據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規(guī)劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面，對手In
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SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導致NAND Flash供給大幅吃緊，預計在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解。現(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產能相當少，缺貨潮將延燒到11月。
存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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英特爾 NAND 存儲器
2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價，屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。
近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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Samsung DRAM NAND
手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。
過去只流行數(shù)位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當夠用，但數(shù)位影片的風氣盛行后，這樣的低容量產品已無法滿足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內建NAND Flash記憶體的風潮已開始發(fā)酵，從最早內建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
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Samung NAND 智能手機
市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。
從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。
爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關。
“IC產業(yè)復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經開始。”IC Insights分析師
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DRAM NAND MPU 模擬電路
近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調貨;無獨有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產能呈現(xiàn)嚴重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機大廠內建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產能幾乎被消費性大
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三星 NAND iPhone iPod
DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。
2009 年存儲器產業(yè)觸
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三星 DRAM NAND 存儲器
根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。
這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進入NOR閃存業(yè)務，并獲得Numonyx的phase-change memory技術。
Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導體持股49%。金融服務公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時投資了1.5億美元。閃存業(yè)務對英特爾和意法半導
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英特爾 NAND 閃存芯片 智能手機
韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產DRAM，將DRAM的生產全數(shù)轉為使用12寸晶圓，以藉由使用產能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。
報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內生產使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產，故待奧斯丁工廠停止生產后，三星電子的DRAM生產將全數(shù)轉為使用12寸晶圓。
彭博社曾于日前轉述韓國網路媒體“E-Daily”報導指
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三星 DRAM 晶圓 NAND
全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。
恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
美國從事半導體相關市場調查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。
IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經濟低迷的2009年也不會例外。
供貨容量也將大幅增長。即使是全球經濟低迷的200
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三星 NAND 閃存
在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。
投入多產出少，能持久嗎?
SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產業(yè)正處在十字路口，未來的產能需要和產品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
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SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產業(yè)供應鏈也已經看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。
晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步
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臺積電 晶圓代工 NAND
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VxWorks FLASH NAND 驅動
面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉進32納米的NAND Flash制程技術，東芝原本預計32納米制程產量，在年底可達產能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產時間點，其控制芯片供應商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產品線都已經準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進入量產階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚。
東芝43納米制程量產成熟，下半年積極轉進
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東芝 32納米 NAND
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