存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

ARM7系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)CF卡存儲(chǔ)的文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

目前我們正著手將嵌入式系統(tǒng)軟件應(yīng)用于汽車衛(wèi)星導(dǎo)航儀系統(tǒng)的一步開(kāi)發(fā)。傳統(tǒng)的嵌入式應(yīng)用并不包括文件系統(tǒng)，而我們要實(shí)現(xiàn)的文件系統(tǒng)需要在車輛導(dǎo)航系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)地圖數(shù)據(jù)文件的讀寫(xiě)。因此它既要支持與MS-DOS兼容的文件系統(tǒng)也要支持其它類型的文件系統(tǒng)。　　另一方面，從數(shù)碼相機(jī)到MP3播放機(jī)，從掌上電腦到數(shù)碼攝像機(jī)，CF（CompactFlash）卡由于具有體積小、兼容性強(qiáng)、價(jià)格相對(duì)低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)，在數(shù)碼設(shè)備上的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但若想在CF卡與PC之間傳遞數(shù)據(jù)，通常不得不借助于專門的讀卡器，這給PC的用戶帶來(lái)了不小的麻煩
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東芝推新款硬盤存儲(chǔ)密度再創(chuàng)歷史記錄

東芝今天發(fā)布了一款2.5英寸、雙碟結(jié)構(gòu)硬盤驅(qū)動(dòng)器，該公司稱其存儲(chǔ)密度再次在同類產(chǎn)品中創(chuàng)下了一個(gè)新的記錄。　　據(jù)外電報(bào)道，該產(chǎn)品采用垂直記錄技術(shù)，存儲(chǔ)密度為每平方毫米277.1Mb（兆比特），相當(dāng)于每平方英寸178.8Gb（吉比特）。　　這個(gè)密度打破了當(dāng)前同樣由東芝保持每平方英寸133Gb的最高記錄。　　該硬盤設(shè)計(jì)存儲(chǔ)容量為200GB。　　東芝表示，該硬盤將自8月份開(kāi)始量產(chǎn)。　　這項(xiàng)新技術(shù)有可能被應(yīng)用在東芝即將與微軟及NTT DoCoMo攜手為日本市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的數(shù)字
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閃存VS硬盤：消費(fèi)電子帶來(lái)“共榮”

有國(guó)外媒體日前對(duì)包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為，硬盤和閃存之爭(zhēng)并不會(huì)帶來(lái)“你死我活”的局面，兩者通過(guò)相互競(jìng)爭(zhēng)、技術(shù)進(jìn)步，加上消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求不斷擴(kuò)大，兩者的未來(lái)都很“光明”。　　日立全球存儲(chǔ)技術(shù)公司的高級(jí)副總裁比爾
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嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存管理方案研究

摘要：嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)存管理機(jī)制必須滿足實(shí)時(shí)性和可靠性的要求。本文以開(kāi)源的的操作系統(tǒng)RTEMS為例，介紹嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存管理的要求、存在的問(wèn)題以及解決的策略。引言內(nèi)存管理機(jī)制是嵌入式系統(tǒng)研究中的一個(gè)重點(diǎn)和難點(diǎn)的問(wèn)題，它必須滿足以下幾個(gè)特性： ①實(shí)時(shí)性。從實(shí)時(shí)性的角度出發(fā)，要求內(nèi)存分配過(guò)程要盡可能地快。因此，在嵌入式系統(tǒng)中，不可能采用通用操作系統(tǒng)的一些復(fù)雜而完善的內(nèi)存分配策略，一般沒(méi)有段頁(yè)式的虛存管理機(jī)制；而是采用簡(jiǎn)單、快速的內(nèi)存分配方案，其分配方案也因程序?qū)?shí)時(shí)性的要求而異。例如，
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Ramtron發(fā)布其高速8051內(nèi)核MCU VRS51L2070

世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商及開(kāi)發(fā)商Ramtron International向全球發(fā)布其高速的8051內(nèi)核MCU --VRS51L2070。高達(dá)40MIPS 的速度和諸如DSP計(jì)算等豐富功能使得8位MCU在功能和速度上都能趕超16位MCU。 Ramtron加拿大公司總經(jīng)理Iry Lustigman表示： “VRS51L2070滿足了當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)于高性能MCU的要求。無(wú)需采用全新硬件構(gòu)架，無(wú)需過(guò)多關(guān)注全新代碼，高性能的MCU將在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)將系統(tǒng)成本降至最低
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韓國(guó)現(xiàn)代汽車智能安全氣囊采用FRAM作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商及開(kāi)發(fā)商Ramtron International 宣布，韓國(guó)現(xiàn)代 Hyundai Autonet 公司選用了其生產(chǎn)的 FRAM 產(chǎn)品用于該公司的汽車智能安全氣囊和乘客傳感器中。非易失性存儲(chǔ)器(FRAM) 具備無(wú)倫比的讀寫(xiě)壽命及高速的數(shù)據(jù)寫(xiě)入能力，成為當(dāng)今日益復(fù)雜的智能安全氣囊系統(tǒng)的理想選擇。 Ramtron 首席執(zhí)行官 Bill Staunton稱：“我們?cè)陧n國(guó)現(xiàn)代 Hyundai Autonet 智能安全氣囊項(xiàng)目上取得的成功，再次
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Ramtron發(fā)布高速8051內(nèi)核

高速8051內(nèi)核MCU VRS51L2070 其40MIPS的運(yùn)行速度和豐富的外設(shè) 是替代16位MCU的理想選擇世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品
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FPGA與SRAM相結(jié)合完成大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

