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瑞薩(renesas)
瑞薩(renesas) 文章 進(jìn)入瑞薩(renesas)技術(shù)社區(qū)
瑞薩與臺(tái)積電將合作開(kāi)發(fā)28nm納米嵌入式閃存制程技術(shù)
- 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布,雙方合作開(kāi)發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù),以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車(chē)與自動(dòng)駕駛汽車(chē)的微控制器(MCU)。采用此全新28納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的車(chē)用MCU預(yù)計(jì)于2017年提供樣品,2020年開(kāi)始量產(chǎn)。 瑞薩與臺(tái)積電自90納米技術(shù)時(shí)代便開(kāi)始密切合作開(kāi)發(fā)有片上閃存的MCU產(chǎn)品。為了使未來(lái)的環(huán)保汽車(chē)與自動(dòng)駕駛汽車(chē)更節(jié)能且更可靠,雙方在合作40納米MCU平臺(tái)并生產(chǎn)四年之后,擴(kuò)大合作至28納米MCU的開(kāi)發(fā)。通過(guò)此次合作,瑞薩具備高可靠性及高速優(yōu)勢(shì)的MONOSeFlash技術(shù),
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瑞薩和臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)自動(dòng)駕駛汽車(chē)用MCU
- 瑞薩電子和臺(tái)積電(TSMC)于2016年9月1日宣布,將以新一代環(huán)保汽車(chē)及自動(dòng)駕駛汽車(chē)為對(duì)象,合作開(kāi)發(fā)采用28nm工藝的MCU。該28nm車(chē)載用MCU計(jì)劃2017年開(kāi)始樣品供貨,2020年開(kāi)始由臺(tái)積電實(shí)施量產(chǎn)。 在90nm以后工藝方面,兩公司在委托制造以及內(nèi)置閃存的MCU的開(kāi)發(fā)方面建立了緊密的合作關(guān)系。從4年前開(kāi)始在40nm工藝的MCU平臺(tái)方面開(kāi)展共同開(kāi)發(fā)及委托制造的合作(本站報(bào)道),此次雙方將把合作范圍擴(kuò)大至28nm工藝MCU的共同開(kāi)發(fā)。 在此次合作中,雙方將把瑞薩的MONOS(Meta
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瑞薩會(huì)花多少錢(qián)買(mǎi)Intersil?
- 日本半導(dǎo)體廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)打算收購(gòu)美國(guó)的類(lèi)比、混合訊號(hào)與功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Intersil... 據(jù)傳瑞薩已經(jīng)證實(shí)目前雙方正進(jìn)入最終談判,該公司并考慮以高達(dá)3,000億日?qǐng)A(約30億美元)進(jìn)行收購(gòu)。瑞薩此舉正值整個(gè)半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)一連串的整并行動(dòng)之際。 瑞薩電子就和許多日本晶片商一樣,近年來(lái)一直在奮力地掙扎求生。這一場(chǎng)苦仗得追溯到該公司在2010年成立以前——該公司是在2010年4月由瑞薩科技(Renesas Technolo
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瑞薩傳30億美元收購(gòu)Intersil 車(chē)用半導(dǎo)體事業(yè)可望居全球第二
- 據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo),日本半導(dǎo)體廠瑞薩電子(Renesas Electronics)正與美國(guó)電源管理類(lèi)比IC業(yè)者英特矽爾(Intersil)進(jìn)行最終收購(gòu)協(xié)議。 據(jù)悉,瑞薩收購(gòu)金額約3,000億日?qǐng)A(約30億美元),以NASDAQ于19日最新股價(jià)顯示,英特矽爾市值逾21億美元計(jì)算,該筆收購(gòu)案將以溢價(jià)38%收購(gòu),最快可望于8月底前達(dá)成協(xié)議。 瑞薩購(gòu)并英特矽爾如虎添翼 日經(jīng)指出,每年市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)30兆日?qǐng)A的全球半導(dǎo)體市場(chǎng),因智能型手機(jī)需求成長(zhǎng)趨緩,相關(guān)業(yè)者尋求突破,將研發(fā)重心
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瑞薩將退出微波器件市場(chǎng) 專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)光器件
