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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第 1 代核顯

臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設,未來或切入1.4nm

  • 據中國臺灣經濟日報報道,臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為,臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。報道指出,臺積電打破在不同產區(qū)同時生產最先進制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。此前據TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中
  • 關鍵字: 臺積電  2nm  1.4nm  

芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持

  • Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)接續(xù)著連接標準聯盟(CSA,Connectivity Standards Alliance)宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新?;谝荒赀M行兩次更新的步調,可以幫助開發(fā)者引入新的設備類型,將Matter擴展到新的市場,同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進。Matter協議旨在利用Wi-Fi和Thread等現有的IP網絡技術來實現智能家居設備的互聯互通,以建立一種新的開放
  • 關鍵字: 芯科  Matter 1.2  

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

  • ●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節(jié)點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現具有挑戰(zhàn)性的制造工藝,需要進行工藝調整。為應對這些挑戰(zhàn),我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版,以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標金屬間距
  • 關鍵字: 半大馬士革  后段器件集成  1.5nm  SEMulator3D  

蘋果承認部分 iPhone 15 機型存在燒屏問題,iOS 17.1 將修復

  • 10 月 18 日消息,蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新,特別針對蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機型,修復了“可能導致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機以來,陸續(xù)有用戶反饋稱新款機型出現嚴重燒屏問題。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題,現在蘋果通過軟件方式修復了燒屏問題。雖然大多數顯示問題的報告來自“iPhone 15”用戶,但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設備的用戶看到了類似的問題,
  • 關鍵字: 蘋果  iPhone 15  iOS 17.1  燒屏  

大聯大友尚集團推出基于onsemi產品的PD3.1電源適配器方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯大友尚基于onsemi產品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協議的頒布,快充技術也迎來了新的時代。相比于之前主流的PD3.0標準,PD3.1標準不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓,還將最大輸出功率由100W提升至240W,這突破了現有的大功率使用場景,
  • 關鍵字: 大聯大友尚  onsemi  PD3.1  電源適配器  

英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯:每瓦性能翻倍

  •  9 月 20 日消息,在今天舉辦的英特爾 ON 技術創(chuàng)新峰會上,英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代(代號:Meteor Lake)的核顯升級。據介紹,英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG,相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外,新一代核顯有更高的頻率,同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進行了優(yōu)化,支持倍幀功能,支持新特性“Out of Order Sampling”。此外,英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎,支持最
  • 關鍵字: 英特爾  酷睿  Ultra  第 1 代核顯  

貿澤開售適合LTE IoT 應用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件。該套件預裝了三個月的蜂窩數據服務,已提前激活并可隨時使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調制解調器,設計師可以省去耗時、昂貴的FCC和運營商終端設備認證過程,將先進的LTE蜂窩連接快速集成到其設備和應用中。通過貿澤供應的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件,用戶
  • 關鍵字: 貿澤  LTE IoT  GNSS LTE CAT 1  

Bourns推出高壓二電極氣體放電管(GDT) 符合IEC 62368-1設備和電子線保護

  • 2023年8月14日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,正式推出其新一代氣體放電管 (GDT) 產品線的最新成員,引入了高電壓雙極過壓保護器家族。Bourns? GDT28H 系列產品旨在滿足當今通用工業(yè)用電力設備的保護需求,同時也應對不斷增長的能源需求電氣化解決方案的迫切需求,完全滿足消費者和商業(yè)用途。隨著市面上眾多的電氣和電子設備均要求符合 IEC 62368-1 等電氣安全標準,GDT28H 系列的顯著優(yōu)勢之一在于其適用于交流電隔離解決方案。這需要通
  • 關鍵字: Bourns  氣體放電管  GDT  IEC 62368-1  電力線保護  

如何將1-Wire主機復用到多個通道

  • 摘要具有許多1-Wire節(jié)點的1-Wire?網絡可能需要專用1-Wire通道。本文討論了一種在網絡中只使用一個1-Wire主機而擁有多個1-Wire通道的方法。?簡介1-Wire網絡最初設計用于與單條1-Wire總線上的單個1-Wire主機和多個1-Wire節(jié)點進行通信。對于1-Wire網絡,理想的拓撲是包含不重要分支線的線性拓撲。然而,包含長分支線的星形拓撲常常是不可避免的,導致確定有效限制的難度加大。解決這些難題的一種方法是利用模擬多路復用器(mux)將星形拓撲分解成許多通道。使用多個通道的
  • 關鍵字: 1-Wire主機  ADI  

