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2nm
2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電2nm工藝2023年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率或達(dá)90%
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進(jìn)度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），臺(tái)積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。據(jù)悉，臺(tái)積電去年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，尋找可行路徑進(jìn)行開(kāi)發(fā)?？剂砍杀尽⒃O(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題。極紫外光（EUV）微顯
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臺(tái)積電正與一家主要客戶緊密合作 加快研發(fā)2nm工藝
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，為蘋果、AMD等眾多公司代工芯片的臺(tái)積電，近幾年在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列，他們的5nm工藝已在今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器。在5nm工藝投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm、2nm工藝，其中3nm工藝在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上均有提及，臺(tái)積電CEO魏哲家透露正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022下半年大規(guī)模投產(chǎn)。此前鮮有提及的2nm工藝，也有了消息。外媒的報(bào)道顯示，在昨日的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一
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臺(tái)積電2nm工廠計(jì)劃建在新竹 已獲得建廠所需土地
- 8月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，5nm工藝在一季度大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝和2nm工藝，為盡快量產(chǎn)，相關(guān)的工廠也需要提前謀劃，同步跟進(jìn)。雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，2nm工藝也還在研發(fā)階段，但臺(tái)積電已經(jīng)在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠。臺(tái)積電已開(kāi)始謀劃2nm工藝工廠的消息，源自臺(tái)積電負(fù)責(zé)營(yíng)運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛。外媒在報(bào)道中表示，秦永沛透露臺(tái)積電計(jì)劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地目前已經(jīng)獲得。新竹是臺(tái)積電總部所在地，先進(jìn)工藝的工廠建在新竹也在
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臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開(kāi)……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開(kāi)始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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臺(tái)積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
- 這幾年,天字一號(hào)代工廠臺(tái)積電一路高歌猛進(jìn):7nm工藝上獨(dú)步天下,5nm工藝也正在量產(chǎn),3nm工藝就在不遠(yuǎn)處,2nm工藝也正在藍(lán)圖上鋪開(kāi)……在最新的2019年年報(bào)中,臺(tái)積電確認(rèn)5nm已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,3nm正在持續(xù)研發(fā),同時(shí)今年還會(huì)加快2nm(N2)的研發(fā)速度。臺(tái)積電透露,2019年已經(jīng)在業(yè)內(nèi)率先啟動(dòng)2nm工藝研發(fā),并在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上進(jìn)行2nm以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的前期準(zhǔn)備工作。臺(tái)積電從7nm工藝開(kāi)始導(dǎo)入EUV極紫外光刻技術(shù),5nm上也順利轉(zhuǎn)移,而且在3nm上展現(xiàn)了優(yōu)異的光學(xué)能力和符合預(yù)期的良品率,所以在2nm和
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中國(guó)CPU芯片將實(shí)現(xiàn)彎道超車 中科院表示國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望破冰
- 近日，中科院對(duì)外宣布，中國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過(guò)100億個(gè)晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術(shù)上的確實(shí)現(xiàn)了巨大突破，也是國(guó)產(chǎn)芯片里程碑式的意義。而繼華為之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂
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臺(tái)積電、三星爭(zhēng)霸2nm工藝：能做出來(lái),就怕沒(méi)人用得起
- 根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝今年也會(huì)啟動(dòng)建設(shè)，三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。根據(jù)三星的說(shuō)法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。為了確保在5nm之后保持優(yōu)勢(shì)，三星、臺(tái)積電都會(huì)投入巨額資金，去年，三星宣布了一項(xiàng)高達(dá)133萬(wàn)億韓元（約合1118.5億美元）的投資計(jì)劃，目標(biāo)是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級(jí)
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張忠謀:3nm制程會(huì)出來(lái) 2nm后很難
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續(xù)10年，3nm制程應(yīng)該會(huì)出來(lái)，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺(tái)時(shí)，兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論，他當(dāng)時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹(jǐn)慎回答，大概還有10年。 現(xiàn)在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出，目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。 張忠謀表示，臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì)出來(lái)，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來(lái)也是會(huì)出來(lái)。 張忠謀
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臺(tái)積電已在進(jìn)行2nm/3nm的研發(fā)
- 為在國(guó)際市場(chǎng)持續(xù)在制程上保持領(lǐng)先，同時(shí)因應(yīng)客戶需求，近期臺(tái)積電的臺(tái)灣南科廠通過(guò)環(huán)境影響差異審查后，將加速臺(tái)積電未來(lái)擴(kuò)廠計(jì)劃，包括中科廠第6期預(yù)計(jì)明年完工并投入7納米制程，南科廠明年也將開(kāi)始著手準(zhǔn)備投入更先進(jìn)的5納米制程。 市場(chǎng)預(yù)期臺(tái)積電積極投入最先進(jìn)的制程將再進(jìn)一步領(lǐng)先英特爾和三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 南科通過(guò)環(huán)差審查 針對(duì)臺(tái)積電建廠最新進(jìn)度方面，臺(tái)積電企業(yè)訊息處處長(zhǎng)孫又文指出，中科廠第5期目前進(jìn)度已逾96%，該廠品10納米制程也已進(jìn)入量產(chǎn)，明年第1季將會(huì)小量產(chǎn)出，而第6期日前已完成上梁，預(yù)
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