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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

RISC-V Day將于上海舉辦 凸顯RISC-V生態(tài)系統(tǒng)在亞洲的發(fā)展勢頭

  • 　　地點：中國上海市楊浦區(qū)五角場邯鄲路220號復旦大學邯鄲校區(qū)光華樓吳文政報告廳，200433　　時間：2018年6月30日(星期六)，上午8點 - 下午6點　　活動介紹：RISC-V基金會將于上海舉辦RISC-V Day，介紹其全球會員的最新項目及其實施進展，重點聚焦RISC-V生態(tài)系統(tǒng)在亞洲地區(qū)的發(fā)展。RISC-V基金會的企業(yè)成員晶心科技、Codasip、GreenWaves科技、ICT、Microsemi、SiFive和Syntacore將在上海RISC-V Day進行演講?！　⊙葜v日程：　　· 面
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UltraSoC嵌入式分析技術(shù)與Imperas虛擬平臺聯(lián)手助力多核開發(fā)及調(diào)試

  • 　　UltraSoC和Imperas今日宣布：雙方將達成一項廣泛的合作，為多核系統(tǒng)級芯片(SoC)開發(fā)人員提供結(jié)合了嵌入式分析技術(shù)和虛擬平臺技術(shù)的強大組合。根據(jù)協(xié)議條款，UltraSoC將把Imperas開發(fā)環(huán)境的關(guān)鍵元素納入其提供的工具中，從而為設計人員提供一個統(tǒng)一的系統(tǒng)級預處理和后處理芯片開發(fā)流程，顯著地縮減了產(chǎn)品開發(fā)時間和整體開發(fā)成本?！　⊥ㄟ^結(jié)合半導體知識產(chǎn)權(quán)(IP)和相關(guān)軟件，UltraSoC提供行業(yè)領(lǐng)先的獨立片上監(jiān)測、分析和調(diào)試技術(shù)。Imperas首創(chuàng)的虛擬平臺方法使得軟件開發(fā)人員能盡早啟動S
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96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

  • 　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

  • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
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DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

  • 　　隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味。　　南亞科今年首季每股盈余(EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求，對今年整體營運表
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美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
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韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

  • 　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設NAND Flash工廠，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。 　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 　　根據(jù)韓國媒體《et
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UltraSoC的分析IP產(chǎn)品獲Esperanto Technologies選用，以實現(xiàn)人工智能和機器學習應用中的RISC-V多核并行處理

  • 　　UltraSoC日前宣布：公司的嵌入式分析知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品已獲Esperanto Technologies選用，以實現(xiàn)大規(guī)模并行多核RISC-V系統(tǒng)級芯片(SoC)的開發(fā)。 Esperanto現(xiàn)在正將UltraSoC的嵌入式分析和調(diào)試技術(shù)整合至其高性能、高能效的“單芯片A.I.超級計算機(A.I. Supercomputer on a Chip)”中，該超級計算機擁有數(shù)千個64位RISC-V內(nèi)核，以支持人工智能(AI)和機器學習(ML)領(lǐng)
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內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預料到這兩年內(nèi)存市場會如此強勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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UltraSoC獲晶心科技選用于RISC-V開發(fā)的追蹤及調(diào)試

  • 　　UltraSoC日前宣布：亞洲領(lǐng)先且成熟的中央處理器半導體知識產(chǎn)權(quán)(CPU IP)供應商晶心科技(Andes Technology)已采用UltraSoC先進的嵌入式分析技術(shù)，來支持其AndesCore系列RISC-V處理器。晶心科技將利用UltraSoC包括業(yè)界唯一商用RISC-V處理器追蹤解決方案在內(nèi)的獨一無二的IP產(chǎn)品系列，來實現(xiàn)其復雜應用嵌入式產(chǎn)品的開發(fā)加速和調(diào)試增強，這些應用包括人工智能(AI)、計算機視覺、網(wǎng)絡控制器和存儲等?！　杉夜緦y手在即將舉行的RISC-V大
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2017年全球十大半導體廠排名：三星首次登頂

  • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠商。 　　在前20大半導體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復雜度也在增加。
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L 加快邁向中高端

  • 　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。 　　工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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晶心科技AndeStar? V5發(fā)布，采用RISC-V技術(shù)提升新一代CPU性能

  • 近年來，RISC-V作為一種新興的開源處理器基礎架構(gòu)技術(shù)/標準，一度吸引眾多業(yè)內(nèi)人士關(guān)注，而由于其指令集精簡、模塊化，且易于允許擴充，其生態(tài)環(huán)境也迅速成長，包括谷歌、華為、微軟、高通等許多業(yè)內(nèi)知名公司都陸續(xù)加入RISC-V基金會。晶心科技早在2016年就作為創(chuàng)始會員之一加入了RISC-V基金會，并于近日，在京發(fā)布了其第一代基于RISC-V架構(gòu)——AndeStar? V5，并成為第一個采用 RISC-V的主流CPU IP公司。
  • 關(guān)鍵字： RISC-V，CPU IP，AndeStar?  
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第九代 v-nand介紹

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