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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 5nm 工藝

焊工藝過程的設(shè)計(jì)方案解析

  • 閃光對焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù)，具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，焊接的零件截面越來越大，遇到了一些技術(shù)問題，如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測器

  • CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測器,0 引言熱電堆紅外探測器是最早發(fā)展的一種熱紅外探測器，其工作原理基于Seebeck 效應(yīng)。這類探測器通常不需要致冷，可以常溫工作，并對較大范圍內(nèi)的紅外光響應(yīng)均勻，由于成本較低，可以大批量生產(chǎn)，因此在安全監(jiān)視、醫(yī)
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典型工藝介紹

  • 光刻技術(shù)類似于照片的印相技術(shù)，所不同的是，相紙上有感光材料，而硅片上的感光材料——光刻膠是通過旋涂技術(shù)在工藝中后加工的。光刻掩模相當(dāng)于照相底片，一定的波長的光線通過這個(gè)“底片”，在
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太陽能電池片燒結(jié)工藝

  • 燒結(jié)就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結(jié)成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的開路電壓和填充因子2個(gè)關(guān)鍵因素參數(shù),使電極的接觸具有電阻特性,達(dá)到生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結(jié)過程中有利
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蜂窩趨勢引領(lǐng)工藝技術(shù)發(fā)展方向

  • 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用...
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基于多晶鑄錠工藝的準(zhǔn)單晶技術(shù)系統(tǒng)性總結(jié)

  • 　 準(zhǔn)單晶技術(shù)總結(jié)　　一，準(zhǔn)單晶的概念　　準(zhǔn)單晶（Mono Like ）是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時(shí)通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術(shù)，其功耗只比普通
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基于PLC系統(tǒng)閃光控制的焊工藝過程的設(shè)計(jì)

  • 基于PLC系統(tǒng)閃光控制的焊工藝過程的設(shè)計(jì),閃光對焊作為一種先進(jìn)的焊接技術(shù)，具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點(diǎn)。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，焊接的零件截面越來越大，遇到了一些技術(shù)問題，如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
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中芯國際：2013年中28nm工藝基本完成

  • ?????????? 問:作為中國本土的旗艦型制造企業(yè)，您認(rèn)為中國制造型企業(yè)，應(yīng)該如何用創(chuàng)新去應(yīng)對調(diào)整？如何走特色發(fā)展的道路？ ? 答：首先從工藝方面來看，這15年是非常特殊的時(shí)期，發(fā)展速度很快。我記得我們在做90nm的時(shí)候，我們就有一種想法，覺得做到40、45nm的時(shí)候就差不多了，不過后來又發(fā)現(xiàn)還在演進(jìn)。所以我相信，尤其我們年輕一代，用創(chuàng)新精神會(huì)繼續(xù)往下做。 ??
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LED外延片成長工藝的解決方案

  • 今天來探討LED外延片的成長工藝，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6?的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個(gè)8?的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)？投資數(shù)百億，但卻是所
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BTU將推介PYRAMAX回流焊系統(tǒng)的新功能

  • 為替代能源和電子制造市場提供先進(jìn)熱加工設(shè)備的領(lǐng)導(dǎo)廠商BTU國際公司日前宣布，將在上海展會(huì)的1G65 號展臺(tái)，重點(diǎn)推介其新一代高效助焊劑管理系統(tǒng)，PYRAMAX?回流焊爐的新型雙軌雙速功能以及 WINCON?5.0控制系統(tǒng)軟件。該展會(huì)定于2012年4月25-27日在上海世博展覽館舉行。
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利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

  • 近幾年來III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方
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5nm 工藝介紹

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