每千兆比特的價(jià)格不斷下降，閃存將有可能在兩年內(nèi)成為筆記本電腦上替代現(xiàn)有硬盤(pán)的新存儲(chǔ)技術(shù)。　　閃存芯片具有多次可擦寫(xiě)性，并且在不外加電源能情況下就可以保存現(xiàn)有的數(shù)據(jù)。閃存一度成為數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品的首選存儲(chǔ)技術(shù)。最近，許多頂級(jí)電子業(yè)分析師指出，閃存正逐漸踏入一場(chǎng)存儲(chǔ)媒質(zhì)的大變革中。　　東芝和其它半導(dǎo)體廠商為了推廣閃存芯片，為其耗費(fèi)了接近天文數(shù)字的研發(fā)和市
關(guān)鍵字：閃存價(jià)格消費(fèi)電子硬盤(pán)替代者存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

高速掃描采樣單片機(jī)與PC機(jī)接口板的設(shè)計(jì)

摘　要：為色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀設(shè)計(jì)了高速采樣掃描接口電路。介紹了采用ISA卡形式以兩片雙端口RAM為信箱實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與PC機(jī)高速通訊的接口電路,給出了實(shí)現(xiàn)高速、高精度采樣及掃描的高性能A/D和D/A轉(zhuǎn)換電路,最后給出了相應(yīng)的軟件設(shè)計(jì)方案。關(guān)鍵詞：色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀雙端口RAM 高速采樣色譜-質(zhì)譜(GC-MS)聯(lián)用儀可對(duì)許多產(chǎn)品中的多種元素進(jìn)行分析測(cè)定,因此被廣泛應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、工業(yè)以及醫(yī)藥、環(huán)保、食品等領(lǐng)域中。GC-MS技術(shù)在未來(lái)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展和科學(xué)研究中將發(fā)揮更為積極和
關(guān)鍵字：測(cè)量測(cè)試高速采樣色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀雙端口RAM 存儲(chǔ)器

利用SPD實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存的自動(dòng)識(shí)別和配置

摘　要：介紹了內(nèi)存的SPD規(guī)范及其硬件接口類(lèi)型和數(shù)據(jù)組織結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在嵌入式系統(tǒng)中對(duì)不同內(nèi)存的識(shí)別與配置，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，方便更換和檢測(cè)。具體實(shí)例詳細(xì)描述了嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存的自動(dòng)配置過(guò)程。關(guān)鍵詞：SPD I2C 嵌入式系統(tǒng) MPC824X 在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中經(jīng)常用大容量的SDRAM，存放RTOS和數(shù)據(jù)。這時(shí)用戶可以有兩種選擇：一種是選用合適的內(nèi)存芯片自己布線，把整個(gè)SDRAM做到嵌入式系統(tǒng)的PCB板上，這種方法在小系統(tǒng)中經(jīng)常采用；另一種就是選用現(xiàn)
關(guān)鍵字： I2C MPC824X SPD 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

基于USB2.0的高速無(wú)線數(shù)傳接收設(shè)備的數(shù)據(jù)接收存儲(chǔ)方法

基于USB2.0的高速無(wú)線數(shù)傳接收設(shè)備的數(shù)據(jù)接收存儲(chǔ)方法北京理工大學(xué)電子工程系(100081) 李新昌　　摘　要：介紹了一種利用USB2.0接口芯片ISP1581并配合FPGA芯片EP1K30TI144和DSP芯片TMS320F206實(shí)現(xiàn)無(wú)線數(shù)傳接收設(shè)備中數(shù)據(jù)接收存儲(chǔ)的方法。這種方法具有接口簡(jiǎn)單、使用方便等特點(diǎn)。　　關(guān)鍵詞：位同步幀同步 USB2.0 差錯(cuò)控制　　數(shù)據(jù)接收存儲(chǔ)技術(shù)是信號(hào)采集處理領(lǐng)域內(nèi)的一個(gè)重要課題。利用這種技術(shù),可以把信號(hào)的實(shí)時(shí)采集和精確處理在時(shí)間上分為兩個(gè)階段,
關(guān)鍵字： USB2.0 差錯(cuò)控制位同步幀同步存儲(chǔ)器

糾錯(cuò)碼在容錯(cuò)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(圖)

摘要：本文分析了存儲(chǔ)器產(chǎn)生錯(cuò)誤的原因，提出了提高其可靠性的途徑，給出了一套常用數(shù)字系統(tǒng)中存儲(chǔ)器容錯(cuò)的糾錯(cuò)碼方案，最終通過(guò)驗(yàn)證電路說(shuō)明其可行性。關(guān)鍵詞：容錯(cuò)；ecc；改進(jìn)漢明碼；存儲(chǔ)器容錯(cuò)存儲(chǔ)器概述　　存儲(chǔ)器是數(shù)字系統(tǒng)中常用的器件之一，是采用大規(guī)模集成電路存儲(chǔ)芯片構(gòu)成的。實(shí)際統(tǒng)計(jì)表明，存儲(chǔ)器的主要錯(cuò)誤是單個(gè)電路故障所引起的一位錯(cuò)或者相關(guān)多位錯(cuò)，而隨機(jī)獨(dú)立的多位錯(cuò)誤極少。在按字節(jié)組織的內(nèi)存儲(chǔ)器中，主要錯(cuò)誤模式為單字節(jié)錯(cuò)；而在按位組織的內(nèi)存儲(chǔ)器中，主要錯(cuò)誤模式為單位錯(cuò)?！　“雽?dǎo)體存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤大體上分為硬
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雙口RAM CY7C026在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用(圖)