基于FPGA的8K分屏器設計

  • 設計了一款8k分屏器,主控采用FPGA芯片,支持一路HDMI2.1、8k、60 Hz信號輸入;支持4路HDMI2.0、4k、60 Hz信號輸出;分屏器支持將輸入的8k信號進行“田”字型切片處理,輸出4路4k信號,這4路4K信號的畫面拼接起來就是1幅完整的8k畫面。
  • 關鍵字: 202307  8K分屏器  1進4出  HDMI2.1  

三星宣布開始量產其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案

  • 今日,三星電子宣布,已開始量產為車載信息娛樂系統(IVI)優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗,可助力汽車制造商為消費者打造優(yōu)秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求,三星的UFS 3.1(通用閃存)將推出128、256和512千兆字節(jié)(GB)三種容量。在未來的汽車(電動汽車或自動駕駛汽車)應用中,增強的產品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中,256GB容量的產品,功耗較上一代產品降低了約33%,還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序寫入速度和2000MB/
  • 關鍵字: 三星  車載UFS 3.1  存儲器  

凌陽與WiSA Technologies實現高達7.1.4的Atmos條形音箱應用

  • 美國俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設備和下一代家庭娛樂系統提供沉浸式無線聲效技術的領先供應商WiSA Technologies股份有限公司(NASDAQ股票代碼:WISA),與領先的多媒體和汽車應用芯片供應商凌陽科技(Sunplus Technology Co., Ltd,TWSE股票代碼: 2401)聯合宣布,雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場推出多聲道沉浸式音頻系統級芯片(SoC)?!拔覀兎浅8吲d與WiSA Technologies攜手
  • 關鍵字: 凌陽  WiSA Technologies  7.1.4  Atmos  條形音箱  

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設計

  • 更大容量電池需具備相同或更快充電時間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓, USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范,使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設計USB PD適配器和充電器時,要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標準,并考慮小型化設計以配合移動便攜式設備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準諧振 (QR)控制器所構成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
  • 關鍵字: USB PD3.1 EPR  適配器  安森美  

Flex Power Modules將1/4磚型DC/DC轉換器的額定功率提升至1600W(連續(xù))、2320W(峰值)

  • Flex Power Modules,其1/4磚非隔離式DC/DC轉換器系列引入了一款新產品,可將功率密度提升至新的水平。這款BMR351具有40-60 V的輸入電壓范圍,并提供標稱值為12.2 V的非隔離但完全穩(wěn)壓的輸出電壓。其額定輸出電流為連續(xù)136 A(最大1600 W),并可在長達500 ms下輸出峰值電流200 A(最大2320 W)。該轉換器擁有極高的效率水平,峰值超過 98%,在54 Vin和半負載下的典型值為97.8%。BMR351轉換器使用下垂負載并聯技術以獲取更高功率,它還包含一個用于
  • 關鍵字: Flex Power Modules  1/4磚型  DC/DC轉換器  

開始1-γ芯片制程開發(fā)?美光日本廠擬引入ASML光刻機

  • 知情人士稱,美國美光科技公司準備在日本廣島的工廠安裝荷蘭ASML公司的先進芯片制造設備EUV(極紫外光刻機),以制造下一代存儲芯片(DRAM)。而其也將獲得日本政府提供的約2000億日元(15億美元)的補貼。日本經濟產業(yè)大臣西村康稔之后證實了美光在日的進一步投資。他指出,日本政府正與臺積電討論擴大在日投資的可能性,美光也有意在廣島開始大規(guī)模生產先進存儲芯片。今日(周四),日本首相岸田文雄會見了美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在內的芯片高管代表團,而有關芯片的詳細計劃可能在之后陸續(xù)宣布。自201
  • 關鍵字: 1-γ  芯片制程  美光  ASML  光刻機  
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第 1 代核顯介紹

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