碳化硅(sic) 文章 進入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
三次油電平價 促成中國電動市場的大爆發(fā)
- 大家應(yīng)該還記得,當遭受國補退坡重創(chuàng)的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元氣,開始走出國補退坡的陰影時,市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動汽車,當時的電動車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu):便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型(包括部分B級車和C級車)賣得很好,但在10-30萬的主流區(qū)間,電動車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺,歷時五年的時間,A00車已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來,市場格局風云變幻,正如歐
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特斯拉虛晃一槍,碳化硅高速邁進
- 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺再被關(guān)注,在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下,業(yè)界在一次次的探討中,逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會,并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中,DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動,以及A級純電車型動力總成解決方案,目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
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特斯拉降低造車成本,國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍?
- 在國內(nèi)新能源車市場,特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”,一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日,“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章(Master Plan Part 3)”,其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊,引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年,碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置,相關(guān)概念在資本市場上也一度受到熱捧,更具戲劇性的是,特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今,特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn),背后的真實意圖是什么?將會對國內(nèi)新能
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適用于運輸領(lǐng)域的SiC:設(shè)計入門
- 簡介在這篇文章中,作者分析了運輸輔助動力裝置(APU)的需求,并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙(WBG)材料?對于任何電力電子工程師來說,必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學原理,以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時的電阻無窮大,導(dǎo)通時的電阻為零,并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看,由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件,因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長約
- 據(jù)外媒報道,知名汽車電子廠商采埃孚(ZF)近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應(yīng)數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱,到2030年,采埃孚在電動汽車領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計將超過300億歐元,公司高管Stephan von Schuckmann表示,為了應(yīng)對蓬勃增長的需求,采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?!霸? 意法半導(dǎo)體,我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商,其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求,最重要的是,該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導(dǎo)體汽車和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長約,全球碳化硅市場高速成長
- 據(jù)外媒報道,近日,德國汽車Tier-1廠商采埃孚(ZF)和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體(ST)共同發(fā)布新聞稿稱,雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款,采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件,滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu),這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前,采埃孚的在手訂單(到2023年)金額總計超過300億歐元(約合人民幣2274億元),其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企,該車企計劃2025年
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碳化硅風頭正勁,小心!氧化鎵蓄勢待發(fā)
- 近期,媒體報道進化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉,進化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè),創(chuàng)立于2021年5月,專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求,半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”
- 4月7日,中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會在長沙成立,將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間,第一財經(jīng)記者獲悉,汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會,降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵;三安光電用于電動車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”?! ∑嚱Y(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會 有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示,一輛電動車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作,同時維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化,可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能??稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1
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功率半導(dǎo)體市場需求攀升,盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購訂單
- 今日,盛美上海宣布,首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。盛美上海指出,該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商,預(yù)計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前,以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展,其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉,碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造,而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱,以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導(dǎo)體需求的增加
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連接與電源:新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- 3月下旬,全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進展。Matter出世,化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實,但要將數(shù)以百億計的設(shè)備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘,Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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SiC功率半導(dǎo)體市場分析;廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,年成長41.4%。與此同時,受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)??赏_53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
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GaN 出擊
- 自上世紀五十年代以來,以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝,盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料,但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)受到大眾關(guān)注。近段時間,GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日,英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems,交易總值 8.3 億美元(約 57.3 億人民幣)。根據(jù)公告,英飛凌計劃
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設(shè)備功率模塊
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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