存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

杰爾出讀入耗電減少1W的硬盤(pán)導(dǎo)引通道電路

　美國(guó)杰爾系統(tǒng)（Agere Systems）日前開(kāi)發(fā)成功了面向硬盤(pán)的導(dǎo)引通道（Lead Channel）電路“TrueStore RC7200”。該公司認(rèn)為，通過(guò)采用90nm工藝CMOS技術(shù)及多種電力模式，與其它公司原來(lái)的產(chǎn)品相比，耗電可最大減少50％?！爱?dāng)使用于筆記本電腦硬盤(pán)時(shí)，在讀入負(fù)荷占總負(fù)荷大半的狀態(tài)下，能夠減少大約1W”（杰爾）。　　將以包括接口電路、硬盤(pán)控制器及存儲(chǔ)器在內(nèi)的SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的方式提供。面向2.5英寸及3.5英寸的硬盤(pán)。支持100M
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ST發(fā)布6位單片電平轉(zhuǎn)換器用于手機(jī)存儲(chǔ)卡

　　意法半導(dǎo)體(ST)日前發(fā)布兩款采用3mm
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ST推出世界手機(jī)存儲(chǔ)卡單片電平轉(zhuǎn)換器

集成的ESD保護(hù)功能和卡檢測(cè)功能最大限度降低需用外接存儲(chǔ)卡的移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電路板空間需求意法半導(dǎo)體公布兩款采用3 x 3mm µTFBGA25微型封裝的6位電平轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品用于連接1.8V或2.5V信號(hào)的手機(jī)和3.3V電平的外插存儲(chǔ)卡。ST6G3238E含有ESD保護(hù)電路，能夠?qū)Υ鎯?chǔ)卡接口實(shí)施最高8kV的放電保護(hù)，允許存儲(chǔ)卡直接插入外接存儲(chǔ)器插槽。卡側(cè)每個(gè)輸入引腳上都集成一個(gè)40歐姆的串聯(lián)電阻，以抑制EMI（電磁干擾）噪聲，同時(shí)卡檢測(cè)和寫(xiě)保護(hù)輸入
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Spansion M-Systems合作供單裸片存儲(chǔ)芯片

　　M-Systems公司和Spansion公司宣布，雙方正在共同開(kāi)發(fā)一個(gè)新產(chǎn)品，該產(chǎn)品集成了M-Systems的MegaSIM平臺(tái)和Spansion公司MirrorBit™ORNAND™閃存技術(shù)。　　兩家公司正在將他們各自的技術(shù)融合到一個(gè)創(chuàng)新的、集成化的單裸片產(chǎn)品之中，使之可以為高容量SIM卡市場(chǎng)提供顯著的成本、安全和產(chǎn)量?jī)?yōu)勢(shì)。MirrorBit ORNAND是一種創(chuàng)新的閃存架構(gòu)，它將NOR代碼執(zhí)行和NAND數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能中的優(yōu)點(diǎn)集成到一個(gè)基于Spansio
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杰爾讀入耗電減少1W的硬盤(pán)導(dǎo)引通道電路

　美國(guó)杰爾系統(tǒng)（Agere Systems）日前開(kāi)發(fā)成功了面向硬盤(pán)的導(dǎo)引通道（Lead Channel）電路“TrueStore RC7200”。該公司認(rèn)為，通過(guò)采用90nm工藝CMOS技術(shù)及多種電力模式，與其它公司原來(lái)的產(chǎn)品相比，耗電可最大減少50％?！爱?dāng)使用于筆記本電腦硬盤(pán)時(shí)，在讀入負(fù)荷占總負(fù)荷大半的狀態(tài)下，能夠減少大約1W”（杰爾）。　　將以包括接口電路、硬盤(pán)控制器及存儲(chǔ)器在內(nèi)的SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的方式提供。面向2.5英寸及3.5英寸的硬盤(pán)。支持100M
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松下展示利用生物納米工藝半導(dǎo)體內(nèi)存

　　松下電器產(chǎn)業(yè)以展板方式展出了浮游柵型半導(dǎo)體內(nèi)存元件的開(kāi)發(fā)內(nèi)容，該元件含有利用“生物納米工藝”（由基于遺傳工程的生物技術(shù)和nm級(jí)微細(xì)加工技術(shù)融合而成的工藝）制成的納米粒子。松下與日本奈良先端科技大學(xué)于2005年底進(jìn)行了發(fā)表（發(fā)布資料）。為表明其應(yīng)用前景，松下此次展出了將薄膜型顯示器等便攜終端貼到身上使用的示意圖。　　展臺(tái)上放置了電腦，結(jié)合動(dòng)畫(huà)內(nèi)容簡(jiǎn)明地介紹了“生物納米工藝”。最初的原料是一種名為“鐵蛋白”的蛋白質(zhì)。通過(guò)基因操作，以DNA為模型對(duì)其進(jìn)行合成。鐵蛋白的一個(gè)分子形成了“串珠狀”，
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MCU的伴侶Ramtron的FM31系列產(chǎn)品

