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獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖
- 晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破,順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單,將成下半年成長主要動能。 為了拉近與龍頭臺積電間的差距,聯(lián)電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產,10納米世代將加入由IBM主導的通用平臺(CommonPlatform)聯(lián)盟,與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。 聯(lián)電昨(11)日召開股東常會,通過配發(fā)0.5元現(xiàn)金股利及私募案,董事長洪嘉聰除了強調私募案絕對不會折價發(fā)行的立場,也表
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 28nm
三星28納米工藝技術為客戶新增RF功能
- 作為尖端半導體解決方案的全球領先企業(yè),三星電子今日宣布為其28納米工藝技術新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網快速成為現(xiàn)實,三星晶圓代工事業(yè)部開始助力芯片設計人員在設計中集成高級RF功能,使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應用成為可能?! 艾F(xiàn)在市場上只有少數晶圓代工廠能夠提供先進制程工藝,而能在芯片設計中集成RF功能的選擇則更為有限?!叭蔷A代工事業(yè)部市場營銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進入物聯(lián)網時代,智能連接設備也將更加普及,更小和節(jié)能型的RF設計對SoC解決方案來說至關重要。為
- 關鍵字: 三星 28nm RF 物聯(lián)網 晶圓
瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝
- 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內首項應用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產權(IP)?! ‖F(xiàn)代發(fā)動機油耗不斷降低,要求新型控制機制能夠對應新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進一步系統(tǒng)升級。高速實時處理,例如根據對多個傳感器的反饋而產生的載荷變化在多種控制算法之間進行動態(tài)切換將成為必備功能,車用MCU中將需要具備當前性能的三到五倍的性能。此外,隨著ECU數目的不斷增多,如果我們考慮電源方面的限制,比如汽車臨時停車時關掉發(fā)
- 關鍵字: 瑞薩 MCU 28nm 閃存
臺積電仍是聯(lián)發(fā)科28nm芯片主要制造商
- 為回應近期市場猜測,聯(lián)發(fā)科正在將一部分28nm芯片訂單轉移至Globalfoundries和聯(lián)華電子(UMC)。對此聯(lián)發(fā)科總裁謝清江表示,臺積電仍是其28nm設備的主要代工廠。 據報道,聯(lián)發(fā)科采用Globalfoundries公司的28nm PolySiON工藝來制造入門級解決方案。隨著聯(lián)電28納米制程工藝收益率日益提高,聯(lián)發(fā)科認為,應該考慮將聯(lián)電作為另一個28納米代工伙伴。 聯(lián)發(fā)科主要生產智能手機SoC,并一直積極擴大其產品范圍至平板電腦。謝清江表示,2014年聯(lián)發(fā)科的平板電腦S
- 關鍵字: 臺積電 28nm
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