5nm 工藝文章進(jìn)入5nm 工藝技術(shù)社區(qū)

下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？

　　Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點(diǎn)… 　　根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。　　　　Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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VLSI國際會(huì)議中國僅一篇論文入選,占比1/64

　　IBM昨天聯(lián)合三星、Globalfoundries宣布了全球首個(gè)5nm半導(dǎo)體工藝，性能提升40%，功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規(guī)模集成電路會(huì)議上宣布的，這也是國際級(jí)的半導(dǎo)體會(huì)議。這次會(huì)議也暴露了我們?cè)诎雽?dǎo)體制造技術(shù)依然沒有什么存在感，雖然總計(jì)提交了18篇論文，但入選的只有1篇，僅占全部入選論文的1/64，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于美國、日本、歐洲、韓國、新加坡及臺(tái)灣地區(qū)。　　2017年的VLSI國際會(huì)議是在日本東京舉行的，昨天正式開幕，會(huì)期8天，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)公司、科研機(jī)構(gòu)匯聚一堂討論未來技
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IBM和三星推出5nm工藝，為摩爾定律+1s

　　上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺(tái)北電腦展上表示摩爾定律已死(黃仁勛說摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應(yīng)對(duì))，不過IBM和三星有不同意見。　　雷鋒網(wǎng)消息，日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項(xiàng)名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，采用全新的四層堆疊納米材料。這項(xiàng)技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示，借助該項(xiàng)技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個(gè)晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集
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IBM三星攜手研發(fā)5nm芯片：成本更低、性能更強(qiáng)

　　據(jù)外媒報(bào)道，三星聯(lián)合 IBM 日前宣布了一項(xiàng)名為 nanosheets 的技術(shù)。得益于該技術(shù)，芯片制造商能夠?qū)⒏嗟木w管容納到更小的芯片組里，他們宣稱在 5nm 芯片可以實(shí)現(xiàn)在指甲蓋大小中集成 300 億顆晶體管，而當(dāng)前 10nm 的驍龍 835 僅僅集成的晶體管數(shù)量約為 30 億。　　IBM 稱，同樣封裝面積晶體管數(shù)量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點(diǎn)是，5nm 加持下，現(xiàn)有設(shè)備如手機(jī)的電池壽命將提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就攜手 Glo
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專項(xiàng)助力填補(bǔ)產(chǎn)業(yè)鏈空白集成電路制造產(chǎn)業(yè)生態(tài)日益完善

　　如今，濃縮在小小芯片上的集成電路成為社會(huì)發(fā)展的重要支撐。電腦、手機(jī)、家電、汽車、機(jī)器人等各種產(chǎn)品都離不開集成電路。沒有集成電路產(chǎn)業(yè)的支撐，信息社會(huì)就失去了根基，集成電路因此被喻為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。　　我國作為全球最大的半導(dǎo)體市場，對(duì)集成電路產(chǎn)品的需求持續(xù)快速增長。長期以來，發(fā)達(dá)國家對(duì)出口到中國的制造裝備、材料以及工藝技術(shù)進(jìn)行嚴(yán)格審查和限制。想要擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高技術(shù)芯片，就必須發(fā)展我國自己的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。　　2008年，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成
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半導(dǎo)體專業(yè)留學(xué)海外之專業(yè)方向探討

一個(gè)人在自己感興趣的行業(yè)才會(huì)能完全發(fā)揮自己的才能從而獲得更好的職業(yè)發(fā)展。因此，如果你的天賦就在于半導(dǎo)體專業(yè)，那么它對(duì)你來說也是一個(gè)很好的選擇。
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臺(tái)積電2019年上半年試產(chǎn)5nm制程

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電年度股東常會(huì)將于6月8日登場，并于今(24)日上傳致股東報(bào)告書，當(dāng)中揭露先進(jìn)制程技術(shù)最新進(jìn)展，其中，7納米已在今年4月開始試產(chǎn)，預(yù)期良率改善將相當(dāng)快速，5納米則維持原先計(jì)劃，預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn)。　　臺(tái)積電董事長張忠謀指出，去年間與主要客戶及硅智財(cái)供應(yīng)商攜手合作完成7納米技術(shù)硅智財(cái)設(shè)計(jì)，并開始進(jìn)行硅晶驗(yàn)證，按照計(jì)劃在今年4月試產(chǎn)。　　5納米部分，張忠謀表示，規(guī)劃使用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，以降低制程復(fù)雜度，制程技術(shù)預(yù)計(jì)2019年上半年試產(chǎn)。　　10納米部分則是已在
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10nm芯片未至臺(tái)積電5nm真能如期而來嗎？

