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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

  • 　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應(yīng)用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時間長(或動態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時間減小。 　　采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

  • 　　AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因： 　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。 　　·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。 　　·驅(qū)動器工作在不同的溫度。 　　·調(diào)整單個放大器偏壓時存在誤差。 　　·老化引起的閾值電壓長期漂移。 　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

  • 　　對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883

  • 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應(yīng)用而設(shè)計，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設(shè)備的負載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)
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什么是MOSFET

  • “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。 　　MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MO
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)

  • 　　我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。 　　發(fā)動機不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個汽車系統(tǒng)提供動力?，F(xiàn)在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn)，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
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開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點

  • 上世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負載點(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
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Maxim推出內(nèi)置低導(dǎo)通阻抗開關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調(diào)節(jié)器

  • 　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調(diào)節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內(nèi)置開關(guān)可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內(nèi)部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現(xiàn)的。在低壓應(yīng)用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現(xiàn)完全導(dǎo)通，相比較而言，內(nèi)部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導(dǎo)通阻抗，可以以超過1M
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究

  • 　　l 前言 　　絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。 　　有源電力濾波器設(shè)計中應(yīng)用4個IGBT作為開關(guān)，并用4個EXB84l組成驅(qū)動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號處理器(DSP
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電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展

  • 　　全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應(yīng)用到整機產(chǎn)品中。在整機市場產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數(shù)的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預(yù)計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復(fù)合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

  • 　　功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 　　電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  半導(dǎo)體材料  

功率模塊市場增長 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

  • 　　功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導(dǎo)體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應(yīng)用領(lǐng)域。全球各大廠商也不失時機地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場高地。 　　發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫 　　目前，我國功率半導(dǎo)體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復(fù)和超快恢復(fù)二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  功率  半導(dǎo)體  VD-MOSFET  模擬IC  電源  
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碳化硅 mosfet介紹

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