- 瑞薩電子2016年08月02日宣布,在化合物半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)方面,將退出微波器件相關(guān)業(yè)務(wù),而專(zhuān)注于光器件(光電耦合器、激光二極管及光電二極管)。 瑞薩介紹稱,雖然化合物半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)過(guò)去一直在通過(guò)降低制造成本、提高開(kāi)發(fā)效率等努力提高業(yè)績(jī),但微波器件已經(jīng)很難確保未來(lái)盈利。原因是,隨著周邊部件越來(lái)越多地嵌入SoC中,市場(chǎng)規(guī)模日益縮小;以及隨著以臺(tái)灣地區(qū)為中心競(jìng)爭(zhēng)廠商抬頭,價(jià)格下滑。另一方面,化合物半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)中,微波器件以外的光器件業(yè)務(wù)伴隨生產(chǎn)結(jié)構(gòu)改革和市場(chǎng)堅(jiān)挺增長(zhǎng),業(yè)績(jī)持續(xù)改善。 鑒于以上情
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瑞薩0.9L/2.9L主驅(qū)電機(jī)控制方案
- 從現(xiàn)今全球低碳化需求來(lái)看,在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),傳統(tǒng)汽車(chē)的動(dòng)力總成技術(shù)還是要圍繞著節(jié)能減排的目標(biāo)前行,但是可提高的效率空間已經(jīng)非常小了。 中國(guó)目前有很明確的平均油耗和單車(chē)油耗標(biāo)準(zhǔn)。比如到2020年實(shí)現(xiàn)平均油耗5L/100km, 這幾乎就在根本上要求所有的車(chē)廠必須實(shí)現(xiàn)新能源化。在新能源車(chē)Powertrain方面,未來(lái)的趨勢(shì)就在于:“小型化”、“高功率密度”、“高可靠性”和“高靈活性”。 瑞薩電子一直關(guān)注新能源
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日本電產(chǎn)董事長(zhǎng):瑞薩就是條俎上之魚(yú)
- “他們(瑞薩電子)沒(méi)有決定權(quán)。我們也沒(méi)有放棄收購(gòu)的意愿。”日本電產(chǎn)公司2016年8月2日宣布收購(gòu)美國(guó)艾默生電氣公司業(yè)務(wù)(EmersonElectric)(參閱本站報(bào)道)。日本電產(chǎn)董事長(zhǎng)兼社長(zhǎng)永守重信在記者會(huì)上表示“2016年還有多家公司要收購(gòu)”。會(huì)后在記者的集中采訪中,有記者就此問(wèn)道“他們是不是指瑞薩”,永守就此說(shuō)出了上面那句話。 對(duì)于這個(gè)提問(wèn),永守表示:“(瑞薩)不是現(xiàn)在最重要的公司。除了瑞薩以外還有其他選擇&
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高集成度將是主驅(qū)電機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)
- 未來(lái)高集成度將會(huì)成為所有主要器件的主流趨勢(shì)?,F(xiàn)階段瑞薩就已經(jīng)將很多器件集成在一起,從MCU、IGBT、預(yù)驅(qū)動(dòng)等主驅(qū)電機(jī)相關(guān)產(chǎn)品,瑞薩提供了全套的電機(jī)解決方案。例如: 于宗源 瑞薩電子大中國(guó)區(qū)市場(chǎng)策略中心汽車(chē)電子部 高級(jí)經(jīng)理 1)MCU(RH850/C1X)集成了旋變解碼器(RDC)以及硬件電流環(huán)算法(EMU)。同時(shí)又是鎖步雙核,可以滿足ISO26262的ASIL-D標(biāo)準(zhǔn)的功能安全性要求。 2)IGBT,除了在電壓上有多種選擇外(650V/900V/1200V),自身晶圓(Die)
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瑞薩電子使用新型RZ/T1運(yùn)動(dòng)控制解決方案套件簡(jiǎn)化工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
- 瑞薩 RZ/T1 運(yùn)動(dòng)控制解決方案套件2016年6月14日,日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社今日宣布推出一種新型參考解決方案,專(zhuān)注于配備瑞薩RZ / T1微處理器(MPU)的高性能和實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用。瑞薩RZ / T1運(yùn)動(dòng)控制解決方案套件提供了一套完整的硬件/軟件解決方案,幫助簡(jiǎn)化工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器和控制器、工業(yè)機(jī)器人系統(tǒng)、工廠設(shè)備以及需要具有高速響應(yīng)和出色實(shí)時(shí)性能的其它機(jī)床的嵌入式開(kāi)發(fā)。 滿足工業(yè)4.0要求的集成硬件平臺(tái)/軟件解決方案 RZ
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并購(gòu)沖擊 車(chē)用半導(dǎo)體前十大重新洗牌
