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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 28nm

“新摩爾時代”的新興應用與技術探尋(下)

  • 　　(接上期) 　　產(chǎn)業(yè)鏈關鍵詞：28nm、EDA、ODM、制造 　　技術和產(chǎn)品的大繁榮，離不開健全的IC產(chǎn)業(yè)鏈。此篇從與IC相關的產(chǎn)業(yè)鏈角度報道一些企業(yè)。 　　EDA 　　2009年EDA和半導體業(yè)都下降了10%左右。但在蕭條的嚴冬中，總有一些可敬的頑強生命在成長。一家2001年才成立的小EDA公司，2009年銷售額增長了22%，2008年在功率分析方面的市場份額高達67%!這家公司就是Apache，CEO兼董事長Andrew T. Yang(楊天勝，華裔)博士介紹說，Apache專門提供降低功
  • 關鍵字： 28nm  EDA  ODM  201007  

28nm節(jié)點將引發(fā)全球代工攻堅戰(zhàn)

  • 　　按Gartner副總裁Dean Freeman看法，能進行先進制程設計的fabless公司目前正處于極好時光。因為Freeman看到頂級代工廠正義無反顧的向40及28nm進軍，同時為爭奪更大的市場份額，而使硅片代工的價格迅速下降。 　　按Freeman說法，半導體產(chǎn)業(yè)之前從未出現(xiàn)過有好幾家代工廠能夠同時提供最先進的工藝制程加工能力。目前已有三家，如 TSMC，GlobalFoundries及三星電子。 　　由于互相競爭，先進制程代工的價格下降很快，這是Freeman在周一(12 July)，每年S
  • 關鍵字： 電子代工  28nm  

中國半導體業(yè)再次發(fā)起沖擊

  • 　　沉寂了一段時間后，中國半導體業(yè)又重新開始沖剌，表現(xiàn)為上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能至4.5萬片，包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線等。 　　然而，從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國Information Network認為中國半導體業(yè)在政府資金支持下，在未來的5年內(nèi)將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場分析公司對于投資的回報率存有質(zhì)疑，其實這一切才是正常的。因為中國半導體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，不是完全可用市場機制，單一的經(jīng)濟規(guī)律來解釋得通。
  • 關鍵字： 半導體  28nm  40nm  

IBM、GF、三星、意法四巨頭同步投產(chǎn)28nm芯片

  • 　　IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業(yè)巨頭今天聯(lián)合宣布，他們將合作實現(xiàn)半導 體制造工廠的同步，共同使用IBM技術聯(lián)盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產(chǎn)相關芯片。據(jù)了解，這種同步模式將確?？蛻舻男酒O計能夠在三個國家的多座晶圓廠內(nèi)靈活生產(chǎn)，無需重新設計，大大降低半導 體制造的風險和成本。相關的28nm新工藝通用電路已經(jīng)發(fā)放到各家工廠，預計今年底就會有工廠率先完成同步過程，隨后不久便可以開始投產(chǎn)。 　　IBM技術聯(lián)盟的核心是IBM位于紐約州East Fishkill的工廠，成員包
  • 關鍵字： GlobalFoundries  28nm  晶圓  

IBM集團就28nm工藝展開合作

  • 　　IBM“晶圓廠俱樂部”中的四家公司IBM、Samsung、GlobalFoundries和ST稱他們將在28nm低功耗工藝上展開合作保持同步。 　　該集團將于2010年晚期開始出貨28nm晶圓，并且開始對其代工競爭對手進行隱晦的口頭攻擊。 　　該集團沒有指出臺積電的名字，但臺積電對IBM集團的高k技術表示過不滿。IBM的28nm工藝是基于gate-first高k金屬柵技術，而臺積電則在高k中采用gate-last工藝。
  • 關鍵字： IBM  28nm  晶圓  

聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

  • 　　據(jù)悉，臺灣代工廠聯(lián)電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。 　　聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術，是聯(lián)電與日本爾必達、臺灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術、爾必達的內(nèi)存技術和力成的封裝技術，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。 　　孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
  • 關鍵字： 聯(lián)電  28nm  立體堆疊式芯片  

IBM可能與阿布扎比政府開展合作

  • 　　隨著現(xiàn)代芯片制造工藝的研發(fā)成本越來越高，以及不同機構之間的合作越來越密切，大型企業(yè)和國家政府也可能會越走越近，比如藍色巨人IBM和阿聯(lián)酋阿布扎比，他們中間就有一個GlobalFoundries。 　　Petrov Group創(chuàng)始人兼首席分析師、前特許半導體市場戰(zhàn)略總監(jiān)Boris Petrov在接受媒體采訪時表示：“IBM 在與政府打交道的時候會比個體公司感到更舒服，就像是航空母艦對比土著小漁船。” 　　GlobalFoundries的客戶現(xiàn)在都普遍需要更先進的制造工藝，比如
  • 關鍵字： GlobalFoundries  32nm  28nm  