回顧臺(tái)媒的這些宣傳，只是讓大家對(duì)臺(tái)媒在宣傳中國臺(tái)灣的高科技企業(yè)的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)進(jìn)展時(shí)，要進(jìn)行思考，而不是完全相信，先進(jìn)技術(shù)研發(fā)需要大量人力物力，并非一朝一夕可以取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
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壓力傳感器及信號(hào)調(diào)理芯片的技術(shù)市場及工程實(shí)踐

在“2016工業(yè)壓力傳感器高峰會(huì)議”上，部分企業(yè)及機(jī)構(gòu)介紹了工業(yè)壓力傳感器的技術(shù)市場、設(shè)計(jì)、制造、工藝及產(chǎn)品動(dòng)向。
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臺(tái)積電5nm 估2019年完成技術(shù)驗(yàn)證

　　臺(tái)積電物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)開發(fā)處資深處長王耀東表示，未來臺(tái)積電成長動(dòng)能來自于高階智慧型手機(jī)、高效運(yùn)算晶片、物聯(lián)網(wǎng)及車用電子。而臺(tái)積電在10奈米技術(shù)開發(fā)如預(yù)期，今年底可以進(jìn)入量產(chǎn)，第一個(gè)采用10奈米產(chǎn)品已達(dá)到滿意良率，目前已經(jīng)有三個(gè)客戶產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定案，預(yù)期今年底前還有更多客戶會(huì)完成設(shè)計(jì)定案，該產(chǎn)品在明年第1季開始貢獻(xiàn)營收，且在2017年快速提升量產(chǎn)。　　7奈米部分，臺(tái)積電該部分進(jìn)度優(yōu)異，7奈米在PPA及進(jìn)展時(shí)程均領(lǐng)先競爭對(duì)手，兩個(gè)應(yīng)用平臺(tái)高階智慧型手機(jī)及高效運(yùn)算晶片客戶都積極采用臺(tái)積電7奈米先進(jìn)制程技術(shù)，且
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【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線技術(shù)發(fā)展方向明確

　　由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導(dǎo)體互連(布線)技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國圣荷西舉辦。這是該會(huì)議時(shí)隔兩年再次回到美國，共有超過230人參加，展開了積極的討論。　　IITC2016的論文數(shù)量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(Materials
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英特爾第三款10nm CPU架構(gòu)曝光 5nm芯片2022年推出

　　The Motley Fool談?wù)摿擞⑻貭栍?jì)劃推出的三個(gè)10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)，而不是此前預(yù)期的兩種：“管理層向投資者表示，他們正試圖回到2年/低于10nm的節(jié)奏(此話或意味著2年內(nèi)從10nm轉(zhuǎn)到7nm)。不過根據(jù)剛從熟知英特爾計(jì)劃的消息人士那獲得的信息，該公司正致力于三款、而不是兩款10nm節(jié)點(diǎn)架構(gòu)”。　　此前有消息稱，Kaby Lake會(huì)停留在當(dāng)前的14nm節(jié)點(diǎn)，并打亂英特爾每2年一升級(jí)的制造技術(shù)步伐。該公司首款10nm處理器架構(gòu)被稱作“Cannonlake&rd
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10nm跨三世代 Intel 2020年進(jìn)5nm制程

　　先前證實(shí)采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計(jì)畫將以10nm制程打造代號(hào)“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時(shí)預(yù)計(jì)在2020年時(shí)進(jìn)入5nm制程發(fā)展，但目前暫時(shí) 尚未透露預(yù)計(jì)推行處理器代號(hào)名稱。　　根據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術(shù)打造代號(hào)&ldqu
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臺(tái)積電計(jì)劃在2020年推出5nm芯片生產(chǎn)線

　　芯片制造工藝的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和臺(tái)積電均已經(jīng)可以以14nm/16nm工藝制造芯片，而據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電正計(jì)劃最早在2020上半年推出5nm工藝制造技術(shù)。此外，7nm工藝的芯片也有望在2018年早些時(shí)候量產(chǎn)。如果他們的進(jìn)度靠譜，就意味著2年間的芯片尺寸縮減會(huì)達(dá)到50%。　　　　開發(fā)7nm以下芯片的制造過程是相當(dāng)棘手的，但臺(tái)積電將答案寄托在了極紫外光刻(UAV)技術(shù)上。該公司稱，他們已經(jīng)在這方面取得了“重大進(jìn)展”，并預(yù)計(jì)延伸至5nm技術(shù)
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臺(tái)積電7納米SRAM打贏三星要準(zhǔn)備5nm制程

　　臺(tái)積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，看似搶先臺(tái)積電與三星，不過，臺(tái)積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來了!　　臺(tái)積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長，臺(tái)積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息?！　≡?
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