2nm! 文章 進(jìn)入2nm!技術(shù)社區(qū)
臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊,尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)??剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。極紫外光(EUV)微顯
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臺積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國外媒體報道,為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺積電,近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列,他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn),為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后,臺積電下一步工藝研發(fā)的重點就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝,其中3nm工藝在最近兩個季度的財報分析師電話會議上均有提及,臺積電CEO魏哲家透露正在按計劃推進(jìn),計劃2021年風(fēng)險試產(chǎn),2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝,也有了消息。外媒的報道顯示,在昨日的臺積電2020年度全球技術(shù)論壇上,他們透露正在同一
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臺積電2nm工廠計劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息,據(jù)國外媒體報道,5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺積電下一步的工藝研發(fā)重點就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝,為盡快量產(chǎn),相關(guān)的工廠也需要提前謀劃,同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn),2nm工藝也還在研發(fā)階段,但臺積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺積電已開始謀劃2nm工藝工廠的消息,源自臺積電負(fù)責(zé)營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報道中表示,秦永沛透露臺積電計劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠,建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺積電總部所在地,先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預(yù)計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),業(yè)界以
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝:成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報中,臺積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時今年還會加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝:成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開……在最新的2019年年報中,臺積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時今年還會加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺積電從7nm工藝開始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國CPU芯片將實現(xiàn)彎道超車 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日,中科院對外宣布,中國科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后,國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程,比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片,內(nèi)置了超過100億個晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技術(shù)上的確實現(xiàn)了巨大突破,也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后,中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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臺積電、三星爭霸2nm工藝:能做出來,就怕沒人用得起
- 根據(jù)臺積電的規(guī)劃,他們今年上半年就會量產(chǎn)5nm EUV工藝,下半年產(chǎn)能會提升到7-8萬片晶圓/月,今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺積電的3nm工藝工藝今年也會啟動建設(shè),三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。根據(jù)三星的說法,與5nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。為了確保在5nm之后保持優(yōu)勢,三星、臺積電都會投入巨額資金,去年,三星宣布了一項高達(dá)133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃,目標(biāo)是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級
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張忠謀:3nm制程會出來 2nm后很難
- 臺積電董事長張忠謀表示,摩爾定律可能還可再延續(xù)10年,3nm制程應(yīng)該會出來,2nm則有不確定性,2nm之后就很難了。 張忠謀表示,1998年英特爾總裁貝瑞特來臺時,兩人曾針對摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論,他當(dāng)時回答還有15年,貝瑞特較謹(jǐn)慎回答,大概還有10年。 現(xiàn)在已經(jīng)2017年,張忠謀表示,兩人當(dāng)時的答案都錯了;他指出,目前大膽預(yù)測摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示,臺積電明年將生產(chǎn)7nm制程,5nm已研發(fā)差不多,一定會出來,3nm也已經(jīng)做2至3年,看來也是會出來。 張忠謀
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臺積電已在進(jìn)行2nm/3nm的研發(fā)
- 為在國際市場持續(xù)在制程上保持領(lǐng)先,同時因應(yīng)客戶需求,近期臺積電的臺灣南科廠通過環(huán)境影響差異審查后,將加速臺積電未來擴(kuò)廠計劃,包括中科廠第6期預(yù)計明年完工并投入7納米制程,南科廠明年也將開始著手準(zhǔn)備投入更先進(jìn)的5納米制程。 市場預(yù)期臺積電積極投入最先進(jìn)的制程將再進(jìn)一步領(lǐng)先英特爾和三星等競爭對手。 南科通過環(huán)差審查 針對臺積電建廠最新進(jìn)度方面,臺積電企業(yè)訊息處處長孫又文指出,中科廠第5期目前進(jìn)度已逾96%,該廠品10納米制程也已進(jìn)入量產(chǎn),明年第1季將會小量產(chǎn)出,而第6期日前已完成上梁,預(yù)
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