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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 28nm

IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世

  • 　　在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預(yù)計將發(fā)表多項有關(guān)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 　　此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。 　　三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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Mentor Graphics 宣布針對 UMC 28nm 技術(shù)的 Calibre PERC 規(guī)則

  • 　　Mentor Graphics 公司今天宣布，針對 United Microelectronics Corp.(UMC) 28nm 技術(shù)的 Calibre® PERC™ 可靠性規(guī)則集文件獲得其認(rèn)證?，F(xiàn)在，UMC 的客戶可以擴大基于 Mentor 的流程的使用范圍，以融入先進(jìn)電子可靠性分析，進(jìn)而評估各種靜電放電 (ESD) 保護特性。 　　“諸如 ESD 保護等全新的設(shè)計要求對于確保集成電路的長期可靠性十分重要，” UMC IP 開發(fā)與設(shè)計支持部總監(jiān) T.H
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摩爾定律走到28nm制程節(jié)點就好？

  • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來到了一個十字路口：有些設(shè)計追求微縮至7奈米節(jié)點制程，但大多數(shù)設(shè)計其實還停留在28奈米或更舊的節(jié)點。
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中芯北京廠量產(chǎn)28nm芯片 想進(jìn)世界前三難度不小

  • 　　繼高通驍龍410處理器在中芯國際上海廠成功量產(chǎn)后，近日，該公司再次宣布北京廠成功量產(chǎn)驍龍425，這標(biāo)志著中芯國際在28nm技術(shù)上向前跨出了關(guān)鍵一步。 　　筆者獲悉，驍龍425為Qualcomm旗下的28nm系列產(chǎn)品，是一款64位智能手機處理器，集成LTE連接、高性能圖形和影像處理、1080P高清顯示和一系列先進(jìn)數(shù)據(jù)處理功能。它與驍龍410同樣采用28nm工藝，目前是中芯國際能夠量產(chǎn)的最高級別處理器。 　　目前高通最強處理器為驍龍820，但是從出貨量來看中低端高通芯片依然在市場上需求量驚人。從全球市
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臺積電下修半導(dǎo)體展望 28nm制程是營收主力

  • 　　臺積電昨(14)日公布首季每股純益2.5元，為六季來低點。本季雖有中低階智能手機客戶拉貨助攻，估營收季增5.7%至7.1%，毛利率挑戰(zhàn)六季來高點、達(dá)49%至51%，營益率也會優(yōu)于上季，但整體成長動能略低于市場預(yù)期。 　　臺積電坦言，全球經(jīng)濟不佳，高階智能手機買氣鈍化、半導(dǎo)體庫存還在調(diào)整中影響，本季成長動能略低于預(yù)期。臺積電并下修今年全球半導(dǎo)體成長率由2%至1%;晶圓代工整體產(chǎn)值年成長5%，臺積電維持今年營收年增率介于5%至10%的目標(biāo)。 　　臺積電昨天舉行法說會，由兩位共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理劉德音、魏
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聯(lián)芯匯報28nm芯片商用成果，自主研發(fā)劍指14nm

  • 　　由大唐電信旗下聯(lián)芯科技主辦的“冉冉中國芯 國產(chǎn)芯片發(fā)展研討暨聯(lián)芯科技產(chǎn)品溝通會”在大唐電信集團總部舉行，會上聯(lián)芯科技向政府相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、小米公司董事長兼CEO雷軍以及到場的多家媒體展示了最新取得的技術(shù)成果與市場成績，并作為中國芯的領(lǐng)軍企業(yè)透露了其未來發(fā)展路徑。 　　LC1860：4G中國芯代表 　　7月23日，由大唐電信旗下聯(lián)芯科技主辦的“ 冉冉中國芯 國產(chǎn)芯片發(fā)展研討暨聯(lián)芯科技產(chǎn)品溝通會”在大唐電信集團總部舉行，會上聯(lián)芯科技向政府相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、小米公司董事
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28nm發(fā)威 聯(lián)電Q4不看淡

  • 　　聯(lián)電今年表現(xiàn)及Q4預(yù)估 　　晶圓代工二哥聯(lián)電昨(29)日召開法說會，執(zhí)行長顏博文表示，28奈米制程良率持續(xù)提升，將明顯帶動第4季28奈米的出貨，而聯(lián)電近期在日本及大陸的全球布局，將可鞏固長期成長動能。由于晶圓代工接單淡季不淡，太陽能電池出貨回復(fù)成長動能，法人預(yù)估第4季營收將略優(yōu)于第3季。 聯(lián)電第3季合并營收352.14億元，季減1.8%，毛利率降至21.5%，歸屬母公司稅后凈利29.16億元，較第2季衰退16.3%，每股凈利0.23 元。聯(lián)電表示，第3季晶圓代工營收季增2.9%達(dá)335.1億元，但太
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臺積電32/28nm份額今年達(dá)78%

