10納米文章進(jìn)入10納米技術(shù)社區(qū)

英特爾10納米芯片推遲 AMD新工藝芯片進(jìn)展順利

　　本月早些時(shí)候，AMD公布了今年第二季度財(cái)報(bào)，除了一系列營(yíng)收數(shù)據(jù)之外，AMD還透露已經(jīng)放棄20nm工藝，下一代處理器以及GPU將全面進(jìn)入1xnm FinFET陣營(yíng)。現(xiàn)在，AMD的工藝更迭有了新的進(jìn)展。　　　　在19日的財(cái)務(wù)會(huì)議上，AMD CEO蘇姿豐透露首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，盡管沒有透露具體是哪兩款產(chǎn)品，業(yè)界推測(cè)，這兩款芯片很有可能就是Zen架構(gòu)的CPU和代號(hào)“Arctic Islands(北極島)”。　　另外，我們還
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分析師預(yù)言英特爾10納米技術(shù)細(xì)節(jié)

　　分析師的一個(gè)角色就像算命的一樣，給你各種有關(guān)未來的可能猜想。至于事實(shí)，你得等時(shí)間驗(yàn)證。就像英特爾10納米技術(shù)細(xì)節(jié)，你得看市場(chǎng)的天氣求證。
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臺(tái)積電公布16納米與10納米制程計(jì)劃

　　晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)近日宣布將推出精簡(jiǎn)型、低功耗版本的16納米FinFET制程，并公布其更先進(jìn)納米制程技術(shù)藍(lán)圖;臺(tái)積電預(yù)定自今年中開始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus (16FF+)制程，并在2016年展開10納米制程生產(chǎn)。　　在20納米芯片正式量產(chǎn)之后，臺(tái)積電宣布于2015年中開始量產(chǎn)16FF+ 制程，該公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時(shí)間(cycle time)則是20納米芯片的兩倍。臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音(Mark Liu)并
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非贏不可的一戰(zhàn)：臺(tái)積電明年Q1建10納米試產(chǎn)線

　雖然是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的老大，臺(tái)積電也有著自己的心事。在半導(dǎo)體制造方面，如何拉開與英特爾、三星等勁敵的差距？這也是心事之一。顯然，10nm生產(chǎn)線就是一個(gè)拉開差距的機(jī)會(huì)，也可謂是最關(guān)鍵的一役。
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IC Insights：蘋果和英特爾合作將是雙贏

蘋果和英特爾，兩家又有好口碑、全球市場(chǎng)、先進(jìn)技術(shù)，如果再進(jìn)行密切合作，就可以將蘋果的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)和英特爾的生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到淋漓盡致，這是IC Insights的分析。但是這兩位高傲的人，能夠低調(diào)共事是個(gè)問題。
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臺(tái)積電宣布：研發(fā)大將蔣尚義將于10月31日退休

　　臺(tái)積電宣布主導(dǎo)研發(fā)的執(zhí)行副總暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義將于10月31日退休。業(yè)界人士分析，接班人之一的蔣尚義退休后，執(zhí)行副總暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)還有劉德音與魏哲家，將是最可能接班的人選。　　蔣尚義原就是臺(tái)積電研發(fā)大將，2006年首次退休前，協(xié)助臺(tái)積電將制程技術(shù)推進(jìn)到65納米;目前則已進(jìn)入研發(fā)10納米制程的新世代。　　從蔣尚義2009年重回臺(tái)積電帶領(lǐng)研發(fā)迄今，臺(tái)積電單季毛利率一度突破50%，今年第二季也維持在49%的高水平，整體研發(fā)經(jīng)費(fèi)更是連續(xù)五季超過100億元，讓臺(tái)積電在先進(jìn)制程的優(yōu)勢(shì)愈來愈明顯。　　蔣尚
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應(yīng)材新檢測(cè)設(shè)備支持10納米

　　設(shè)備大廠應(yīng)用材料宣布推出新世代的缺陷檢測(cè)及分類技術(shù)，加速達(dá)成10納米及以下的頂尖芯片生產(chǎn)良率。SEMVision G6系統(tǒng)獨(dú)特的多維影像分析功能為半導(dǎo)體制造提供最高分辨率及影像質(zhì)量，先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與全自主式功能，能提高100%更快速的產(chǎn)出。　　包括臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠，已經(jīng)展開10納米的研發(fā)作業(yè)，設(shè)備大廠應(yīng)用材料在其SEMVision系列設(shè)備上，推出一套最新缺陷檢測(cè)及分類技術(shù)，該設(shè)備的缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高分辨率、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng)新的Purity自動(dòng)化缺陷分類(ADC)系統(tǒng)高
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臺(tái)積電10納米競(jìng)爭(zhēng)壓力大

