瑞薩和臺積電合作開發(fā)自動駕駛汽車用MCU

　　瑞薩電子和臺積電(TSMC)于2016年9月1日宣布，將以新一代環(huán)保汽車及自動駕駛汽車為對象，合作開發(fā)采用28nm工藝的MCU。該28nm車載用MCU計劃2017年開始樣品供貨，2020年開始由臺積電實施量產(chǎn)。

　　在90nm以后工藝方面，兩公司在委托制造以及內置閃存的MCU的開發(fā)方面建立了緊密的合作關系。從4年前開始在40nm工藝的MCU平臺方面開展共同開發(fā)及委托制造的合作(本站報道)，此次雙方將把合作范圍擴大至28nm工藝MCU的共同開發(fā)。

　　在此次合作中，雙方將把瑞薩的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)構造的混載閃存技術與臺積電的28nm High-K金屬柵極技術相融合，開發(fā)全球首例28nm MCU。該MCU適用于廣泛的車載應用程序，可覆蓋以自動駕駛為對象的傳感器控制、整合化的ECU、以新一代環(huán)保車為對象的高環(huán)保性低燃耗發(fā)動機，以及用于電動汽車的高效率電機逆變器等領域。

　　該28nm MCU與瑞薩現(xiàn)行的40nm MCU相比，可實現(xiàn)最大約4倍以上的程序存儲容量和4倍以上的高性能，能夠滿足新一代車載應用方面的多種要求。比如，通過配備大容量閃存，不僅可極為細致地符合各國的環(huán)保規(guī)定及性能指標要求，而且還可支持以無線方式向安全性更高的控制程序實施更新的技術(Over The Air: OTA)。