“新摩爾時代”的新興應用與技術探尋(上)

  • 　　有人說現(xiàn)在是大公司時代，強者更強，因此電子業(yè)內(nèi)兼并重組現(xiàn)象時有發(fā)生。有人卻說，未來給中小企業(yè)帶來了機會，只要你的技術或產(chǎn)品在專注的領域里能排在前三，因為發(fā)達的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔，為更多的中小企業(yè)創(chuàng)造了貿(mào)易機會。 　　最近，筆者參加了美國Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會議)，有約30家公司參與，大部分是中小企業(yè)。從中感慨到：摩爾定律揭示了半導體業(yè)正向40/32/28nm制程推進的必然過
  • 關鍵字： 摩爾定律  40nm  32nm  28nm  201006  

半導體制造：又逢更新?lián)Q代時

  • 本文結合多方視角，詳細探討最新的半導體工藝技術發(fā)展，相關產(chǎn)業(yè)鏈各方對新工藝的應用情況及客觀評價。
  • 關鍵字： 半導體制造  28nm  Foundry  HKMG  201006  

Gloabl Foundries 30億美元的賭局

  • 　　Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來擴充德國與美國的產(chǎn)能，以回應全球代工近期呈現(xiàn)的產(chǎn)能饑餓癥。 　　歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標是45nm、28nm及22nm，月產(chǎn)能8萬片，潔凈廠房面積11萬平方英尺。項目已經(jīng)國家與歐盟批準，并于2011年開始量產(chǎn)。 　　GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。 　　美國：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標為28nm及22nm，總建筑面積為30萬平方英尺，其中潔凈廠房為9萬平方英
  • 關鍵字： GloablFoundries  22nm  45nm  28nm  

誰會在代工投資“盛宴”中缺席？

  • 　　在前3年之前全球代工總是在看前4大的動向，包括臺積電、聯(lián)電、中芯國際及特許。然而，臺積電一家獨大，聯(lián)電居老二似乎也相安無事。 　　自AMD分出Globalfoundries，及ATIC又兼并特許，再把Globalfoundries與特許合并在一起。表面上看少了一個特許，實際上由于Globalfoundries在其金主支持下積極建新廠，在代工業(yè)界引發(fā)了波浪,至少誰將成為老二成為話題。 　　加上存儲器大享三星近期開始投資代工，放言要接高通的手機芯片訂單;加上fabless大廠Xilinx改變策略，把2
  • 關鍵字： 臺積電  FPGA  28nm  

張忠謀公開臺積電20nm制程技術部分細節(jié)

  • 　　臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術。在臺積電公司日前舉辦的技術會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術細節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。 　　根據(jù)臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術，并仍然采用平面型晶體管結構，增強技術方面則會使用HKMG/應變硅和較新的“low-r”技術(即由銅+low-
  • 關鍵字： 臺積電  光刻  28nm  22nm  

張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進

  • 　　臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術會議上表示，臺積電將會和整個半導體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進軍。 　　張忠謀認為，2011-2014年間的全球半導體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術發(fā)展的速度會趨于緩慢。 　　張忠謀表示，2xnm時代眼下很快就要到來，1xnm時代也會在可預見的未來內(nèi)成為現(xiàn)實，而臺積電或許無法在他的任期內(nèi)走向1xnm，但肯定會竭盡全力將半導體制造技術帶向新的水平。 　　臺積電2010年間的資本支出預算高達48億美元，
  • 關鍵字： 臺積電  22nm  28nm  

Globalfoundries代工:ARM公布新一代SOC芯片制程細節(jié)

  • 　　ARM公司近日公布了其委托Globalfoundries代工的新款SOC芯片的部分技術細節(jié)。這款芯片主要面向無線應用，據(jù)稱芯片的計算性能將提升40% 左右，而耗電則將降低30%，電池續(xù)航時間則可提升100%。據(jù)透露，這種SOC芯片將采用GF公司的兩種制程進行生產(chǎn)，包括28nm SLP(超低功耗)和28nmHP(高性能)，其中前者將主要用于生產(chǎn)對功耗水平要求較高的產(chǎn)品，而后者則主要面向消費應用級產(chǎn)品。 　　這款SOC芯片基于ARM Cortex-A9核心，并將采用GF公司的28nm Gate-firs
  • 關鍵字： Globalfoundries  SOC  28nm   

臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉向Gate-last工藝

  • 　　去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現(xiàn)計劃。 　　Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術，這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
  • 關鍵字： 臺積電  Gate-last  28nm   
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