碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

安森美選址捷克共和國(guó)打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

●? ?安森美 (onsemi) 將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛?lái)先進(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長(zhǎng)的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國(guó)政府合作制定激勵(lì)方案，以支持投資計(jì)劃落實(shí)●? ?該投資將成為捷克共和國(guó)歷史上最大的私營(yíng)企業(yè)投資項(xiàng)目之一，屬于對(duì)中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車(chē)空調(diào)、新能
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低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo)，從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講，
關(guān)鍵字：低導(dǎo)通電阻 SiC 大電流高功率

SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是，雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來(lái)了更高的復(fù)雜性。對(duì)于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō)，準(zhǔn)確測(cè)量外延層生長(zhǎng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來(lái)自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開(kāi)發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
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設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電機(jī)

電動(dòng)汽車(chē)（EV）直流快速充電機(jī)繞過(guò)安裝在電動(dòng)汽車(chē)上的車(chē)載充電機(jī)，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類(lèi)系統(tǒng)時(shí)，必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù)，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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解決補(bǔ)能焦慮，安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布

800V車(chē)型刷屏，高壓SiC車(chē)載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上，近期有越來(lái)越多的國(guó)內(nèi)外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構(gòu)車(chē)型的量產(chǎn)，多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車(chē)型上市。2024年，隨著車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來(lái)800V高壓平臺(tái)風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車(chē)主流電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅(qū)方案部門(mén)產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購(gòu)買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備通過(guò)技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評(píng)審。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國(guó)內(nèi)大尺寸晶體生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級(jí)熱分析

本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆裸片在連續(xù)工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證，該測(cè)溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一個(gè)數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測(cè)當(dāng)逆變器工作在電動(dòng)汽車(chē)常用的電壓和功率范圍內(nèi)時(shí)的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間，以便分析在電動(dòng)汽車(chē)生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗(yàn)收

作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比，其上?；仨?xiàng)目似乎更受關(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目披露了最新進(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個(gè)項(xiàng)目完成驗(yàn)收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進(jìn)上海基地項(xiàng)目最初于2021年第二季度備案和申報(bào)，規(guī)劃投資25億元，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，上海基地項(xiàng)目有望讓天岳先進(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地●? ?這項(xiàng)多年長(zhǎng)期投資計(jì)劃預(yù)計(jì)投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計(jì)劃，在一個(gè)園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺(tái)和SiC功率器件的推廣應(yīng)用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程、減少充電停車(chē)次數(shù)、同時(shí)降低OEM廠商的系統(tǒng)級(jí)成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統(tǒng)的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

●? ?意法半導(dǎo)體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅(qū)能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)節(jié)能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導(dǎo)體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng)）、高級(jí)駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
關(guān)鍵字： ST 吉利汽車(chē) SiC

吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程，深化新能源汽車(chē)轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車(chē)載信息娛樂(lè)、智能座艙系統(tǒng)）、
關(guān)鍵字： SiC ADAS 新能源汽車(chē)