作者: 曾平貴 (商鼎盛) Ramtron的Fm31XX產(chǎn)品是Ramtron最有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品包含4K-256K的鐵電存儲(chǔ)器，精度為+2.17PPM的RTC,低電壓復(fù)位,看門(mén)狗復(fù)位和低電壓檢測(cè),8個(gè)可以鎖定的特殊存儲(chǔ)和2個(gè)16位的
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05年DRAM芯片銷(xiāo)售排名三星仍保持冠軍

　　據(jù)著名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的銷(xiāo)售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的銷(xiāo)售收入為263億美元。在全球DRAM 儲(chǔ)存芯片行業(yè)銷(xiāo)售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國(guó)臺(tái)灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲(chǔ)存芯片制造商爾必達(dá)公司（Elpida）是全球最高前六個(gè)公司中銷(xiāo)售收入實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)的公司。　　調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲(chǔ)存芯片
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德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

ISSCC 會(huì)議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗日前，麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 測(cè)試器件。該款 SRAM&
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全球內(nèi)存（DRAM）價(jià)格報(bào)告

北美市場(chǎng) 經(jīng)銷(xiāo)商們?cè)谛瞧谌嘎?，本周DRAM的銷(xiāo)售比較緩慢，這段時(shí)間也是傳統(tǒng)的銷(xiāo)售淡季。整個(gè)周三都沒(méi)有一筆生意，因而市價(jià)也沒(méi)什么變化。這一天只有芯片市場(chǎng)PC133材質(zhì)有唯一一筆現(xiàn)貨交易，價(jià)格在每芯片$3.30 到$4之間。亞太市場(chǎng) &
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Ramtron針對(duì)嵌入式數(shù)采推出微控制器

Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號(hào)微控制器，這是單芯片的解決方案，可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子、儀表和汽車(chē)市場(chǎng)等各種不同的信號(hào)調(diào)節(jié)、數(shù)據(jù)采集、處理和控制應(yīng)用。Ramtron還同時(shí)提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)并以8051為基礎(chǔ)的插入式MCU，帶有高達(dá)12
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內(nèi)存供過(guò)于求 06年半導(dǎo)體前景待觀望

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner/Dataquest表示，雖然半導(dǎo)體行業(yè)在2006年預(yù)期將有合理的增長(zhǎng)，但是不排除在平穩(wěn)增長(zhǎng)的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一些增長(zhǎng)過(guò)快的情況，如內(nèi)存的供過(guò)于求。　　Gartner/Dataquest的分析師Klaus Rinner預(yù)測(cè)2006年集成電路的市場(chǎng)增長(zhǎng)率為7.6%，但是在資本支出上將有0.4%的下降。　　在一次講座中Rinnen表示：市場(chǎng)的前景并非一片大好。　　在市
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DRAM售價(jià)下降英飛凌Q1將虧損1.477億美元

歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內(nèi)存平均銷(xiāo)售價(jià)格的下降影響了該公司2006財(cái)年第一季度的財(cái)報(bào)結(jié)果。據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報(bào)道，英飛凌截止到去年12月份的2006財(cái)年第一季度的銷(xiāo)售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項(xiàng)之前的利潤(rùn)為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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內(nèi)存供過(guò)于求06年半導(dǎo)體前景待觀望

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner/Dataquest表示，雖然半導(dǎo)體行業(yè)在2006年預(yù)期將有合理的增長(zhǎng)，但是不排除在平穩(wěn)增長(zhǎng)的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一些增長(zhǎng)過(guò)快的情況，如內(nèi)存的供過(guò)于求。　　Gartner/Dataquest的分析師Klaus Rinner預(yù)測(cè)2006年集成電路的市場(chǎng)增長(zhǎng)率為7.6%，但是在資本支出上將有0.4%的下降。　　在一次講座中Rinnen表示：市場(chǎng)的前景并非一片大好。　　在市
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ST推出內(nèi)置DRAM存儲(chǔ)器的微控制器

意法半導(dǎo)體（ST）日前公布了一款針對(duì)無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開(kāi)發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個(gè)代號(hào)為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號(hào)為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。　　GreenFI
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]