碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

CISSOID 公司推出 HADES v2

　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和致動(dòng)器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動(dòng)器 HADES® 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)更高可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場(chǎng)的應(yīng)用需求。　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
關(guān)鍵字： CISSOID MOSFET

聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究

　　摘要：聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機(jī)脫離質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，本文設(shè)計(jì)了一款基于聯(lián)合收獲機(jī)的凹板結(jié)構(gòu)，通過控制線性驅(qū)動(dòng)器對(duì)凹板間隙進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙自動(dòng)調(diào)節(jié)，通過試驗(yàn)研究結(jié)果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實(shí)用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。　　引言　　谷物聯(lián)合收獲機(jī)的作業(yè)性能指標(biāo)，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機(jī)的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
關(guān)鍵字：凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

　　摘要：本文通過對(duì)大唐恩智浦訪問，分析國(guó)產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。　　中國(guó)看世界，汽車電子是一個(gè)經(jīng)久不衰的市場(chǎng);而世界也在看中國(guó), 中國(guó)是否已準(zhǔn)備好在這個(gè)市場(chǎng)上大展宏圖?中國(guó)首個(gè)汽車半導(dǎo)體設(shè)計(jì)合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導(dǎo)體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡(jiǎn)稱：大唐恩智浦)，占盡著天時(shí)、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場(chǎng)呢?通過與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對(duì)其創(chuàng)新理念
關(guān)鍵字：大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504

繼電器相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)及應(yīng)用電路設(shè)計(jì)匯總

　　繼電器是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量(激勵(lì)量)的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。　　極限條件下的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案　　時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
關(guān)鍵字： PIC18F6585 MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125°
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125° C，使更大的設(shè)計(jì)裕量成
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導(dǎo)通電阻和多種可選封裝

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計(jì)師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時(shí)通過減少元件的使用從而減少這些設(shè)計(jì)的電路板空間。　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

　　摘要：在很多消費(fèi)電子設(shè)備中用到了軟啟動(dòng)電路與防反接電路，其保護(hù)作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計(jì)中，這兩種電路獨(dú)立存在，或者僅有一種保護(hù)電路，導(dǎo)致部分保護(hù)功能缺失或者電路設(shè)計(jì)復(fù)雜。本設(shè)計(jì)提出一種設(shè)計(jì)方法，同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)功能，且電路簡(jiǎn)單。　　軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路對(duì)電子設(shè)備有很好的保護(hù)作用，由于消費(fèi)電子客戶存在多次開關(guān)機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，很多設(shè)計(jì)中只提供了一種保護(hù)電路。本文基于提供全面保護(hù)與降低成本、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動(dòng)與防反
關(guān)鍵字：保護(hù)電路軟啟動(dòng) 繼電器 MOSFET 反接電路二極管 201503

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)

　　摘要：本文針對(duì)傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動(dòng)電源。本文選擇了多級(jí)驅(qū)動(dòng)方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級(jí)式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計(jì)，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機(jī)效率，使輸出電流在全負(fù)載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時(shí)增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達(dá)到進(jìn)一步節(jié)能減排的效果。　　引言　　由于具有高光效、長(zhǎng)壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng)電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503

意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。　　意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SCT20N120 MOSFET

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
關(guān)鍵字： LED MOSFET

Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器，以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導(dǎo)通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

　　我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽說單單作為動(dòng)詞，他就有645個(gè)意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想，功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過后，當(dāng)回到辦公室開始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí)，我想到看起來簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜，還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。　　熱插拔電路使用一個(gè)功率
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔控制器

德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì)，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.ti.co
關(guān)鍵字：德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B

中國(guó)成功研制國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬(wàn)片

　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　不久前，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　第三代半導(dǎo)體材料　　研究人員告訴記者，上世紀(jì)
關(guān)鍵字：碳化硅晶片