Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器,這是單芯片的解決方案,可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調節(jié)、數據采集、處理和控制應用。Ramtron還同時提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標準并以8051為基礎的插入式MCU,
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Ramtron 微控制器 信號 存儲器
Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器,這是單芯片的解決方案,可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調節(jié)、數據采集、處理和控制應用。Ramtron還同時提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標準并以8051為基礎的插入式MCU,帶有高達128KB ISP/IAP閃存,專為簡化設備的轉移而設
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Ramtron 微控制器 信號 存儲器
內存技術公司Rambus近日宣布,美國芯片制造商AMD已經和該公司簽署專利許可授權協(xié)議。AMD耗資7500美元獲得5年內使用Rambus公司有關內存和邏輯控制器設計的專利的授權?! ?nbsp; 據悉,這次授權的專利有關如下技術:DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、FB-DIMM、PCI Express、XDR等控制器的設計,以及有關目前和未來的高速內存和邏輯控制器接口技術?! ?nbsp; 這項授權協(xié)議覆蓋了除內存芯片以外的所有內存相關技術。該協(xié)議還可以
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Rambus 內存 授權 專利 存儲器
日立(Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發(fā)布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程。與采用以前技術的日立和瑞薩發(fā)布的產品相比,每個單元的功耗降低了50%。 據介紹,相對于現有的非易失存儲器,新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,
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日立 瑞薩 相位轉換存儲器 存儲器
邁威國際自進入中國大陸市場以來不斷推出新產品,而且推出的產品性價比非常高。隨著照相手機、PDA手機的逐漸普及,數碼存儲卡也越來越輕、薄、短、小。 此次邁威在國內市場推出的128M microSD卡,就是一款主要應用于手機的數碼閃存卡,隨卡邁威還附贈了一塊適配器,加上適配器,此款microSD卡就可變成一款標準型的SD卡,可以廣泛應用于數碼相機、數碼攝像機、MP3播放機、PDA、手機,等等有SD卡插槽的數碼設備中。 MAKWAY microSD卡非常小巧,尺寸大小僅為11
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microSD 邁威 手機 存儲器
新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程——與采用以前技術的日立和瑞薩發(fā)布的產品相比,每個單元的功耗降低了50%。此外,相對于現有的非易失存儲器,新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
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MOS 日立 瑞薩 存儲器
支持時鐘頻率高達800MHz Infineon公司推出高性能512Mb GDDR3 圖像DRAM,和ATI公司的Mobility Radeon X1600圖像處理器一起使用,目標在筆記本電腦. Mobility Radeon X1600是ATI創(chuàng)新的移動圖像處理器,能為薄型筆記本電腦提供極好視像和快速的圖像,滿足高性能設計中的越來越多的移
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Infineon 存儲器
Samsung公司推出新的8GB產品用于服務器.在十月份推出的8GB注冊雙列直插存儲器模塊(R-DIMM),Samsung現在增加它的全緩沖雙列直插存儲器模塊(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服務器.這種器件代表了在高檔服務器存儲器架構中重大意義的飛躍. 采用Samsung的大容量存儲器將會增加
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三星 存儲器
協(xié)助手機制造商降低開發(fā)成本 意法半導體與英特爾公司近期宣布推出一款公用閃存子系統(tǒng)。該系統(tǒng)旨在幫助降低手機原始設備制造商 (OEM) 的開發(fā)成本,使他們能夠更快向市場推出功能豐富的手機產品。為了簡化手機內存設計,兩家公司將基于公用規(guī)范提供硬件和軟件兼容的內存產品。在此基礎之上,手機制造商將可以顯著縮短產品開發(fā)時間,降低產品成本,同時還將能夠以較低成本,快速過渡到兩家公司開發(fā)的下一代 NOR 閃存產品。 NOR 閃存是大眾主流手機市場首選的內存技術。據業(yè)界調研
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英特爾 存儲器
韓國產業(yè)資源部近日宣布,韓國光州科學技術院教授黃賢尚領導的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲器(ReRAM-Resistance?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術,這一技術足以克服新一代存儲器閃存芯片的缺陷。 據介紹,迄今為止,閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲和刷新的時間長,存儲容量難以達到32千兆位(Gb)以上。 專家介紹說,黃賢尚科研小組開發(fā)出的“單結晶鍶鈦氧化物(SrTi03)”和使這種氧化物保持原有特性的表面
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韓國 存儲器
意法半導體與英特爾公司近日公布了一個公用存儲器子系統(tǒng)規(guī)范,以幫助手機OEM制造商降低產品開發(fā)成本,以最快的時間將功能豐富的產品投放市場。為了簡化手機存儲器的設計,兩家公司將提供基于公用標準的軟硬件兼容的存儲器產品。因此,手機制造商的開發(fā)時間將會縮短,制造成本應將會降低,并能夠以低廉的成本快速過渡到兩家公司開發(fā)的下一代NOR閃存產品。 NOR閃存是大眾主流手機市場首選的存儲器技術。據市場調研公司iSuppli資料顯示,NOR閃存出貨占手機嵌入式閃存出貨的92.8%。今天,英特爾和ST提供的NOR閃
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英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產的集成電路。該產品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術的讀取信道內核產品的開發(fā),使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產品,以滿足硬盤驅動器市場不斷增長的需求,”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負責人Peter Bauer指出,“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合(IP 
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英飛凌 存儲器
英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產的集成電路。該產品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。 英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業(yè)部(ADS)總經理Sandro Cerato說:“采用90納米工藝制造讀取信道內核,使硬盤驅動器行業(yè)能夠滿足下一代產品要求
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英飛凌 存儲器
德國芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國媒體采訪時表示,英飛凌內存業(yè)務分拆上市還不是板上釘釘的事情。由于還有一些問題,公司并未作出正式決定。此外,英飛凌也還有別的選擇。 英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國報紙《Suddeutschen Zeitung》時表示,到目前為止,雖然還沒有決定,但將內存業(yè)務IPO似乎是最有吸引力的方案。 Ziebart說,在內存業(yè)務上和其他公司合作還是有可
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高速存儲器有助于實現小型、高速和高性能的產品開發(fā)解決方案 瑞薩科技公司近日開始接受封裝在SiP(系統(tǒng)級封裝)內、集成了DDR SDRAM(雙數據速率同步DRAM)高速存儲器芯片的產品訂貨。該產品是在一個單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲器器件。 <產品背景> 隨著包括圖形設備、車載信息系統(tǒng)和數字消費產品等各個領域的快速發(fā)展和功能日益強大,減小芯片尺寸成為了一個迫切的要求。對這種需求的一種反應就是迅速增加SiP產品的應用,因為它可以將若干微處理器
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瑞薩 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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