第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動(dòng)方法。　　2. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下：　　其主要特性如下：　　? 總?cè)萘?/li>
關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA

支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達(dá)到最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求：用于照明、智能電表、移動(dòng)充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本
關(guān)鍵字： 950 V CoolMOS P7 超結(jié)MOSFET器件全新半導(dǎo)體

全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國(guó)大陸無一上榜

　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國(guó)大陸暫時(shí)沒有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
關(guān)鍵字： DRAM NAND

高云半導(dǎo)體公司發(fā)布基于晨熙家族FPGA的RISC-V微處理器早期使用者計(jì)劃

　　中國(guó)廣州，2018年8月16日，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商——廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(如下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”)，今日宣布發(fā)布基于高云半導(dǎo)體FPGA的RISC-V微處理器早期使用者計(jì)劃，該計(jì)劃是基于晨熙家族 GW2A 系列FPGA芯片的包括系統(tǒng)級(jí)參考設(shè)計(jì)的FPGA編程BIT文件、GW2A開發(fā)板等的完整解決方案，其中系統(tǒng)級(jí)參考設(shè)計(jì)包括RISC-V MCU內(nèi)核、AHB & APB總線、存儲(chǔ)器控制單元及若干外設(shè)。　　RISC-V作為指令集體系結(jié)構(gòu)(ISA)的開放規(guī)范，RISC-V ISA設(shè)
關(guān)鍵字：高云 FPGA RISC-V

IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢(shì)在下半年還會(huì)繼續(xù)，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)出貨量增長(zhǎng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。　　集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢(shì)的報(bào)告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
關(guān)鍵字： NAND SSD

X86沒戲？歐洲百億億次超算或由Arm與RISC-V扛大旗

今年，歐洲不斷為推進(jìn)自研超計(jì)算機(jī)微處理器加碼。
關(guān)鍵字： X86 Arm RISC-V

中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

　　今年下半年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。　　目前，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)?！　〗趥鞒龊戏书L(zhǎng)鑫投產(chǎn)8
關(guān)鍵字： NAND DRAM

三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價(jià)

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計(jì)高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國(guó)平澤工廠以及中國(guó)西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報(bào)道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價(jià)是基本沒懸念的事。　　全球NAND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢(shì)必讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用同樣的策略?！　∮袌?bào)道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
關(guān)鍵字：三星 NAND

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅(qū)動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量增加，從而實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
關(guān)鍵字： NAND CAPEX

存儲(chǔ)新時(shí)代：利用RISC-V和內(nèi)存結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)開放式計(jì)算

　　前言　　在過去的幾年里，我們目睹了數(shù)據(jù)的一系列巨大變化，包括數(shù)據(jù)如何被生成、處理以及進(jìn)一步利用以獲取額外的價(jià)值和智能，而這些變化都受到以深度學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用為基礎(chǔ)的新興計(jì)算模式所影響。這種深刻的變化始于數(shù)據(jù)中心，其利用深度學(xué)習(xí)技術(shù)來提供對(duì)海量數(shù)據(jù)的洞察，主要用于分類或識(shí)別圖像、支持自然語言處理或語音處理，或者理解、生成或成功學(xué)習(xí)如何玩復(fù)雜的策略游戲。這種變化催生了一批專門針對(duì)這些類別的問題而設(shè)計(jì)的高功效計(jì)算設(shè)備(基于GP-GPU和FPGA)，后來還產(chǎn)生了可完全定制的ASIC，進(jìn)一步加速并提高了基于深
關(guān)鍵字： RISC-V FPGA

美光科技就中國(guó)福建省專利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。　　該初步禁令禁止美光科技兩中國(guó)子公司在中國(guó)制造、銷
關(guān)鍵字：美光科技 DRAM NAND

RISC-V能否繼紅五月后再度掀起熱浪？

　　6月24日-27日，全球芯片設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)領(lǐng)域內(nèi)最負(fù)盛名的“設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(DAC)”將在舊金山舉行，每年的DAC都吸引了來自全球的EDA工具廠商、IP廠商和芯片設(shè)計(jì)師參加。作為該項(xiàng)活動(dòng)的第55屆，組委會(huì)公布本屆大會(huì)為一些新的技術(shù)擴(kuò)展了展覽面積并新增了研討話題，包括人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)等等。但是值得大家關(guān)注的還有一個(gè)新的領(lǐng)域：RISC-V開源硬件?！　」雀?、高通、三星、華為、特斯拉……隨著越來越多的行業(yè)巨頭加入RISC-V基金會(huì)(RISC-V Foundation)，RISC
關(guān)鍵字： RISC-V EDA

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場(chǎng)大幅下滑

　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)的需求最為強(qiáng)勁?！　‰S著企業(yè)和儲(chǔ)存市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲(chǔ)存類別增長(zhǎng)率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實(shí)上，對(duì)于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲(chǔ)存市場(chǎng)資深總監(jiān)Crai
關(guān)鍵字：無線通訊 NAND

紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國(guó)峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)作了“自主可控的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807