5nm 工藝文章進(jìn)入5nm 工藝技術(shù)社區(qū)

全面解析LED的100多種封裝結(jié)構(gòu)形式

封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、選用合適封裝材料和工藝水平，目前LED封裝結(jié)構(gòu)形式有100多種，主要的封裝類型有Lamp系列40多種、SMD（chip LED和TOP LED）系列30多種、
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7nm CPU/顯卡加速推進(jìn)AMD還有望第一時(shí)間升級(jí)5nm

　　當(dāng)AMD用上7nm時(shí)，Intel依然在打磨14nm?！　∽蛱旌徒裉?，AMD/Intel先后公布財(cái)報(bào)，兩家企業(yè)在當(dāng)季都實(shí)現(xiàn)了同比的大幅增長(zhǎng)，AMD更是創(chuàng)下了7年來(lái)單季收入的最高。在財(cái)報(bào)會(huì)議上，雙方的CEO也在技術(shù)路線圖上做了一些前瞻?！　MD蘇姿豐博士在回答羅森布拉特證券分析師Hans Mosesmann關(guān)于2019年7nm處理器產(chǎn)品的問(wèn)題時(shí)確認(rèn)，7nm將率先用于新的EPYC服務(wù)器芯片，之后是Ryzen?！　￡P(guān)于制程節(jié)點(diǎn)，蘇博士稱， AMD的目標(biāo)是選擇代工市場(chǎng)的最佳工藝。據(jù)她了解，7nm會(huì)是一個(gè)比較重
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半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)中英文對(duì)照表，趕緊get起來(lái)

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為一個(gè)起源于國(guó)外的技術(shù)，很多相關(guān)的技術(shù)術(shù)語(yǔ)都是用英文表述。且由于很多從業(yè)者都有海外經(jīng)歷，或者他們習(xí)慣于用英文表述相關(guān)的工藝和技術(shù)節(jié)點(diǎn)，那就導(dǎo)致很多的英文術(shù)語(yǔ)被翻譯為中文之后，很多人不能對(duì)照得上，或者不知道怎么翻譯。在這里我們整理一些常用的半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)的中英文版本，希望對(duì)大家有所幫助。如果當(dāng)中有出錯(cuò)，請(qǐng)幫忙糾正，謝謝!　　常用半導(dǎo)體中英對(duì)照表　　離子注入機(jī) ion implanter　　LSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory，又稱“林漢德-斯卡夫-斯
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臺(tái)積電擬250億美元投資5nm制程，為保持芯片工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　本周四，臺(tái)積電宣布預(yù)計(jì)將為5nm制程投資250億美元，從而繼續(xù)鞏固其蘋(píng)果獨(dú)家供應(yīng)商的地位。　　據(jù)了解，因?yàn)樽陨硇酒圃旃に囶I(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星，所以自iPad Pro A9X芯片以來(lái)，臺(tái)積電就一直獨(dú)家為蘋(píng)果的iPhone和iPad提供A系列芯片。不過(guò)，關(guān)于此次投資的具體細(xì)節(jié)，包括研發(fā)完成時(shí)間、工藝大規(guī)模商用等等，臺(tái)積電并沒(méi)有更多透露?！　〈饲?，有多家媒體報(bào)道，蘋(píng)果今年將在秋天新發(fā)布的產(chǎn)品中搭載新一代處理器A12，而臺(tái)積電將會(huì)采用7nm工藝生產(chǎn)蘋(píng)果A系列處理器?！　∮纱藖?lái)看，臺(tái)積電似乎已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了7nm制造工
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后張忠謀時(shí)代，臺(tái)積電面臨諸多挑戰(zhàn)

張忠謀在當(dāng)下選擇退休可謂急流勇退，在臺(tái)積電正處于巔峰的時(shí)候退休是恰當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)，但臺(tái)積電面臨挑戰(zhàn)其實(shí)在張忠謀領(lǐng)導(dǎo)下就已出現(xiàn)。
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Synopsys數(shù)字和模擬定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)TSMC 5nm工藝技術(shù)認(rèn)證

