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三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務

  • 　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
  • 關鍵字： 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

  • 　　近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨?！俄n國時報》還報道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。 　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。 　　另外一款三
  • 關鍵字： 三星  30nm  NAND  

NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強 封測產(chǎn)能缺到明年初

  • 　　據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內(nèi)建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。 　　NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產(chǎn)能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  封測  

內(nèi)存廠商:SSD將在2011年成為主流

  • 　　臺灣DigiTimes報道，數(shù)家內(nèi)存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產(chǎn)業(yè)共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現(xiàn)大幅下跌，最終實現(xiàn)一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。 　　此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。 　　去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
  • 關鍵字： NAND  SSD  

蘋果NAND Flash減單　三星、新帝策略轉(zhuǎn)向

  • 　　由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數(shù)量相當有限，12月供應量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加，使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌，累計回檔幅度相當深。不過，多數(shù)存儲器業(yè)者認為，由于價格跌幅已大，預計后續(xù)再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現(xiàn)持平到小跌局面。 　　存儲器業(yè)者表示，蘋果對于NAND Flash供
  • 關鍵字： 蘋果  NAND  SSD  

NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花

  • 　　市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應用領域單一，應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應用領域更廣泛，應用廠家也多。手機市場變化迅速，現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
  • 關鍵字： 手機  NAND  NOR  

恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商

  • 　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
  • 關鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  PCM  

恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

  • 　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
  • 關鍵字： Numonyx  NAND  NOR閃存  

手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再

  • 　　市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
  • 關鍵字： 三星  NAND  NOR  RAM  

IEEE：NAND閃存技術將在十年之內(nèi)遭遇技術極限

  • 　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
  • 關鍵字： NAND  閃存  相變存儲  

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃

  • 　　2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
  • 關鍵字： TIMC  DRAM  NAND Flash  

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

  • 　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產(chǎn)出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網(wǎng)設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。 　　美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
  • 關鍵字： 美光  NAND  34納米  智能手機  

三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況

  • 　　10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內(nèi)將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 　　三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 　　三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 　　韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
  • 關鍵字： 三星  NAND  存儲  

Intel宣布一項技術突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  
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3d nand介紹

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