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臺積電將砸 1 萬億擴大 2nm 產能，目標 2025 年量產

  • 　　6月6日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產能布局，有望在中清乙工建設半導體產業(yè)鏈園區(qū)。　　臺積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會上表示，臺積電2nm預期會是最成熟與最適合技術來支持客戶成長，臺積電目標是在2025年量產?！　∨_積電將在2nm的節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  

臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠

  • 由于半導體芯片產能緊缺，臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財訊》報道，這兩年芯片產能緊缺，但是比芯片產能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產建設中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當?shù)啬硞€城市建設晶圓廠，往往還會
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  2nm  晶圓廠   

英特爾與臺積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產

  • 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺積電3nm一半產能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機密的信息，一時間也不會有官方確認的可能。據(jù)悉，臺積電3nm的量產時間預計2022年四季度啟動，且首批產能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構并采用新的材料，預計會在2025年
  • 關鍵字： 英特爾  臺積電  2nm  

三星高調宣布2025年投入2nm量產

  • 韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產，再度確認將導入新一代環(huán)繞閘極技術(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
  • 關鍵字： 三星  2nm  

三星2nm工藝曝光：2025年可量產

  • 在目前的芯片領域，三星和臺積電憑借著先進的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場合中，曝光了三星最新的工藝技術。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個版本，分別在2022和2023年量產，而對比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現(xiàn)在會中，但有消息稱2nm將會在2025年量產。
  • 關鍵字： 三星  2nm  

2nm工藝要上線？臺積電工廠環(huán)評被卡

  • 芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線，但是由于環(huán)評專案小組的初審，建廠計劃未能放行，還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進工藝量產上，臺積電一枝獨秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領先，再下一代工藝就是2nm了，會啟用全新GAA晶體管，技術升級很大，光是工廠建設就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設計劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴建計劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評專案小組第三次初審會議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關注，專案小組歷經(jīng)逾三小時審議后，最終仍
  • 關鍵字： 2nm  臺積電  

歐盟半導體“不再幼稚”：10年內產能翻倍、搞定2nm工藝

  • 半導體技術的重要性已經(jīng)無需多提，現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進半導體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進芯片制造商的支持，目前至少有22個
  • 關鍵字： 2nm  半導體制造  

里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

  • 藍色巨人出手就是王炸?！　?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片?！　『诵闹笜朔矫妫琁BM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。　　2nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。　　同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。　　　　實際上，I
  • 關鍵字： IBM  2nm  EUV  

臺積電最新進展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

  • 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務；另一方面，就容量和技術而言，他們必須領先于其他任何人；就產能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進技術的產能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產能擴大，擴大后的產能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
  • 關鍵字： 2nm  3nm  晶圓  代工  

全球沖刺2nm，臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？

  • 前兩天，臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產4萬片的28nm產能，據(jù)悉，該計劃將于不久后正式啟動，新產能預計在2022年下半年開始逐步產出，并于2023年實現(xiàn)月產4萬片的目標。當臺積電傳來擴增28nm產能的消息時，大部分人對此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺積電作為全球工藝最先進的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時候，它也應該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進的工藝，而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上，投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一，而其從始至終
  • 關鍵字： 2nm  臺積電  中芯國際  

臺積電2nm工藝進入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進EUV效率

  • 做為全球最大最先進的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領先三星等對手，明年面還會量產3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進展，進度比預期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術探索階段，尋找到了可行的技術路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進入了研發(fā)階段，重點轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產等方向。根據(jù)臺積電的說法，2nm工藝節(jié)點上，他們也會放棄FinFE
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  

臺積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢頭強勁

  • 近期臺積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破?！　∧壳笆謾C開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進的N5P節(jié)點工藝制造，預計蘋果將在2021年占據(jù)臺積電80%的5nm產能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進，并且進一步到2nm工藝，這都只是時間問題?！　　　?jù)Wccftech報道，為了更好地達成這些目標，臺積電和蘋果已聯(lián)手推動芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺
  • 關鍵字： 臺積電  蘋果  2nm  3nm  

臺積電2nm工藝重大突破！2023年投入試產

  • 這幾年，天字一號代工廠臺積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在，7nm工藝全面普及，5nm工藝一路領先，3nm工藝近在眼前，2nm工藝也進展神速。根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節(jié)，但是據(jù)此樂觀預計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年就能步入量產階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。臺積電預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。2nm工藝上，臺積
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  

臺積電：2nm芯片研發(fā)重大突破，1nm也沒問題

  • 一、臺積電：第一家官宣2nm工藝，研發(fā)進度超前據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。據(jù)臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構，臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構，研發(fā)進度超前。據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。考量成本、設備相容、技術成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎的MBCFET架構，解決FinFET因制程微
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  

臺積電2024年將量產突破性的2nm工藝晶體管

  • 9 月 25 日消息 據(jù) wccftech 報道，臺灣半導體制造公司（TSMC）在 2nm 半導體制造節(jié)點的研發(fā)方面取得了重要突破：臺積電有望在 2023 年中期進入 2nm 工藝的試生產階段，并于一年后開始批量生產。目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代 5 納米工藝，該工藝將用于為 iPhone 12 等設備構建處理器。臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應（MBCFET）晶體管，它是對先前 FinFET 設計的補充。臺積電第一次作出將 MBCFET 設計用于其晶體管而不
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  
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