存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

DDR SDRAM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言很多嵌入式系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于圖像處理與高速數(shù)據(jù)采集等場(chǎng)合的嵌入式系統(tǒng)，都需要高速緩存大量的數(shù)據(jù)。ddr（double data rate，雙數(shù)據(jù)速率）sdram由于其速度快、容量大，而且價(jià)格便宜，因此能夠很好地滿足上述場(chǎng)合對(duì)大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但ddr sdram的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和dsp的存儲(chǔ)器接口相連，需要在其間插入控制器實(shí)現(xiàn)微處理器或dsp對(duì)存儲(chǔ)器的控制。隨著密度與性能的不斷提升，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（fpga）已被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。而且，現(xiàn)在很多的fp
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uClinux下SDRAM數(shù)據(jù)交換區(qū)的生成和使用

引言數(shù)據(jù)交換區(qū)就是指程序執(zhí)行中使用到的各種數(shù)據(jù)所存放的內(nèi)存空間。本文提出了在uclinux操作統(tǒng)下為嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器開辟數(shù)據(jù)交換區(qū)的思想和解決方案。嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器項(xiàng)目的開發(fā)目的是構(gòu)建一個(gè)以client/server模式工作的工業(yè)遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)，其前端是一個(gè)嵌入式服務(wù)器，它安裝在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)，可以與三菱plc組成的控制系統(tǒng)接口，對(duì)該系統(tǒng)實(shí)施實(shí)時(shí)監(jiān)控。其中數(shù)據(jù)交換區(qū)部分起到承上啟下的樞紐作用，向上負(fù)責(zé)對(duì)客戶端交互現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備數(shù)據(jù)，向下負(fù)責(zé)與接口緩沖區(qū)交互設(shè)備實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。系統(tǒng)以freescale公司
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雙口RAM CY7C026在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言由工業(yè)計(jì)算機(jī)通過pci總線控制的前端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在工業(yè)控制領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用，一般的數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)在大數(shù)據(jù)量的情況下會(huì)造成數(shù)據(jù)堵塞現(xiàn)象。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中經(jīng)過多方面的比較，最后采用高數(shù)雙口ram構(gòu)成的高速數(shù)據(jù)交換接口成功地解決了此問題。 cy7c026是cypress公司生產(chǎn)的16k×16高速雙口靜態(tài)ram，存取速度小于25ns。它具有真正的雙端口，可以同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)存取，兩個(gè)端口具有獨(dú)立的控制信號(hào)線、地址線和數(shù)據(jù)線，另外通過主/從選擇可以方便地?cái)U(kuò)存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)寬度。通過芯片的信
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Catalyst新增了三個(gè)包含最寬選擇范圍的嵌入式存儲(chǔ)器系列電壓監(jiān)控器件

　Catalys新推出了三個(gè)系列的電壓監(jiān)控器件，它們包含業(yè)內(nèi)最寬選擇范圍的嵌入式存儲(chǔ)器。CAT130xx系列具有1-，2-，4-，8-或16-kbit Microwire串行接口的嵌入式 EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列則具有2-，4-，8-或16-kbit I2C和SPI串行接口的嵌入式EEPROM。　　這三種新的電壓監(jiān)控器件系列產(chǎn)品為2.5V，3V，3.3V和5V系統(tǒng)提供在2.32V到4.63V之間的7個(gè)復(fù)位門限。復(fù)位輸出可以是CMOS低電平或CMO
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瑞薩科技與力晶半導(dǎo)體建立設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的合資企業(yè)

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與力晶半導(dǎo)體公司 (Powerchip Semiconductor)今天宣布，雙方已簽署協(xié)議將建立一家致力于先進(jìn)存儲(chǔ)器件設(shè)計(jì)的合資企業(yè)。根據(jù)該協(xié)議，兩家合作公司都將為新公司提供工程設(shè)計(jì)資源。建立新型合資企業(yè)將有助于兩家公司解決其當(dāng)前面對(duì)的一些關(guān)鍵問題。瑞薩科技存儲(chǔ)器事業(yè)部總經(jīng)理Shigeru Mori表示：“作為一家系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商，瑞薩面對(duì)不斷提供高度先進(jìn)而卓越的SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）解
關(guān)鍵字：單片機(jī) 合資企業(yè) 力晶半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品存儲(chǔ)器

Ovonyx與奇夢(mèng)達(dá)簽訂相變內(nèi)存技術(shù)許可協(xié)議

Ovonyx公司與奇夢(mèng)達(dá)股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢(mèng)達(dá)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PCRAM）相關(guān)技術(shù)專利及知識(shí)產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長(zhǎng)期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢(mèng)達(dá)相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù)，對(duì)PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計(jì)、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
關(guān)鍵字： Ovonyx 單片機(jī) 奇夢(mèng)達(dá) 嵌入式系統(tǒng) 相變內(nèi)存技術(shù) 許可協(xié)議存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)科技無止境雷克沙CES 2007新品迭出

