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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 5nm 工藝

蘋(píng)果/華為吃光臺(tái)積電5nm:AMD得等一年多

  • 目前行業(yè)內(nèi)已量產(chǎn)的最先進(jìn)半導(dǎo)體工藝是7nm EUV,來(lái)自臺(tái)積電,而接下來(lái)臺(tái)積電將在2020年率先量產(chǎn)5nm工藝,后續(xù)的3nm也在快速推進(jìn)中,計(jì)劃提前到2022年規(guī)模量產(chǎn)。5nm節(jié)點(diǎn)上,不出意外的話蘋(píng)果、華為、AMD等的處理器都會(huì)第一時(shí)間跟進(jìn),尤其是蘋(píng)果A14、麒麟1000系列,據(jù)說(shuō)已經(jīng)在9月份完成流片驗(yàn)證。另外,AMD Zen4架構(gòu)處理器也有望上5nm,包括第四代霄龍、第五代銳龍,最快2021年見(jiàn)。還有說(shuō)法稱(chēng),臺(tái)積電5nm的良品率現(xiàn)在已經(jīng)爬升到50%,最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn),初期月產(chǎn)能5萬(wàn)片,
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蘋(píng)果A14芯片曝光:首發(fā)臺(tái)積電5nm工藝,頻率達(dá)3GHz

  • 據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電有望在2020年上半年交付5nm工藝芯片,其代工廠商已于今年4月開(kāi)始進(jìn)行5nm工藝的實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 出自:cnBeta A14芯片  5nm  臺(tái)積電  

三星的6nm、5nm、4nm工藝都是7nm改良:3nm棄用FinFET

  • 7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開(kāi)花,Intel的10nm處理器也終于在市場(chǎng)登陸,不過(guò),對(duì)于晶圓巨頭們來(lái)說(shuō),制程之戰(zhàn)卻越發(fā)膠著。在日前一場(chǎng)技術(shù)交流活動(dòng)中,三星重新修訂了未來(lái)節(jié)點(diǎn)工藝的細(xì)節(jié)。三星稱(chēng),EUV后,他們將在3nm節(jié)點(diǎn)首發(fā)GAA MCFET(多橋通道FET)工藝。由于FinFET的限制,預(yù)計(jì)在5nm節(jié)點(diǎn)之后會(huì)被取代。實(shí)際上,5nm在三星手中,也僅僅是7nm LPP的改良,可視為導(dǎo)入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個(gè)迭代版本,分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線圖,
  • 關(guān)鍵字: 三星  5nm  4nm  

格芯收購(gòu)Smartcom的PDK工程團(tuán)隊(duì)以擴(kuò)充全球設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)能力

  • 近日,全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯(GF?)今日宣布從位于保加利亞索菲亞的Smartcom Bulgaria AD手中收購(gòu)PDK(工藝設(shè)計(jì)套件)工程團(tuán)隊(duì)。新收購(gòu)的團(tuán)隊(duì)將擴(kuò)大格芯的規(guī)模和能力,增強(qiáng)格芯在專(zhuān)業(yè)應(yīng)用解決方案方面的競(jìng)爭(zhēng)力,提高成長(zhǎng)潛力和價(jià)值創(chuàng)造能力。PDK(工藝設(shè)計(jì)套件)是一家公司集成電路(IC)設(shè)計(jì)與晶圓廠(制造客戶芯片產(chǎn)品)之間的關(guān)鍵接口。自2015年以來(lái),Smartcom一直在為格芯的PDK開(kāi)發(fā)和質(zhì)量保證提供支持,涵蓋從350nm至12nm的平臺(tái)技術(shù)。根據(jù)收購(gòu)條款,格芯將收購(gòu)Smart
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臺(tái)積電5nm明年三月量產(chǎn):密度提升最多80%

  • 據(jù)產(chǎn)業(yè)消息,臺(tái)積電將從2020年3月開(kāi)始,大規(guī)模量產(chǎn)5nm工藝,屆時(shí)芯片公司就可以開(kāi)始用新工藝流片了。很多人一直說(shuō)摩爾定律已死,但是在7nm工藝量產(chǎn)后僅僅兩年,5nm就要成真,真是有點(diǎn)不可思議。7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后,臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù),綜合表現(xiàn)全面提升,官方宣稱(chēng)相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的晶體管密度提升,15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。這些數(shù)據(jù)是來(lái)自臺(tái)積電在ARM A72核心的結(jié)果,不同芯片表現(xiàn)肯定不一樣,但無(wú)論性能還是功耗,必然都會(huì)比
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臺(tái)積電5nm工藝2020年量產(chǎn) 蘋(píng)果iPhone、華為5G首發(fā)

  • 雖然遭遇了第二大晶圓代工廠Globalfoundries格芯的專(zhuān)利訴訟,但臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上遙遙領(lǐng)先其他代工廠,并不擔(dān)心格芯的專(zhuān)利戰(zhàn)。今年的7nm產(chǎn)能已經(jīng)被預(yù)定了,明年的5nm工藝也勝利在望,蘋(píng)果、華為兩家客戶確定會(huì)首先用上5nm工藝。
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臺(tái)積電:摩爾定律未死 我們的5nm工藝密度、性能最強(qiáng)

