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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展

  • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會上，來自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩(wěn)以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。 新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域，特別是在中國這個全球產銷第一的市場，2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額，最大的驅動力是來自于新能源車和電動車?？梢灶A想，隨著政府和車廠的支持，電動車未來幾年會迎
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  電動汽車  無人駕駛  

Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長期碳化硅供應協(xié)議

  • 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
  • 關鍵字： Qorvo  SK Siltron CSS  碳化硅  

SEMICON China | 探討熱點與前沿技術 ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

  • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  InP  

SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

  • 當前，全球主要國家和地區(qū)都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)哟罅炕A設施建設，因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業(yè)的“碳達峰”路徑有差異，但總體實現(xiàn)時間將較為接近。在中國，這個時間節(jié)點是2030年之前。當然，“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領域，一方面是重點企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實現(xiàn)“碳達峰”，另一方面也需要圍繞重點企業(yè)的產業(yè)鏈上下游全面實現(xiàn)能耗降低。對于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
  • 關鍵字： Mouser  SiC  

捷豹路虎與 Wolfspeed 合作，為下一代電動汽車引入碳化硅半導體技術

  • ·        在“重塑未來”戰(zhàn)略指引下，捷豹路虎正在向電動化優(yōu)先轉型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實現(xiàn)凈零碳排放·        與 Wolfspeed 的戰(zhàn)略合作將確保碳化硅（SiC）半導體技術的供應，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現(xiàn)、路虎?衛(wèi)士、捷豹汽車電動化的重要組成部分·      &
  • 關鍵字： 捷豹路虎  Wolfspeed  電動汽車  碳化硅  

碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅動技術助力實現(xiàn)“萬物電氣化”

  • 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  電源管理  可配置數(shù)字柵極驅動  萬物電氣化  

士蘭明鎵SiC功率器件生產線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功

  • 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據了解，2017年12月1
  • 關鍵字： 士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件  

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率

  • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統(tǒng)熱性能，進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
  • 關鍵字： TI  功能安全  柵極驅動器  SiC  逆變器  

電動汽車東風起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

  • 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業(yè)，其動態(tài)是行業(yè)的重要風向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級碳化硅產品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠，以生產為電動汽
  • 關鍵字： 碳化硅  電源管理芯片  

第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產業(yè)化進程

  • 2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產能規(guī)模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務加速拓
  • 關鍵字： 基本半導體  代半導體  碳化硅  

第三代半導體擴產，硅的時代要結束了嗎

  • 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
  • 關鍵字： 貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

安森美慶祝在新罕布什爾州擴張?zhí)蓟韫S

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅工廠  SiC  
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碳化硅（sic）介紹

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