  • 　　臺積電宣布業(yè)界最低功耗、最佳成本效益的28奈米高效能精簡型制程(HPC)進(jìn)入量產(chǎn)，且已取得展訊、晨星、全志、海思等10家客戶下單，預(yù)計年底前將完成約70項設(shè)計定案。此舉也顯示臺積將全力搶攻第二波28奈米制程的轉(zhuǎn)換潮，后進(jìn)者中芯(SMIC)、聯(lián)電(2303)想突圍恐更難。外資德意志即看好，臺積32/28奈米制程2014/2015年市占可望達(dá)78%/74%，優(yōu)于前一世代45/40奈米制程同期市占的62%/55%。 　　臺積目前于28奈米產(chǎn)品線相當(dāng)完備，擁有低耗電(28LP)、高效能(28HP)、高效
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中國集成電路產(chǎn)業(yè)的差距在哪兒

  • 　　摘要：本文探討了我國集成電路產(chǎn)業(yè)與發(fā)達(dá)國家及地區(qū)的差距。 　　“綱要”的兩點解讀 　　6月24日，經(jīng)國務(wù)院同意，工信部正式公布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》。集成電路上升為國家產(chǎn)業(yè)的發(fā)展綱要，真可謂“千呼萬喚始出來”——確實我們期盼了很長時間，我本人在這方面也做了兩年多的工作。不過，沒辦成的時候挺興奮，辦好了現(xiàn)在又挺著急，“真是猶抱琵琶半遮面”，我們不知道該怎么辦，甚至現(xiàn)在有點后悔，我不確定現(xiàn)在做這件
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多串流MIMO驅(qū)動　11ac射頻前端邁向28nm

  • 　　無線區(qū)域網(wǎng)路(Wi-Fi)射頻(RF)前端朝先進(jìn)制程邁進(jìn)。著眼于多重輸入多重輸出(MIMO)天線在設(shè)計上日趨復(fù)雜，射頻前端元件開發(fā)商開始導(dǎo)入數(shù)位技術(shù)，使元件制造商得以朝向更先進(jìn)制程發(fā)展以增加系統(tǒng)效能與整合度，進(jìn)一步提升Wi-Fi的資料傳輸速率。 　　RFaxis董事長兼執(zhí)行長MikeNeshat表示，在智慧型手機與平板電腦等無線通訊裝置中，射頻前端在最大化Bar數(shù)量以及確保最高的資料傳輸率上扮演著關(guān)鍵角色。但由于射頻設(shè)計難度較高，前端元件過去一直依賴著昂貴的砷化鎵(GaAs)或矽鍺(SiGe)制
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手機芯片廠急找產(chǎn)能28nm代工 訂單大風(fēng)吹

  • 芯片廠商繼續(xù)堅守28nm，從一定程度上反應(yīng)了工藝提升難度、晶圓廠的投資回報率、手機對于芯片性能的需求等的瓶頸與取舍考量集中在了28nm這個節(jié)點上。
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手機芯片廠急找28nm代工 訂單大風(fēng)吹

  • 　　臺積電28納米制程產(chǎn)能依舊不足問題，持續(xù)困擾國內(nèi)、外手機芯片廠，近期高通(Qualcomm)及聯(lián)發(fā)科持續(xù)前往聯(lián)電、GlobalFoundries及中芯尋求產(chǎn)能供應(yīng)，不僅聯(lián)電、GlobalFoundries陸續(xù)傳出第3季28納米制程接單佳音，中芯28納米制程亦已通過高通、聯(lián)發(fā)科手機芯片試產(chǎn)，且產(chǎn)能將快速沖至滿載，訂單能見度甚至達(dá)到2015年上半，全球28納米晶圓代工訂單變動趨烈。不過，相關(guān)廠商對于訂單事宜均相當(dāng)?shù)驼{(diào)。 　　高通尋求大陸產(chǎn)能聯(lián)發(fā)科跟進(jìn) 　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，大陸政府針對高通祭出反壟斷控訴
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采用28nm工藝 展訊發(fā)布高集成度手機平臺

  • 　　作為中國領(lǐng)先的2G、3G和4G無線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，展訊日前在天津推出采用先進(jìn)28nm工藝的高集成度TD-SCDMA/GSM/GPRS/EDGE多模四核智能手機平臺——SC883XG。該款產(chǎn)品采用更先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，有助于實現(xiàn)高性能和低功耗，為手機廠商提供用于中高端手機的高性價比解決方案。 　　SC883XG采用四核ARMCortexA7架構(gòu)，主頻高達(dá)1.4GHz，雙核圖形處理器ARMMali400MP，支持TD-SCDMA/HSPA()、GSM/GPRS/EDG
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獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖

  • 　　晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破，順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單，將成下半年成長主要動能。 　　為了拉近與龍頭臺積電間的差距，聯(lián)電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產(chǎn)，10納米世代將加入由IBM主導(dǎo)的通用平臺(CommonPlatform)聯(lián)盟，與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。 　　聯(lián)電昨(11)日召開股東常會，通過配發(fā)0.5元現(xiàn)金股利及私募案，董事長洪嘉聰除了強調(diào)私募案絕對不會折價發(fā)行的立場，也表
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