28nm 文章 進入28nm技術(shù)社區(qū)
獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖
- 晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破,順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單,將成下半年成長主要動能。 為了拉近與龍頭臺積電間的差距,聯(lián)電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產(chǎn),10納米世代將加入由IBM主導的通用平臺(CommonPlatform)聯(lián)盟,與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。 聯(lián)電昨(11)日召開股東常會,通過配發(fā)0.5元現(xiàn)金股利及私募案,董事長洪嘉聰除了強調(diào)私募案絕對不會折價發(fā)行的立場,也表
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大陸12英寸芯片生產(chǎn)線如何為產(chǎn)業(yè)而戰(zhàn)
- 發(fā)展中國大陸的12英寸生產(chǎn)線在近期內(nèi)可能還不是完全市場化的產(chǎn)物,但為了產(chǎn)業(yè)的利益,冒虧損的風險也要往前沖。可是站在企業(yè)的立場,面對股市如何來解釋,這是中國大陸12英寸生產(chǎn)線左右為難的困惑。 企業(yè)處在兩難之中 企業(yè)為了跟蹤必須投資,而過多投資或致企業(yè)虧損,這樣的怪圈在近期還無法擺脫。 中國大陸的芯片制造業(yè)可以分為兩類:一類是以市場為導向,需要自負盈虧、自我增長發(fā)展的8英寸及以下芯片生產(chǎn)線;一類是先進工藝制程的12英寸芯片生產(chǎn)線。 這樣劃分是因為中國大陸的8英寸及以
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臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來到臨界點
- 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm,2009年達到32nm,2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差,英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推遲。 Fabless大廠Altera2013年把它原來交由臺積電生產(chǎn)的14nm代工訂單轉(zhuǎn)給英特爾,這一事件曾經(jīng)引起業(yè)界一陣躁動。但是由于英特爾14nm量產(chǎn)的推遲,風向又開始轉(zhuǎn)向,傳說將把訂單轉(zhuǎn)回給臺積電代工。這一事件反映出,集成電路微縮之路未來的前進規(guī)則將要改
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本土收入高速增長 中芯國際忙擴產(chǎn)能
- 連續(xù)六個季度盈利,五年內(nèi)中國區(qū)銷售收入增長8倍,基層經(jīng)理從幾乎全部來自海外到實現(xiàn)大多數(shù)的本土化——中芯國際的發(fā)展本身就是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的縮影。 坐落在上海張江高科技園區(qū)的中芯國際上海S1廠在2013年達到滿產(chǎn),產(chǎn)能約為9.5萬片/月。記者經(jīng)過更衣室、防護室進入環(huán)繞這間廠房的參觀通道,卻在20分鐘走完半程后“被迫”原路折返。 已經(jīng)在中芯國際工作了8年的小孫向記者解釋說,幾度產(chǎn)能擴大下來,越來越多的機臺占用了參觀通道,而使得原本環(huán)繞
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臺積電28nm 大爆單
- 晶圓代工龍頭臺積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開,并拿下9成高市占率,今年為了因應中低階智慧型手機需求,特別在28奈米HKMG技術(shù)上,推出低成本版本28HPC制程,獲得手機晶片廠全面采用,不僅28奈米大爆單,上半年產(chǎn)能已是供不應求。 臺積電28奈米產(chǎn)能及營收去年出現(xiàn)高達3倍的成長,但因格羅方德(globalFoundries)、三星、聯(lián)電等競爭對手在28奈米多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)技術(shù)上持續(xù)追上,臺積電去年下半年將28奈米產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為以H
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高通28nm轉(zhuǎn)移大陸 稱將支持中國半導體業(yè)
- 在上周的巴塞羅那移動通信展(MWC),美國高通新上任的集團總裁DerekAberle接受小了一個小范圍的記者采訪,《國際電子商情》首席分析師孫昌旭也有幸參與其中,并就高通與中芯國際在先進28nm工藝上的合作、這個對產(chǎn)業(yè)有著深遠意義的問題與Derek展開討論。如果說過去十多年,高通公司對中國的通信與移動終端市場的巨大幫助,讓中國廠商站到了世界同行前列,那么這一次,高通將最新的28nm工藝制造引入中芯國際,將是對中國半導體產(chǎn)業(yè)的一個巨大利好,通過分享高通在先進工藝上的成熟經(jīng)驗,將能加快中國半導體產(chǎn)業(yè)邁向先
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三星28納米工藝技術(shù)為客戶新增RF功能
- 作為尖端半導體解決方案的全球領先企業(yè),三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網(wǎng)快速成為現(xiàn)實,三星晶圓代工事業(yè)部開始助力芯片設計人員在設計中集成高級RF功能,使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應用成為可能。 “現(xiàn)在市場上只有少數(shù)晶圓代工廠能夠提供先進制程工藝,而能在芯片設計中集成RF功能的選擇則更為有限。“三星晶圓代工事業(yè)部市場營銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進入物聯(lián)網(wǎng)時代,智能連接設備也將更加普及,更小和節(jié)能型的RF設計對SoC解決方案來說至關(guān)重要。為
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瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝
- 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項應用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產(chǎn)權(quán)(IP)?! ‖F(xiàn)代發(fā)動機油耗不斷降低,要求新型控制機制能夠?qū)率饺紵椒ǖ囊胍约靶⌒突鶐淼倪M一步系統(tǒng)升級。高速實時處理,例如根據(jù)對多個傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進行動態(tài)切換將成為必備功能,車用MCU中將需要具備當前性能的三到五倍的性能。此外,隨著ECU數(shù)目的不斷增多,如果我們考慮電源方面的限制,比如汽車臨時停車時關(guān)掉發(fā)
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臺積電仍是聯(lián)發(fā)科28nm芯片主要制造商
- 為回應近期市場猜測,聯(lián)發(fā)科正在將一部分28nm芯片訂單轉(zhuǎn)移至Globalfoundries和聯(lián)華電子(UMC)。對此聯(lián)發(fā)科總裁謝清江表示,臺積電仍是其28nm設備的主要代工廠。 據(jù)報道,聯(lián)發(fā)科采用Globalfoundries公司的28nm PolySiON工藝來制造入門級解決方案。隨著聯(lián)電28納米制程工藝收益率日益提高,聯(lián)發(fā)科認為,應該考慮將聯(lián)電作為另一個28納米代工伙伴。 聯(lián)發(fā)科主要生產(chǎn)智能手機SoC,并一直積極擴大其產(chǎn)品范圍至平板電腦。謝清江表示,2014年聯(lián)發(fā)科的平板電腦S
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移動芯片大比拼之工藝制程分析
- 在移動通信芯片領域,高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動芯片廠商,2013年是28nm制程的普及年,除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外,其余各家移動通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個工藝方向:HighPerformance(HP,高性能型)和LowPower(LP,低功耗型)。LP低功耗型是最早量產(chǎn)的,不過它并非Gate-Last工藝,還是傳統(tǒng)的SiON(氮氧化硅)介質(zhì)和多晶硅柵極工藝,優(yōu)點是成本低,工藝簡單,適合對性能要求不高的手機和移動設備。HP才是真正的HK
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28nm以下工藝成本與收益現(xiàn)矛盾
- 三十多年來,半導體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”,但是隨著工藝的提升,業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了,日前他在IEDM國際電子元件會議上同樣做了類似表示,現(xiàn)有半導體工藝將在5nm階段達到極限,而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。 Samueli在接受EETimes采訪時談到了現(xiàn)在的半導體工藝狀態(tài),28nm及之后的工藝雖然會繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗,但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益,未
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