　　全球第一大芯片自動(dòng)化設(shè)計(jì)解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應(yīng)商、信息安全和軟件質(zhì)量的全球領(lǐng)導(dǎo)者Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作，IC Compiler ? II 的布局及布線解決方案采用下一代布局和合法化技術(shù)，最大限度地提高可布線性和總體設(shè)計(jì)利用率。借助重要的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化工作，通過(guò)使用PrimeTime?Signoff和StarRC?提取技術(shù)實(shí)現(xiàn)ECO閉合，IC Compil
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才攻破7nm 三星宣布5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！

這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
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臺(tái)積電5nm將開(kāi)工中國(guó)芯何時(shí)突破重圍？

隨著5nm工藝制造難度的增加，臺(tái)積電以及三星電子等巨頭研發(fā)所耗費(fèi)的時(shí)間勢(shì)必會(huì)增加不少，這也為中芯國(guó)際彎道超車提供了一定的機(jī)遇。
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臺(tái)積電5nm工廠本周破土：2020年開(kāi)工3nm

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電將于本周在臺(tái)灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)開(kāi)工建設(shè)新的5nm工廠，并將于2020年啟動(dòng)3nm工廠，而新工藝的快速演進(jìn)將大大鞏固臺(tái)積電一號(hào)代工廠的地位。　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀會(huì)出席奠基儀式，這也將是他在今年6月份退休之前，最后一次參加這類活動(dòng)。　　目前，臺(tái)積電正在積極準(zhǔn)備量產(chǎn)7nm，預(yù)計(jì)第二季度即可實(shí)現(xiàn)、第四季度火力全開(kāi)。　　更關(guān)鍵的是，臺(tái)積電已經(jīng)壟斷了7nm代工市場(chǎng)，收獲了100%的訂單，包括高通驍龍855、蘋(píng)果A12等重磅大單，徹底擊敗三星。　　根據(jù)路線圖，臺(tái)積
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5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)

　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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?沒(méi)有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)之夢(mèng)就「難產(chǎn)」？

一時(shí)之間，仿佛EUV成為了衡量中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿，沒(méi)有EUV就無(wú)法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)之夢(mèng)？
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格芯稱在配合反壟斷調(diào)查晶圓代工市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)加劇

　　近日路透社報(bào)道稱，晶圓代工廠格芯(原格羅方德GlobalFoundries)指控晶圓代工龍頭臺(tái)積電涉有不公平的競(jìng)爭(zhēng)行為，并向歐盟執(zhí)委會(huì)的反壟斷機(jī)關(guān)要求調(diào)查一事。　　報(bào)道指出，格芯對(duì)臺(tái)積電的指控包括以忠誠(chéng)折扣、排他性條款或罰款等方式威脅客戶，這嚴(yán)重影響到包括格芯在內(nèi)的其他行業(yè)參與者的競(jìng)爭(zhēng)力，格芯要求歐盟官方應(yīng)注意到少數(shù)幾家業(yè)內(nèi)參與者獨(dú)霸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)象。　　針對(duì)上述消息，格芯發(fā)言人向第一財(cái)經(jīng)記者表示，“格芯并未主動(dòng)向歐盟提起投訴，而是在全面配合歐盟的反壟斷調(diào)查。” 　　
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由淺到深談芯說(shuō)事

科研總是走在實(shí)用之前很多年的，已經(jīng)有許多新的方向在試圖突破。
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被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn) 中芯國(guó)際實(shí)力究竟如何？

中芯國(guó)際雖位居全球第4大專業(yè)晶圓代工廠，然傾官方之力扶植的中芯為何連年虧損，與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)?
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Imec：下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制

　　根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。　　Imec展示的研究計(jì)劃專注于實(shí)現(xiàn)高性能邏輯應(yīng)用的場(chǎng)效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計(jì)劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級(jí)實(shí)現(xiàn)協(xié)同最佳化，證實(shí)了在傳
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