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第四季DRAM銷售額預估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場近期嚴重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 　　事實上，當前的第 4 季是傳統(tǒng)
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第四季DRAM銷售額預估年增65%，再寫史上新高

  • 　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價格持續(xù)走揚，研調(diào)機構(gòu)IC Insights預期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 　　據(jù)IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 　　全年來看，DRAM市場預估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點，也是繼1994年成長78%以來最強成長動能。 　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴產(chǎn)動作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設(shè)備對高效能內(nèi)存的需求大
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中國反壟斷機構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

  • 　　今年DRAM市場強勁成長，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運算等應(yīng)用，促進半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。 　　展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
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研調(diào)：預計2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元

  • 　　縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 　　圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 　　IC Insights預計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元，年增長率達74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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成本節(jié)省高達50%：Stratasys在中國市場推出全新經(jīng)濟型材料

  • 　　3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導者 Stratasys中國(以下簡稱Stratasys)宣布，專門為本地市場推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布，即刻上市?！　tratasys此次推出的兩款材料為本地市場帶來了高價值的新選擇，大大降低了專業(yè)3D打印應(yīng)用的門檻。這兩種材料均經(jīng)過優(yōu)化，可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物，可為形狀、匹配度與功能測試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快

  • 　　調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規(guī)模年復合成長率(CAGR)為7.9%。 　　在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中，僅游戲機與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。 　　預估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達2
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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費恩格爾：全面屏時代的3D—TOF

  • 　　談到生物識別，有兩點不得不談，其中一個是算法，另一個便是傳感器。在費恩格爾CEO黃昊看來，生物識別的關(guān)鍵在于算法，算法是提供今天生物識別行業(yè)的基礎(chǔ)。 　　細細看來，從光學指紋到電容指紋，從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋，這是整個指紋識別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識別在手機端的應(yīng)用提高到一個新高度，出現(xiàn)了人臉識別算法。不變的是，人臉識別在智能手機的出現(xiàn)，它最重要的一個前提就是自學算法對傳統(tǒng)人臉識別算法的支撐。 　　指紋傳感器也被堪稱為生物
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三星260億美元的豪賭：想壟斷DRAM和NAND閃存市場

  • 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預算提到1.5倍，提高至260億美元。
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喜大普奔！內(nèi)存價格崩盤：一個月暴降30%

  • 最近一個多月的時間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價格開始普遍下滑，而且幅度相當夸張，最高甚至接近30%。
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7
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3d dram介紹

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