(西安電子科技大學(xué) 通信工程學(xué)院 710071) 摘要本文介紹了一種實(shí)現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方法。采用先進(jìn)的FPGA(Field Programmable Gate Array)技術(shù)結(jié)合SRAM專用控制器件來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯控制,以靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)為存儲(chǔ)器件實(shí)現(xiàn)了256K
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美光兩個(gè)內(nèi)存廠調(diào)整轉(zhuǎn)產(chǎn)CMOS傳感器

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球半導(dǎo)體巨頭美光科技最近決定把兩個(gè)原來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存的芯片廠用于生產(chǎn)CMOS傳感器芯片，從而將COM傳感器的生產(chǎn)能力翻一番。　　美光科技影像集團(tuán)營(yíng)銷總監(jiān)Hisayuki Suzuku日前對(duì)媒體表示，美光正在把兩條將要過(guò)時(shí)的內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移用于制造CMOS傳感器。他說(shuō)，這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移是有意義的，因?yàn)樵趪?guó)際半導(dǎo)體行業(yè)，各大公司正在使用90納米或65納米工藝生產(chǎn)內(nèi)存，不過(guò)在傳感器方面，大多數(shù)公司都使用130納米并正在向110納米工
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復(fù)合型硬盤一月出貨：開(kāi)機(jī)更快、電池更耐

自從微軟和三星發(fā)表要合作推出復(fù)合型硬盤 (HHD) 之后，我們就一直很想知道這對(duì)效能和電池續(xù)航力能有多大的影響（畢竟初期是鎖定筆記本電腦銷售）。三星這會(huì)兒總算是發(fā)布了一些資料，表明這種新的 NAND 閃存／傳統(tǒng)硬盤復(fù)合體的新種硬盤大約可以節(jié)省 8-25 秒的開(kāi)機(jī)時(shí)間和延長(zhǎng)電池壽命 8~10%。換言之，新型的復(fù)合式硬盤大約可以加快開(kāi)機(jī)近一倍（但還不是瞬開(kāi)），并且延長(zhǎng)普通筆記本電腦的電池壽命約 20~30 分鐘。嗯，聽(tīng)起來(lái)挺不錯(cuò)地，而且跟據(jù)三星的新聞稿，只要「極小的額外開(kāi)銷」。三星預(yù)計(jì)七月起提供「
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微軟公布Vista硬件需求內(nèi)存至少512兆

據(jù)外電報(bào)道，隨著新一代操作系統(tǒng)Windows Vista上市日期的臨近，微軟將于今日正式公布Vista對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的硬件需求。據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，美國(guó)時(shí)間本周四，微軟將啟動(dòng)兩項(xiàng)市場(chǎng)推出程序，以告知PC廠商和零售商，究竟什么標(biāo)準(zhǔn)的硬件配置才能安裝和運(yùn)行Vista系統(tǒng)。 &nb
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ST集成以太網(wǎng)控制器、大容量存儲(chǔ)器和ARM9E核心

世界第一個(gè)基于 ARM9的內(nèi)置閃存的通用微控制器催生新一代聯(lián)網(wǎng)嵌入式應(yīng)用意法半導(dǎo)體率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價(jià)比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將功能強(qiáng)大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)（LAN）或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)帶來(lái)了許多新的機(jī)遇。 STR910F系列的設(shè)計(jì)目的是滿足市場(chǎng)對(duì)高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長(zhǎng)的需求和實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對(duì)取得成功的STR7X
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QuickLogic橋接控制器和日立Microdrive® 硬盤驅(qū)動(dòng)器提供高能效存儲(chǔ)解決方案

QuickLogic經(jīng)驗(yàn)證的低功耗QuickIDE橋接控制器成為Intel® PXA2xx處理器的配套器件超低功耗FPGA的領(lǐng)導(dǎo)廠商QuickLogic公司(NASDAQ代碼：QUIK)今天宣布，將其最新的QuickIDE橋接控制器與日立環(huán)球存儲(chǔ)科技(Hitachi GST)的一英寸Microdrive硬盤驅(qū)動(dòng)器整合，向基于Intel處理器的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品推出完整的大容量存儲(chǔ)解決方案。日立新推出的Microdrive 3K8硬盤驅(qū)動(dòng)器具有單位面積小、功
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ST推出硬盤驅(qū)動(dòng)器專用控制器芯片

多功能的硬盤驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制器的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，使同一個(gè)芯片可用于12V和5V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用，同時(shí)還能夠滿足消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求磁盤驅(qū)動(dòng)器和系統(tǒng)芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼： STM）推出一個(gè)新的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)電機(jī)控制器芯片，該IC集成了驅(qū)動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī)驅(qū)動(dòng)器的主軸電機(jī)和語(yǔ)音線圈所需的全部電路。這個(gè)被命名為L(zhǎng)7207的硬盤驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制器適合移動(dòng)設(shè)備專用5V驅(qū)動(dòng)器和臺(tái)式計(jì)算機(jī)專用12V驅(qū)動(dòng)器，因此給這兩種類型驅(qū)動(dòng)器的制造廠商帶來(lái)了降低庫(kù)存和制造成本的好處，同時(shí)還能為其它類型的
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ST在微控制器內(nèi)集成以太網(wǎng)控制器容量存儲(chǔ)器和ARM9E核心

世界第一個(gè)基于 ARM9的內(nèi)置閃存的通用微控制器催生新一代聯(lián)網(wǎng)嵌入式應(yīng)用意法半導(dǎo)體率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價(jià)比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將功能強(qiáng)大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)（LAN）或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)帶來(lái)了許多新的機(jī)遇。 STR910F系列的設(shè)計(jì)目的是滿足市場(chǎng)對(duì)高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長(zhǎng)的需求和實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對(duì)取得成功的STR7X
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]