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2nm
2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
客戶對(duì)2nm期望更高！消息稱臺(tái)積電多家客戶修正制程計(jì)劃
- 據(jù)媒體引述半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，2023全年，臺(tái)積電3nm產(chǎn)能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據(jù)報(bào)道，由于臺(tái)積電3nm在PPA表現(xiàn)下與4nm差異不大，且3nm報(bào)價(jià)漲至2萬(wàn)美元，只有蘋果有8折優(yōu)惠，目前有多家客戶已修正制程規(guī)劃，調(diào)整投片與訂單，包括拉長(zhǎng)4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進(jìn)度，等待2nmGAA制程世代再重押。報(bào)道稱，雖然臺(tái)積電產(chǎn)能布局可能被打亂，但客戶黏著度更高，對(duì)于2nm GAA世代相當(dāng)有信心，已采用4/3nm的客戶，幾乎皆有2nm投片規(guī)劃。從3nm工藝上看，臺(tái)積電曾表示
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淘汰FinFET 升級(jí)革命性GAA晶體管：臺(tái)積電重申2025量產(chǎn)2nm
- 在今天的說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶下單，再下一代的是2nm工藝，臺(tái)積電CEO重申會(huì)在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺(tái)積電2nm工藝會(huì)有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會(huì)擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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2nm？沒那么簡(jiǎn)單！
- 日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布稱，為量產(chǎn)2納米邏輯半導(dǎo)體，雙方建立了合作關(guān)系。IBM長(zhǎng)年以來(lái)一直積極進(jìn)行研發(fā)尖端半導(dǎo)體，且曾經(jīng)在美國(guó)紐約州擁有自己的300毫米晶圓工廠（于2014年轉(zhuǎn)給Global Foundries，后來(lái)，該工廠被安森美收購(gòu)）。此外，IBM也在為自己品牌下的電腦生產(chǎn)所需半導(dǎo)體，同時(shí)也為客戶提供尖端工藝的技術(shù)研發(fā)服務(wù)和晶圓代工服務(wù)。IBM的尖端工藝技術(shù)研發(fā)服務(wù)作為一項(xiàng)Common Platform，通過創(chuàng)建通用型工藝技術(shù)和生產(chǎn)產(chǎn)線，有效降低了研發(fā)成本、并確保了第二供應(yīng)商資
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臺(tái)積電正式量產(chǎn)3nm芯片，并宣布2nm廠落地新竹和臺(tái)中
- 鈦媒體App 12月29日消息，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)Fab 18廠新建工程基地舉行3納米（nm）量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布3nm芯片即日起開始量產(chǎn)。臺(tái)積電表示，這是該公司在先進(jìn)制程締造的重要里程碑。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音（Mark Liu）在演講中表示，今天3nm制程良率已經(jīng)和5nm量產(chǎn)同期良率相當(dāng)，臺(tái)積電已經(jīng)與客戶開發(fā)新的產(chǎn)品，并開始量產(chǎn)，應(yīng)用在超級(jí)電腦、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、高速通訊網(wǎng)絡(luò)以及許多智能設(shè)備，包括未來(lái)的AR/VR等。而相較于5nm，3nm制程邏輯
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聯(lián)盟IBM 日本找來(lái)2大高手攻關(guān)2nm工藝：最快2025年量產(chǎn)
- 20世紀(jì)80年代，日本是全球的半導(dǎo)體霸主，一度嚴(yán)重威脅了美國(guó)公司地位，之后被打壓，現(xiàn)在只在個(gè)別領(lǐng)域還有優(yōu)勢(shì)，先進(jìn)工藝上已經(jīng)落后當(dāng)前水平10到20年，不過日本已經(jīng)制定復(fù)興計(jì)劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。此前報(bào)道就指出，日本要想攻關(guān)2nm先進(jìn)工藝，潛在的合作對(duì)象就是IBM公司，后者也在日前發(fā)布聲明，確認(rèn)跟日本Rapidus公司達(dá)成合作，雙方將成立研發(fā)機(jī)構(gòu)，IBM會(huì)派遣員工參與合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大電子巨頭聯(lián)合成立的半導(dǎo)體公司，吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8
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2nm芯片到底有多燒錢你想象不到 光開發(fā)就要50億
- 都說(shuō)芯片燒錢，但芯片到底有多燒錢大家還沒有一個(gè)清晰的認(rèn)知，尤其是芯片工藝越來(lái)越先進(jìn)，其燒錢的規(guī)模可謂呈幾何級(jí)增長(zhǎng)。從研發(fā)成本端來(lái)看，其中28nm工藝只要4280萬(wàn)美元，22nm工藝需要6300萬(wàn)美元，16nm工藝需要8960萬(wàn)美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開發(fā)資金則要達(dá)7.2億美元，約合人民幣50億。當(dāng)然，這還只是研發(fā)層面的費(fèi)用，而3nm、2nm工藝工廠建設(shè)則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產(chǎn)費(fèi)用，可見這簡(jiǎn)直是十分燒錢的行為。顯然，照這樣發(fā)展下去，未來(lái)2nm的CPU及顯卡就算
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日本富士通擬自行設(shè)計(jì) 2nm 芯片，委托臺(tái)積電代工
- IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計(jì)劃自行設(shè)計(jì) 2 納米制程的先進(jìn)半導(dǎo)體，并打算委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，富士通首席技術(shù)官 Vivek Mahajan 周二在一場(chǎng)記者會(huì)上表示，該公司計(jì)劃自行設(shè)計(jì) 2 納米制程的先進(jìn)半導(dǎo)體，打算委托晶圓代工龍頭臺(tái)積電代為生產(chǎn)。報(bào)道指出，富士通目標(biāo)最快在 2026 年完成搭載該芯片的節(jié)能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺(tái)積電目前計(jì)劃在 2025 年量產(chǎn) 2 納米的芯片，該公司的先進(jìn)制程技術(shù)
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消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺(tái)積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，AMD首席執(zhí)行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級(jí)高管希望在9月底或11月初前往臺(tái)灣地區(qū)，探索與當(dāng)?shù)睾献骰锇榈暮献鳌ＬK姿豐前往臺(tái)灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺(tái)積電會(huì)面，與臺(tái)積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級(jí)（N2）制造技術(shù)的使用以及未來(lái)的短期和長(zhǎng)期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級(jí)等未來(lái)節(jié)點(diǎn)的晶圓分配。AMD近年來(lái)取得的顯著成功很大程度上歸功于臺(tái)積電利用其極具競(jìng)爭(zhēng)力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點(diǎn)切換，并且臺(tái)積電的2
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臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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3nm彎道超車臺(tái)積電之后 三星2nm工藝蓄勢(shì)待發(fā)：3年后量產(chǎn)
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計(jì)劃，3nm GAP工藝之后就會(huì)迎
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臺(tái)積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%
- 日前，臺(tái)積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯(cuò)，但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺(tái)積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗(yàn)很多。
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臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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