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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

瑞能半導體CEO:碳化硅驅動新能源汽車邁入“加速時代”

  • 日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導體原廠和設備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導體領域高管和領袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來趨勢和挑戰(zhàn)，分享他們如何在迅速創(chuàng)新和變化的行業(yè)中推動技術進步。ISES通過推動整個微電子供應鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機會，為半導體制造業(yè)賦能，促進中國半導體產業(yè)的發(fā)展。在峰會以“寬禁帶功率半導體在汽車應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
  • 關鍵字： 瑞能  ISES CHINA 2023  碳化硅  新能源汽車  

2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

  • 2023年，中國化合物半導體產業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  

SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
  • 關鍵字： 電動汽車  逆變器  SiC  MOSFET  

25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導體業(yè)務

  • IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導體產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
  • 關鍵字： 三星  SiC  

英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導體供應長約

  • 英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已達成戰(zhàn)略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議，以確保功率半導體的供應。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會出資支持英飛凌的產能建設與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
  • 關鍵字： 英飛凌  現(xiàn)代  起亞  碳化硅  硅功率模塊  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

三星人事變動，瞄準碳化硅！

  • 10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監(jiān)督SiC功率半導體業(yè)務，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產業(yè)生態(tài)圈和學術界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務的時候也曾提
  • 關鍵字： 三星  碳化硅！  

SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
  • 關鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導體  

SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
  • 關鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

東芝在SiC和GaN的技術產品創(chuàng)新

  • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
  • 關鍵字： 202310  東芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

  • ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
  • 關鍵字： 202310  意法半導體  SiC  GaN  

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用

  • 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數(shù)（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
  • 關鍵字： 202310  SiC  安森美  

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產業(yè)發(fā)展趨勢

  • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
  • 關鍵字： ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產  

中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導體晶圓廠

  • 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產業(yè)網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
  • 關鍵字： 晶圓  碳化硅  第三代半導體  

圖騰柱無橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

  • 效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結構來更好地實現(xiàn)這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
  • 關鍵字： 安森美  PFC  SiC  電源密度  
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碳化硅（sic）介紹

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