　　半導(dǎo)體巨擘英特爾發(fā)布最新的先進(jìn)制程技術(shù)藍(lán)圖，其中眾所關(guān)注的10納米預(yù)計(jì)2015年量產(chǎn)，比原先規(guī)劃時(shí)間提早一年，并進(jìn)一步拉大領(lǐng)先臺(tái)積電(2330)的時(shí)間。　　臺(tái)積電的10納米預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)，較英特爾晚兩年。半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，雖然英特爾技術(shù)不斷超前，是因應(yīng)處理器速度的需求，但英特爾已在晶圓代工正式卡位，一旦10納米在2015年量產(chǎn)，對(duì)臺(tái)積電仍有潛在的競(jìng)爭(zhēng)壓力。　　臺(tái)積電日前一度因?yàn)槊绹?guó)寬松貨幣政策傳出退場(chǎng)，跌破108元月線區(qū)，昨天股價(jià)收盤小漲1.5元，收在109.5元，股價(jià)獲得支撐。　　
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超越臺(tái)積電格羅方德稱2015推出10納米晶圓

　　晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)蘇比(SubiKengeri)日前來臺(tái)，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。　　格羅方德2009年由美商超微獨(dú)立而出，2010年并購(gòu)前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨(dú)立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計(jì)能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶經(jīng)驗(yàn)，ICInsights統(tǒng)計(jì)，2012年公司躍進(jìn)晶
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臺(tái)積電2017追上英特爾不只是放狠話

　　臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義昨(22)日表示，臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步，“希望10納米世代就能全面趕上英特爾”，時(shí)間點(diǎn)就落在2017年。　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在日前法說會(huì)中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16納米FinFET制程要提前一年量產(chǎn)。主掌臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)的蔣尚義昨天則說明，加快16納米量產(chǎn)，是因?yàn)榭蛻魧?duì)此有
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英特爾或在以色列生產(chǎn)新一代10納米工藝芯片

　　英特爾以色列子公司2012年出口額翻番至46億美元，該公司正尋求將英特爾下一代芯片的生產(chǎn)放在以色列。　　英特爾以色列子公司2011年的出口額為22億美元，而2012年同比增長(zhǎng)率達(dá)到109%。這主要是由于以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工廠的22納米工藝生產(chǎn)線開始投產(chǎn)，目前維持著100%的產(chǎn)能。　　英特爾是全球排名第一的芯片廠商，該公司將于未來2至3年內(nèi)在愛爾蘭和美國(guó)的工廠引入14納米技術(shù)，并開始考慮發(fā)展10納米技術(shù)。英特爾以色列公司高管表示，希望將10納米技術(shù)引入以色列工廠。　　英
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英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級(jí)別。　　據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結(jié)成合作伙伴，并邀請(qǐng)大約10家半導(dǎo)體材料及其他領(lǐng)域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。　　
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張忠謀：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)連好5年

　　4月15日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(14)日在美國(guó)舉行年度技術(shù)論壇，董事長(zhǎng)張忠謀表示，今明兩年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)均將健康成長(zhǎng)，2011至2014年呈溫和成長(zhǎng)，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)4.2%。　　張忠謀還稱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要更多合作，且早在芯片設(shè)計(jì)開始之前就要合作，才能有效降低成本，臺(tái)積電在20納米、14納米、10納米等先進(jìn)制程研發(fā)中不會(huì)缺席。　　由于半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣明顯復(fù)蘇，臺(tái)積電年度技術(shù)論壇吸引將近1800名客戶或合作伙伴代表參加，而張忠謀在演說時(shí)則針對(duì)未來5年半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣、臺(tái)積
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三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式. 　　多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變,晶體的變化對(duì)應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ). 　　一直以來,包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們?cè)噲D將這種存儲(chǔ)器的體積減小,增存儲(chǔ)加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 　　三星半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：三星 PCM 34納米 10納米 12納米

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