碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650

Fairchild推出新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)SupreMOS?新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET&trade
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET

FPGA助工業(yè)電機(jī)節(jié)能增效

　　在美國(guó)，工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域AC電機(jī)所用的電能占全國(guó)的2/3以上。在許多應(yīng)用中，AC電機(jī)或被關(guān)斷或以全速運(yùn)作，而通過(guò)為電機(jī)添加變速控制功能，就能夠在標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟/關(guān)斷控制下實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號(hào)FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率AC電機(jī)控制系統(tǒng)，可大幅降低電機(jī)的功耗。　　電機(jī)無(wú)處不在　　今天，電機(jī)用于各類應(yīng)用中，然而，很少有人意識(shí)到電機(jī)在使用中對(duì)環(huán)境帶來(lái)怎樣的影響。專家估計(jì)，在美國(guó)，電機(jī)所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機(jī)功耗占工業(yè)應(yīng)用的70%，占商業(yè)應(yīng)用電能的45%，占住宅應(yīng)用電能的42%。
關(guān)鍵字： FPGA PWM MOSFET

IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。　　這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過(guò)非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長(zhǎng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
關(guān)鍵字： IR MOSFET UPS 溝道

Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench® 工藝技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。通過(guò)降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設(shè)計(jì)的效率，并延長(zhǎng)電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護(hù)功能，以保護(hù)器件免受ESD事件
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ

D類放大器：低功耗高效率推動(dòng)大規(guī)模普及

　　D類放大器的應(yīng)用范圍非常廣泛，隨著技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。針對(duì)其在器件成本、EMI等方面的問(wèn)題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。　　D類放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應(yīng)用普及過(guò)程中的問(wèn)題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時(shí)，集成技術(shù)也是一個(gè)不容忽視的趨勢(shì)。　　轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段　　三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個(gè)新技術(shù)的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過(guò)低
關(guān)鍵字： ADI D類放大器 MOSFET EMI

集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點(diǎn)

　　上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉(zhuǎn)換器來(lái)驅(qū)動(dòng)內(nèi)核、存儲(chǔ)器、外設(shè)或通用系統(tǒng)組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調(diào)節(jié)器。　　大多數(shù)MID和智能手機(jī)使用各種功率管理單元(PMU)來(lái)實(shí)現(xiàn)功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過(guò)去一年來(lái)，上網(wǎng)本市場(chǎng)經(jīng)歷了前所未有的增長(zhǎng)，供應(yīng)商正在積極開(kāi)發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數(shù)上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預(yù)計(jì)將轉(zhuǎn)向包含有控制器+MOS
關(guān)鍵字：上網(wǎng)本 PMU MOSFET

集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求

　　上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲(chǔ)器供電。MPS針對(duì)上網(wǎng)本對(duì)電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的一系列電路控制策略、半導(dǎo)體集成工藝以及封裝技術(shù)。　　MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動(dòng)和MOSFET完全集成在一個(gè)芯片中。和大多數(shù)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個(gè)硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來(lái)的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開(kāi)關(guān)頻率，減小電容
關(guān)鍵字： MPS 電源管理 MOSFET 上網(wǎng)本

英飛凌再度稱雄功率電子市場(chǎng)

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場(chǎng)增長(zhǎng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(zhǎng)率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場(chǎng)上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場(chǎng)份額。　　隨著汽車、消費(fèi)和工
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT MOSFET

IR推出150V和200V MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。　　與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器

Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件

　　Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對(duì)于需要一對(duì)互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)洌珼MC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動(dòng)器

IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

飛兆半導(dǎo)體推出一款單一P溝道MOSFET器件

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD

ST公布今年第二季度及上半年財(cái)報(bào)

　　意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財(cái)務(wù)報(bào)告。　　意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計(jì)19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛(ài)立信移動(dòng)平臺(tái)的全部業(yè)務(wù)，和1800萬(wàn)美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場(chǎng)以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國(guó)和亞太地區(qū)的需求增長(zhǎng)強(qiáng)勁。因?yàn)樯虡I(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場(chǎng)以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場(chǎng)和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。　　總裁兼首席執(zhí)行官 Car
關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無(wú)線寬帶

半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)

　　通用測(cè)試　　電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。　　這類測(cè)量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測(cè)量評(píng)測(cè)新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測(cè)量對(duì)于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
關(guān)鍵字：吉時(shí)利 C-V測(cè)試半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP