SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。

SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能見(jiàn)彩虹。險(xiǎn)境豈不益堅(jiān)，不墜青云之志！產(chǎn)業(yè)目前雖然經(jīng)歷了風(fēng)雨，但前景依然向好。預(yù)計(jì)到2030年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)突破一萬(wàn)億美元。而化合物半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體是引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力，在新能源汽車等各種各樣新的應(yīng)用上的機(jī)會(huì)非常大。預(yù)祝今天論壇取得重大成功，再次感謝大家參會(huì)?！?/span>

蘇州能訊總裁張乃千就《Extending The Frontiers of GaN RF Technology》做了主題演講。GaN 是 Sub-6GHz 基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)技術(shù)；GaN在毫米波、小型蜂窩、射頻領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，GaN是智能手機(jī)、6G通信、互聯(lián)網(wǎng)最有希望的候選者之一。能訊通過(guò)強(qiáng)大的IP組合和質(zhì)量保證為營(yíng)銷提供一流的技術(shù)匹配，為 5G 基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療等提供創(chuàng)新、一致的產(chǎn)品和解決方案。

廣東芯聚能總裁周曉陽(yáng)分享了《碳化硅助力新能源汽車發(fā)展》的主題演講。新能源汽車是 SiC功率器件的主要應(yīng)用場(chǎng)景，在主驅(qū)逆變器、OBC、以及直流充電樁模塊中，SiC MOSFET 有望對(duì) Si IGBT 加速替代。目前功率器件壽命可靠性薄弱點(diǎn)主要是鋁線鍵合工藝，有壓銀燒結(jié)可有效提高器件導(dǎo)熱效率，同時(shí)穩(wěn)定的連接界面也可以實(shí)現(xiàn)更高壽命可靠性。

江南大學(xué)教授敖金平探討了《氮化鎵射頻功率器件的研究與應(yīng)用》。GaN是可以兼顧功率、耐壓和速度的半導(dǎo)體, 氮化鎵射頻功率放大器是移動(dòng)通信基站（5G和6G）通信時(shí)代的核心器件。已開(kāi)發(fā)出sub-6G，5W和10W的射頻功放器件，計(jì)劃在2022年將射頻器件工作頻率提高至28GHz。

中科漢韻董事長(zhǎng)袁述帶來(lái)了《碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)》的主題演講。隨著電動(dòng)汽車電壓從400V轉(zhuǎn)為800V，汽車制造商對(duì)SiC MOSFET的需求將增加，而進(jìn)口SiC MOSFET供不應(yīng)求且價(jià)格昂貴。SiC MOSFET可靠性和穩(wěn)定性最終都是與接口狀態(tài)和近界面氧化物電荷結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)和過(guò)程控制至關(guān)重要。本次演講介紹了SiC MOSFETs的應(yīng)用、市場(chǎng)機(jī)會(huì)和市場(chǎng)挑戰(zhàn)。

百識(shí)電子總經(jīng)理宣融探討了《碳化硅外延與晶圓制造技術(shù)》。他指出，碳化硅是國(guó)內(nèi)功率器件重要的起飛賽道，主要應(yīng)用于新能源汽車/光伏逆變器芯片等等 。量產(chǎn)制造是碳化硅芯片加速滲透應(yīng)用市場(chǎng)的重要關(guān)鍵，碳化硅外延片的厚度、濃度缺陷將直接影響到芯片的良率穩(wěn)定性。本次演講介紹了碳化硅應(yīng)用前景、供應(yīng)鏈現(xiàn)況、外延片量產(chǎn)工藝與芯片良率，為碳化硅芯片國(guó)產(chǎn)化盡份心力。

常州臻晶董事長(zhǎng)陸敏深入剖析了《液相法碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)》。液相法是碳化硅長(zhǎng)晶三大技術(shù)之一，比起PVT和HTCVD，液相法具有擴(kuò)徑容易、Al摻雜容易、長(zhǎng)晶速度大、良率高的優(yōu)勢(shì)。液相法在中國(guó)、日本、韓國(guó)均有不同程度的進(jìn)展，陸博士分析認(rèn)為液相法的產(chǎn)業(yè)化將對(duì)行業(yè)帶來(lái)的諸多鉅惠沖擊。

博世中國(guó)區(qū)汽車電?戰(zhàn)略部負(fù)責(zé)?Sebastian Mueller分享了《博世半導(dǎo)體賦能汽車電動(dòng)化發(fā)展》。由SiC制成的微芯片以較低的損耗切換高電流，從而為電子移動(dòng)性提供更多優(yōu)勢(shì)。SiC可用于NEV逆變器、OBC、DC/DC和充電樁，并為未來(lái)的800V NEV系統(tǒng)趨勢(shì)帶來(lái)比當(dāng)前主流400V系統(tǒng)更多的優(yōu)勢(shì)。博世SiC的核心優(yōu)勢(shì)在于：汽車級(jí)可靠性、內(nèi)部6英寸和8英寸制造廠生產(chǎn)、核心IP及專有技術(shù)。

青島四方思銳智能銷售總監(jiān)葉惟解析了《ALD在功率化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)新突破》。與大多數(shù)功率及化合物半導(dǎo)體器件相關(guān)的核心挑戰(zhàn)，皆與表面缺陷和高質(zhì)量共形電介質(zhì)柵極以及表面鈍化層的沉積有關(guān)。原子層沉積（ALD）工藝由于沉積膜的致密、共形和無(wú)針孔特性，在解決此類制造挑戰(zhàn)方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，從而ALD技術(shù)廣泛應(yīng)用于功率及化合物半導(dǎo)體制造。

Thermo Fisher Scientific市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展資深經(jīng)理曹瀟瀟在《利用電學(xué)及物性分析對(duì)SiC及GaN器件的性能及良率提升》的演講中提出，“摩爾定律”技術(shù)通常要求更高的功率效率操作頻率和更嚴(yán)格的設(shè)備環(huán)境，這對(duì)傳統(tǒng)的硅基技術(shù)提出了越來(lái)越大的挑戰(zhàn)。消除或減少外延生長(zhǎng)期間的晶體缺陷是提高器件產(chǎn)率和可靠性的關(guān)鍵。

應(yīng)用材料ICAPS副總裁兼總經(jīng)理原錚就《PPACt賦能下一代功率電子》發(fā)表演講。作為材料工程解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，應(yīng)用材料公司領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品組合能夠幫助客戶加速推進(jìn)‘新戰(zhàn)略’，提高芯片的功率（Power）、性能（Performance），降低面積成本（Area-Cost）和上市時(shí)間（Time-to-market），即：業(yè)內(nèi)經(jīng)常會(huì)提到的PPACt，以釋放物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能的潛力。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司胡琛圍繞《氮化鎵（GaN）集成電路可以實(shí)現(xiàn)更高的功率和更快的速度 — 探討GaN集成電路的進(jìn)程和路線圖》展開(kāi)演講。本次演講介紹了eGaN?FET Plus 驅(qū)動(dòng)器的集成，eGaN功率級(jí)集成等。GaN集成的優(yōu)勢(shì)在于可以提高效率，降低EMI，降低組件數(shù)，縮短設(shè)計(jì)時(shí)間以及降低成本等。

北方華創(chuàng)副總裁兼CVD事業(yè)部總經(jīng)理董博宇通過(guò)探討《碳化硅產(chǎn)業(yè)裝備解決方案》提出，SiC器件的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在高功率、高壓、高頻、高溫等應(yīng)用領(lǐng)域，其在新能源、汽車電子、軌道交通、智能制造等方面具有重要意義。北方華創(chuàng)具備6寸4H-N型與4寸4H高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)工藝，晶體參數(shù)滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。北方華創(chuàng)在GaN裝備領(lǐng)域布局廣泛，各個(gè)裝備在國(guó)內(nèi)主流生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，可以為客戶提供全面的GaN產(chǎn)品解決方案。

中電科十三所的孫聶楓教授帶來(lái)了《InP產(chǎn)業(yè)的新趨勢(shì)和發(fā)展》的演講。InP是一種戰(zhàn)略性化合物半導(dǎo)體材料，是微電子領(lǐng)域100GHz以上頻段的首選材料，同時(shí)也是激光器及光電集成電路等不可替代的核心材料。合成的工藝性強(qiáng)、難度大是InP材料價(jià)格居高不下的主要原因之一。中電科十三所自主研制了國(guó)際最大口徑多功能高壓?jiǎn)尉t，開(kāi)創(chuàng)了雙管注入合成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了國(guó)際上合成速度最快、合成量最大、純度最高的InP多晶。

AIXTRON中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理方子文就《化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)技術(shù)》展開(kāi)討論。寬帶隙滲透加速的實(shí)現(xiàn)，以及汽車電氣化和電動(dòng)汽車對(duì)碳化硅的需求，使氮化鎵和碳化硅的市場(chǎng)增長(zhǎng)正在持續(xù)發(fā)生，AIXTRON間歇式反應(yīng)器技術(shù)，可以滿足所有傳統(tǒng)和新的生產(chǎn)提升要求，以強(qiáng)大的提升能力滿足未來(lái)幾年的市場(chǎng)需求。

KLA Corporation產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理蔡曉林就《提高汽車芯片的可靠性》展開(kāi)論述。半導(dǎo)體器件已成為當(dāng)今汽車市場(chǎng)的關(guān)鍵部件。對(duì)于車輛的安全性和功能性而言，芯片的可靠性至關(guān)重要。零缺陷和擁有比汽車更持久的使用壽命，成為了汽車芯片必須突破的關(guān)卡。

天岳先進(jìn)營(yíng)銷總監(jiān)李宛曈闡述了《寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與未來(lái)展望》。以碳化硅為代表的新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有耐高溫、抗高壓、開(kāi)關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)其發(fā)展開(kāi)始受到重視，國(guó)內(nèi)外相關(guān)企業(yè)紛紛投入到寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化中。本次演講通過(guò)材料特性、應(yīng)用領(lǐng)域、市場(chǎng)容量、未來(lái)展望四個(gè)方面，詳細(xì)分析了寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)前景。

SPTS Technologies技術(shù)支持經(jīng)理陳怡駿圍繞《功率應(yīng)用中SiC器件的等離子體蝕刻和沉積工藝》發(fā)表演講。電壓范圍650V（電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器）到幾千伏（軌道和風(fēng)力渦輪機(jī)）。預(yù)計(jì)到2027年，電動(dòng)汽車的碳化硅將達(dá)到50億美元。隨著對(duì)高壓操作設(shè)備的不斷增長(zhǎng)的需求，特別是電動(dòng)汽車的增長(zhǎng)，已經(jīng)導(dǎo)致越來(lái)越多的SiC和GaN基功率設(shè)備的采用。盡管來(lái)自硅基功率器件的持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)，但高效率、耐惡劣環(huán)境和快速開(kāi)關(guān)時(shí)間使SiC MOSFET成為電力牽引的理想選擇。

Axcelis Technologies產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)趙洪辰在《通過(guò)創(chuàng)新的離子注入解決方案助力功率和化合物半導(dǎo)體器件大規(guī)模量產(chǎn)》的演講中提到，隨著強(qiáng)勁的需求推動(dòng)制造量的增加，SiC器件的制造最終過(guò)渡到真正的大批量制造（類似于80年代至90年代的Si過(guò)渡）。Axcelis為解決傳統(tǒng)瓶頸而推出的新型高生產(chǎn)率工具組合（尤其是大電流和高能注入機(jī)）有助于實(shí)現(xiàn)SiC生產(chǎn)向真正的大批量生產(chǎn)的轉(zhuǎn)變。

安徽芯塔電子的應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)李冬黎分析了《國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件和產(chǎn)業(yè)鏈在新能源時(shí)代下的機(jī)遇》。在全球石化能源危機(jī)，及碳達(dá)峰與碳中和的雙碳戰(zhàn)略下，新型高功率、高效率和高頻率功率器件迎來(lái)巨大的市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)使命，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件在新能源發(fā)電、儲(chǔ)能和新能源汽車等新興領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。