  • “摩爾定律未死!”這句話如果是Intel公司說(shuō)的,一點(diǎn)都沒(méi)有懸念,畢竟摩爾定律的提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人,50多年來(lái)Intel也是摩爾定律最堅(jiān)定的捍衛(wèi)者。不過(guò)今天這句話是臺(tái)積電而非Intel說(shuō)的,他們也要繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律。
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臺(tái)積電推出性能增強(qiáng)版的7nm和5nm制造工藝

  • 近日外媒消息,臺(tái)積電已經(jīng)悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 極紫外(N5 / EUV)制造工藝的性能增強(qiáng)版本。臺(tái)積電推出性能增強(qiáng)的7nm和5nm制造工藝其N(xiāo)7P 和 N5P 技術(shù),專(zhuān)為那些需要運(yùn)行更快、消耗更少電量的客戶而設(shè)計(jì)。盡管 N7P 與 N7 的設(shè)計(jì)規(guī)則相同,但新工藝優(yōu)化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在同等功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。在日本舉辦的 2019 VLSI 研討會(huì)上,臺(tái)積電透露了哪些客戶已經(jīng)可以用上新工藝,但該公司似乎并沒(méi)有廣
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美光內(nèi)存路線圖:10nm級(jí)工藝多達(dá)六種 單條64GB馬上來(lái)

  • 不同于CPU處理器等邏輯芯片的制造工藝都精確到具體數(shù)值,閃存、內(nèi)存工藝一直都是很模糊的叫法,比如10nm-class(10nm級(jí)別),只是介于20nm和10nm之間,然后又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本,越來(lái)越先進(jìn),越來(lái)越接近真正的10nm。
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全球第一家!臺(tái)積電官宣2nm工藝:2024年投產(chǎn)

  • 這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩,但是在半導(dǎo)體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm,臺(tái)積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。
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中興:已熟練掌握10nm、7nm工藝 研發(fā)5nm芯片

  • 最近自主研發(fā)芯片成為一個(gè)熱點(diǎn),這是手機(jī)甚至是整個(gè)5G產(chǎn)業(yè)鏈的一項(xiàng)核心技術(shù),掌握在自己手里才有可能不受制于人。在這個(gè)領(lǐng)域,Intel、AMD、高通等公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)要領(lǐng)先國(guó)內(nèi)廠商兩三代水平。
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5納米明年首季量產(chǎn) 臺(tái)積電:全球最先進(jìn)

  • 晶圓代工廠臺(tái)積電對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展深具信心,業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示,5納米制程明年第1季量產(chǎn),仍會(huì)是全世界最先進(jìn)的制程技術(shù)。
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晶圓代工一哥發(fā)狠 后年量產(chǎn)5nm+工藝

  • Intel今天在投資者會(huì)議上公布的工藝路線圖顯示2021年將推出7nm工藝,而且這還是他們第一次使用EUV光刻的工藝節(jié)點(diǎn),目標(biāo)是迎戰(zhàn)臺(tái)積電的5nm工藝。Intel在工藝上“追趕”臺(tái)積電,但是臺(tái)積電不會(huì)原地等著,實(shí)際上2021年Intel 7nm工藝問(wèn)世的時(shí)候,臺(tái)積電已經(jīng)準(zhǔn)備第二代5nm工藝——5nm Plus(N5+)工藝了,同時(shí)具備性能及能效上的優(yōu)勢(shì)。
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國(guó)內(nèi)公司沖擊最尖端半導(dǎo)體工藝 10/7nm進(jìn)度喜人

  • 國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際今天下午發(fā)布Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收6.7億美元,同比下滑19.5%,凈利潤(rùn)1227萬(wàn)美元,同比下滑58%,不過(guò)中芯國(guó)際表示FinFET工藝研發(fā)進(jìn)展順利,12nm工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,下一代FinFET工藝研發(fā)進(jìn)度喜人——雖然沒(méi)有明確下一代工藝具體是什么,但中芯國(guó)際的表態(tài)意味著國(guó)產(chǎn)10nm或者7nm工藝研發(fā)進(jìn)度還是很不錯(cuò)的。
  • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  7nm  工藝  

7nm+/6nm/5nm隨便選 AMD面臨幸福的煩惱

  • 曾經(jīng),先進(jìn)的制造工藝是Intel狠狠壓制AMD乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)大殺器,但現(xiàn)在完全反了過(guò)來(lái)。Intel 14nm工藝遭遇前所未有危機(jī),至今未能量產(chǎn),而臺(tái)積電、三星一路狂奔,10nm、7nm、5nm相繼上馬。雖然不同家的工藝技術(shù)不能完全看一個(gè)單純的數(shù)字,但不得不承認(rèn)Intel確實(shí)被越甩越遠(yuǎn)?! lobalFoundries放棄7nm、5nm先進(jìn)工藝研發(fā)后,AMD轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電,這次算是傍上了大樹(shù),接下來(lái)的從桌面到服務(wù)器再到筆記本,從處理器到顯卡,統(tǒng)統(tǒng)都是臺(tái)積電7nm。  7nm之后,臺(tái)積電更是還有7n
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5nm 工藝介紹

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