- IHS指出,2015年全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到了290億美元,成長(zhǎng)約0.2%。 根據(jù)市調(diào)公司IHS Technology的調(diào)查報(bào)告,2015年車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)由于受到幣值波動(dòng)影響,使得成長(zhǎng)開(kāi)始放緩,而大規(guī)模的整并行動(dòng)也導(dǎo)致供應(yīng)商排名重新洗牌。 IHS指出,去年全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到了290億美元,成長(zhǎng)約0.2%。 根 據(jù)報(bào)導(dǎo),恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors NV)由于收購(gòu)飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor Inc.)使其達(dá)到1,180億美元
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想要低功耗高效能車(chē)用MCU,不妨先看看這一款
- 在車(chē)用MCU領(lǐng)域,RENESAS公司無(wú)疑是世 界領(lǐng)先的廠商。其推出的RL78/F12系列微控制器(MCU)是一款具備業(yè)界領(lǐng)先的低耗電量及高效能MCU產(chǎn)品。作為瑞薩RL78新系列中的第1款F系列產(chǎn)品,RL78/F12專(zhuān)為車(chē)載電子而設(shè)計(jì),其有助于降低系統(tǒng)耗電量并提供更高效能,適合Keyless感應(yīng)式遙控門(mén)鎖、電動(dòng)窗控制、電動(dòng)后視鏡控制及 其他汽車(chē)控制的應(yīng)用。 圖1:RL78/F12微控制器 隨 著汽車(chē)智能化的不斷發(fā)展,車(chē)內(nèi)使用的微控制器數(shù)量持續(xù)上升,使用功能也不斷豐富和完善。對(duì)于可提供更低
- 關(guān)鍵字: MCU RENESAS
可直接驅(qū)動(dòng)段式LCD的MCU,大幅簡(jiǎn)化顯示系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 針對(duì)移動(dòng)和便攜電子設(shè)備應(yīng)用市 場(chǎng),Renesas推出了RL78/L1C系列MCU,該系列MCU不僅運(yùn)算能力強(qiáng)勁,而且集成了豐富的片上模擬資源,還可以直接驅(qū)動(dòng)段式LCD,大大簡(jiǎn) 化了設(shè)備顯示功能設(shè)計(jì),此外,該系列MCU還具備完善的安全機(jī)制,極大提升了系統(tǒng)應(yīng)用的可靠性。目前世強(qiáng)已代理該系列產(chǎn)品。 RL78/L1C系列MCU運(yùn)算能力強(qiáng)勁 RL78/L1C 系列MCU的總線寬度為16位,采用CISC架構(gòu),流水線深度達(dá)3級(jí),其最高運(yùn)行頻率可達(dá)24MHz,處理能力最高可達(dá)33DMIPS。同時(shí),該內(nèi)核集
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熊本地震致索尼/瑞薩/三菱電機(jī)等停工 全球CIS供應(yīng)拉警報(bào)
- 日本九州熊本縣連續(xù)兩天發(fā)生強(qiáng)烈地震,包括索尼、瑞薩、三菱電機(jī)等日本IDM大廠位于災(zāi)區(qū)的晶圓廠都已宣布停工。其中,索尼位于熊本縣菊池郡的CMOS影像感測(cè)器(CIS)生產(chǎn)線停工,不僅影響智慧型手機(jī)廠第二季備貨,若停工日期拉長(zhǎng)到5月,恐怕導(dǎo)致CIS市場(chǎng)出現(xiàn)缺貨危機(jī)。 日本九州熊本縣 繼14日晚間發(fā)生規(guī)模6.2級(jí)強(qiáng)震后,16日清晨再度發(fā)生規(guī)格7.3級(jí)強(qiáng)震,不僅加重當(dāng)?shù)貫?zāi)情,后續(xù)還發(fā)生數(shù)次規(guī)模5級(jí)以上的余震,至于3級(jí)或4級(jí)的余震 不斷。包括索尼、瑞薩、三菱等日本IDM廠,位于熊本災(zāi)區(qū)內(nèi)的晶圓廠或封測(cè)廠均已
- 關(guān)鍵字: 索尼 瑞薩
瑞薩電子推出第8代IGBT,以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性,提升系統(tǒng)功率
- 瑞薩第8代IGBT:G8H系列2016年3月10日,日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723),于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品,其可將用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中的轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用。推出的六種新產(chǎn)品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 IGBT
瑞薩(renesas)介紹
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