1 概述TLC5510是美國TI公司生產的新型模數轉換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結構及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數
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CMOS 5510 TLC 工藝
1 引言 作為連接設計和制造的橋梁和紐帶，CAPP不僅是制造企業(yè)準備工作的首要步驟，而且是企業(yè)各部門信急交匯的重要環(huán)節(jié)。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工藝規(guī)劃的自動生成(也即智能工藝設計)被視為生產自動化中
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1 引言 本文在傳統(tǒng)鎖相環(huán)結構的基礎上進行改進，設計了一款用于多路輸出時鐘緩沖器中的鎖相環(huán)，其主 要結構包括分頻器、鑒頻鑒相器(PFD)、電荷泵、環(huán)路濾波器和壓控振蕩器(VCO)。在鑒相器前采用預 分頻結構減小時
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目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔了國
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應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布提供針對公司High-Q?集成無源器件(IPD)工藝的完整從前到后工序工藝設計套件(PDK)。這PDK開發(fā)是為了配合安捷倫科技的先進設計系統(tǒng)(ADS) 2011電子設計輔助(EDA)軟件一起使用，使安森美半導體及安捷倫科技的客戶能夠充分利用業(yè)界最全面射頻(RF)及微波設計平臺的優(yōu)勢。
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每逢夜幕降臨，街市上華燈初亮，而獨樹一枝的五彩霓虹燈顯得格外亮麗醒目，它將賓館、大廈、商場及娛樂城裝飾得多姿多彩。然而這種傳統(tǒng)的霓虹燈制作工藝復雜，造價成本高、耗電驚人，維修難又容易遭破損等問題。新型
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摘要：為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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模具的型芯和型腔往往具有各種自由曲面，非常適合在數控機床上進行加工。數控加工的工藝與普通加工工藝有較大區(qū)別。本文結合兒童產品裝飾物的模具型芯的數控加工工藝設計，分析和總結了模具數控加工的工藝特點，為模
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集成電路，即integrated circuit，這是一種微型電子器件或部件，按功能可劃分為數字和模擬兩大類。而模擬集成電路一般用于模擬信號的產生和處理，有很多種種類，比如集成運算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
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電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標準的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下
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一、生產工藝1.工藝：a)清洗：采用超聲波清洗pcb或LED支架，并烘干。b)裝架：在LED管芯（大圓片）底部電極備上銀膠后進行擴張，將擴張后的管芯（大圓片）安置在刺晶臺上，在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個一個安裝在PCB
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Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導體巨頭已經開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。
他說：“我們的研究和開發(fā)是相當深遠的，我是說(未來)十年?！?
按照路線圖，22nm工藝之后，Intel將在2013年進入14nm時代，相應產品代號Broadwell。下一站是10nm，目前還在早期研究階段，預計2015年左右實現。
7nm、5nm現在都處于理論研究階段，具體如何去做還遠未定案
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摘要：數字集成電路的不斷發(fā)展和制造工藝的不斷進步，使得物理設計面臨著越來越多的挑戰(zhàn)。特征尺寸的減小，使得后端設計過程中解決信號完整性問題是越來越重要?；ミB線間的串擾就是其中的一個，所以在后端設計的流程
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在現代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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5nm 工藝介紹
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