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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ),必然帶來(lái)數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲(chǔ),但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線 網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應(yīng)過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后,下游客戶采購(gòu)顆粒開(kāi)始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來(lái)得顯著。有鑒于9月以來(lái)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash microSD 嵌入式
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式,延長(zhǎng)了存儲(chǔ)器的使用壽命,提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,同時(shí)在使用中可
- 關(guān)鍵字: FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器 通信 嵌入式系統(tǒng) 嵌入式 無(wú)線 通信
07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言,三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
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IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計(jì)
IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC DRAM NAND 模擬IC
觸控面板告急 NAND Flash廠失良機(jī)原地嘆息
- iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠最著急,NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。 據(jù)境外媒體報(bào)道,為迎圣誕買(mǎi)氣,各大NANDFlash廠商鉚足了勁,原本寄望因蘋(píng)果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價(jià)格回升,然后,卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠商。 蘋(píng)果原計(jì)劃九月起開(kāi)始出貨,但因沒(méi)有足夠的
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 液晶 集成電路 顯示技術(shù)
集成電路出貨量增長(zhǎng) 廠商面臨無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告:9月全球微芯片銷(xiāo)售收入同比增長(zhǎng)5.9%
- 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周一稱(chēng),在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下,今年9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)了5.9%。 9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入從去年同期的213億美元增長(zhǎng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱(chēng),第三季度的全球銷(xiāo)售比今年第二季度增長(zhǎng)了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷(xiāo)售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開(kāi)始。 消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 NAND 閃存 芯片 嵌入式
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
- 關(guān)鍵字: NAND NOR flash 集成電路 存儲(chǔ)器
各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁 出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高
- 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。 ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng):DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平,將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng),創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為,
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告稱(chēng):07年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%
- 10月21日消息,據(jù)外電報(bào)道,市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,接口集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 ICInsights稱(chēng),如果2007年全球集成電路出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng)
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(zhǎng)
- 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告,2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達(dá)到215.2億美元,比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(zhǎng)超過(guò)分析師預(yù)測(cè),比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示,增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%,與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示,“8月份,正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來(lái)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售連續(xù)健
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
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