引言---由工業(yè)計(jì)算機(jī)通過(guò)pci總線控制的前端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在工業(yè)控制領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用，一般的數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)在大數(shù)據(jù)量的情況下會(huì)造成數(shù)據(jù)堵塞現(xiàn)象。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中經(jīng)過(guò)多方面的比較，最后采用高數(shù)雙口ram構(gòu)成的高速數(shù)據(jù)交換接口成功地解決了此問(wèn)題。---cy7c026是cypress公司生產(chǎn)的16k
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使用Verilog實(shí)現(xiàn)基于FPGA的SDRAM控制器(圖)

摘要：介紹了sdram的特點(diǎn)和工作原理，提出了一種基于fpga的sdram控制器的設(shè)計(jì)方法，使用該方法實(shí)現(xiàn)的控制器可非常方便地對(duì)sdram進(jìn)行控制。關(guān)鍵詞：sdram；控制器；verilog；狀態(tài)機(jī) 引言---在基于fpga的圖象采集顯示系統(tǒng)中，常常需要用到大容量、高速度的存儲(chǔ)器。而在各種隨機(jī)存儲(chǔ)器件中，sdram的價(jià)格低、體積小、速度快、容量大，是比較理想的器件。但sdram的控制邏輯比較復(fù)雜，對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格，使用很不方便，這就要求有一個(gè)專(zhuān)門(mén)的控制器，使系統(tǒng)用戶能很方便地操作sdram。為此
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車(chē)載低端圖像數(shù)據(jù)采集壓縮存儲(chǔ)及傳輸系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)(圖)

implementation of low-cost video compression, storage and transmission system for vehicle-carrier 株洲工學(xué)院張剛毅摘要：介紹了使用低端圖像采集芯片ov7620、壓縮芯片zr36060、存儲(chǔ)芯片hy27ua082g1m和usb傳輸芯片an2131qc實(shí)現(xiàn)的新型車(chē)載圖
關(guān)鍵字：圖像采集 ez－usb zr36060 flash存儲(chǔ) 存儲(chǔ)器

μPSD中存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置(圖)

介紹μpsd的存儲(chǔ)器系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和配置方法，討論了相關(guān)psdsoft軟件的使用方法。背景如果對(duì)st公司的μpsd器件有一定了解，熟悉mcs-51系列單片機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理，使用過(guò)psdsoft express和keil開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，將對(duì)理解本文有很大的幫助。 mcs-51單片機(jī)采用哈佛結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，即數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間與程序存儲(chǔ)器空間互相獨(dú)立。它有16根地址總線，最大尋址能力為64k，這決定程序或數(shù)據(jù)空間不能超過(guò)64k。以上兩點(diǎn)是本文所有討論的前提基礎(chǔ)。 μ
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新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

摘要：本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě)，即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)

摘要： Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對(duì)此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤(rùn)更高，而且更難以設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過(guò)程中則會(huì)起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來(lái)源于其1970年推出的、當(dāng)時(shí)業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷(xiāo)售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中取代了磁芯存儲(chǔ)器。DRAM在過(guò)去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

首款單碟60GB 1.8英寸硬盤(pán)面世

希捷科技公司日前宣布，開(kāi)始向全球客戶發(fā)售其Lyrion硬盤(pán)。Lyrion作為業(yè)內(nèi)首款單碟60GB 1.8英寸硬盤(pán)在容量方面實(shí)現(xiàn)了突破，采用了垂直記錄技術(shù)，厚度只有5毫米。由于消費(fèi)者在日常生活中越來(lái)越依賴于他們的消費(fèi)電子設(shè)備，包括個(gè)人媒體播放器、便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)字視頻照相機(jī)或便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，因此在這些設(shè)備中裝備高可靠性硬盤(pán)變得越來(lái)越重要，而這些硬盤(pán)必須具備專(zhuān)門(mén)為便攜式手持設(shè)備市場(chǎng)設(shè)計(jì)的功能。據(jù)悉，
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì)，一批較早的8英寸芯片廠，已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC制造單片機(jī) 理性突圍嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

適用于圖像檢測(cè)壓縮系統(tǒng)的內(nèi)存存取方式

為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對(duì)于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Data Processing Module)是時(shí)勢(shì)所需。在處理的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大的情況下，所需的內(nèi)存容量隨之增大，以往的先進(jìn)先出隊(duì)列(First-In-First-Out, FIFO)無(wú)法滿足其高速度與大容量的需求，許多硬件工程師開(kāi)始考慮使用DRAM的可能性。DRAM具備可快速存取、可依照設(shè)計(jì)者規(guī)劃使用空間、大容量等優(yōu)點(diǎn)，但是內(nèi)存數(shù)組需要重新充電，而雙倍數(shù)據(jù)速
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開(kāi)可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過(guò)程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開(kāi)始上升。 &
關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC 存儲(chǔ)器

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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]