2007年1月8日至11日，第40屆國際消費(fèi)電子展（CES 2007）在美國拉斯維加斯舉行，整個(gè)會(huì)期將持續(xù)4天，仍然以數(shù)字家庭以及高清視頻為主題。匯集全球通信、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的2500余家知名企業(yè)，成為今年第一個(gè)IT盛會(huì)。作為在全球享有盛譽(yù)的存儲(chǔ)卡、高性能數(shù)碼媒體及其輔助產(chǎn)品生產(chǎn)商——Lexar（雷克沙）公司也參加了本屆展會(huì)，這也是雷克沙歸結(jié)美光公司旗下后2007年參加的第一次展會(huì)，展示最新系列的專業(yè)存儲(chǔ)卡、閃存盤、讀卡器等產(chǎn)品，希望通過這次展會(huì)，為關(guān)
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用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲(chǔ)器
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松下推出第六級(jí)速度規(guī)格的SD/SDHC記憶卡

　　松下電子消費(fèi)品公司宣布計(jì)劃推出新款的高速SD記憶卡，速度6級(jí)，記憶容量規(guī)格分別為1GB/2GB/4GB。預(yù)計(jì)于2007年2月在全球進(jìn)行這些新款記憶卡的銷售。　　SD/SDHC兼容器件的質(zhì)量、產(chǎn)銷正處于上升期，這要求產(chǎn)品要有更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度以及更大的儲(chǔ)存空間。為了滿足這些需求，松下即將推出新款高速SD卡，速度等級(jí)達(dá)到6級(jí)。依據(jù)SD卡協(xié)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)，SD速度等級(jí)共有三類，6級(jí)是其中速度最快的一類。　　新款的高速SD卡擁有高速的數(shù)據(jù)寫入能力，使高級(jí)SD/SDHC兼容設(shè)備可以提供更為穩(wěn)定和有效的功能
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基于C8051F320 USB接口的數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)電路

摘要：介紹采用C8051F320 SOC與AM45DB321構(gòu)成數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。關(guān)鍵詞：數(shù)據(jù)采集；USB接口；存儲(chǔ)電路；SOC 在一些特殊的工業(yè)場(chǎng)合，有時(shí)需要將傳感器的信號(hào)不斷的實(shí)時(shí)采集和存儲(chǔ)起來，并且到一定時(shí)間再把數(shù)據(jù)回放到PC機(jī)中進(jìn)行分析和處理。在工作環(huán)境惡劣的情況下采用高性能的單片機(jī)和工業(yè)級(jí)大容量的FLASH存儲(chǔ)器的方案恐怕就是最適當(dāng)?shù)倪x擇了。CYGNAL公司的C8051F320 SOC是一種具有8051內(nèi)核的高性能單片機(jī)，運(yùn)行速度為普通8051的12倍。該芯
關(guān)鍵字： 0612_A SOC USB接口存儲(chǔ)電路數(shù)據(jù)采集消費(fèi)電子雜志_設(shè)計(jì)天地存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

TI高性能DSP以更低成本實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器容量與I/O帶寬提高一倍

日前，德州儀器宣布推出低成本、高性能 TMS320C6454 DSP，使設(shè)計(jì)人員在同等價(jià)格下獲得更高性能的 DSP 。全新 1 GHz C6454 DSP 建立在增強(qiáng)型TMS320C64x+TM DSP 內(nèi)核與 TI 最高性能 DSP 架構(gòu)基礎(chǔ)之上，針對(duì)各種基礎(chǔ)局端設(shè)備應(yīng)用，
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
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從嵌入式應(yīng)用看存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

針對(duì)嵌入式應(yīng)用　看市面存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 存儲(chǔ)器是整個(gè)嵌入式系統(tǒng)中最重要的一個(gè)媒體，不但肩負(fù)有指令緩沖的責(zé)任，也同時(shí)兼具儲(chǔ)存、管理、甚至是加速等作用，依照存儲(chǔ)器種類的區(qū)分，利用不同的設(shè)計(jì)與實(shí)作方式，來決定其不同的使用目的?！≡诩铀儋Y料處理方面，從大家耳熟能詳?shù)腟RAM、1T-SRAM到PSRAM、eDRAM等，分別都使用了不同的技術(shù)來達(dá)到符合特定應(yīng)用的目的，而為了SoC/SiP的儲(chǔ)存需求，內(nèi)嵌快閃存儲(chǔ)器也成了降低設(shè)計(jì)成本、降低體積的絕妙方式?！隼?/li>
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Ramtron推出汽車級(jí)16Kb SPI接口FRAM器件

Ramtron推出汽車級(jí)16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證此款產(chǎn)品豐富了適用于嚴(yán)苛汽車環(huán)境的汽車級(jí)產(chǎn)品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲(chǔ)器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證 (汽車電子設(shè)備委員會(huì)針對(duì)集成電路而設(shè)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn))。FM25C160是第三款達(dá)到AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的FRAM器件，
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IBM、旺宏和奇夢(mèng)達(dá)共同推出新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)

尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存來自IBM、旺宏和奇夢(mèng)達(dá)的科學(xué)家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)將有望取代已被廣泛用于計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。新研究成果預(yù)示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲(chǔ)器以及功能更強(qiáng)大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲(chǔ)器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術(shù)還為面向移
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]