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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 5nm 工藝

比官方宣傳還猛!臺(tái)積電5nm晶體管密度比7nm提高88%

  • 一般來說,官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài),有時(shí)候還會(huì)摻雜一些水分,但是你見過實(shí)測(cè)比官方數(shù)字更漂亮的嗎?臺(tái)積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn),蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會(huì)使用它,而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺(tái)積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo),只知道會(huì)大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。WikiChips經(jīng)過分析后估計(jì),臺(tái)積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
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iPhone 12用上5nm A14處理器跑分曝光:3.1GHz太瘋狂

  • 2020年的iPhone 12系列最穩(wěn)定的升級(jí)當(dāng)屬A14處理器了,這次會(huì)用上臺(tái)積電的5nm工藝?,F(xiàn)在疑似A14處理器的跑分曝光了,頻率堆到了3.1GHz,GK5單核1658分,多核4612分。雖然從20nm節(jié)點(diǎn)開始就有宣傳過3GHz的ARM處理器,但都是試驗(yàn)中的,量產(chǎn)版的手機(jī)SoC中頻率一直沒超過3GHz,蘋果A14有可能成為首個(gè)正式超過3GHz的ARM手機(jī)處理器。 據(jù)數(shù)碼大V@i冰宇宙爆料,疑似蘋果A14的GeekBench 4跑分已經(jīng)出現(xiàn),頻率達(dá)到了3.1GHz,要比現(xiàn)在A13的2.7GHz
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臺(tái)積電4月啟動(dòng)5納米量產(chǎn) 蘋果今年的A14處理器將如期下線

  • 今年春季全世界爆發(fā)了新冠病毒疫情,尤其是消費(fèi)電子供應(yīng)鏈集中的東亞地區(qū)三個(gè)國(guó)家,外界認(rèn)為蘋果今年新手機(jī)的生產(chǎn)、發(fā)布和銷售可能會(huì)出現(xiàn)一些變數(shù)。據(jù)外媒最新消息,來自供應(yīng)鏈的最新消息顯示,半導(dǎo)體代工巨頭臺(tái)積電將會(huì)在四月份啟動(dòng)5納米工藝的大規(guī)模量產(chǎn),因此蘋果新手機(jī)使用的A14處理器,將不會(huì)發(fā)生跳票。據(jù)報(bào)道,行業(yè)消息人士透露,臺(tái)積電5納米工藝生產(chǎn)的產(chǎn)能已經(jīng)被客戶預(yù)定一空,四月份將會(huì)大規(guī)模生產(chǎn)。不過蘋果公司的應(yīng)用處理器是否是臺(tái)積電第一批生產(chǎn)的產(chǎn)品目前尚不詳。蘋果公司自行設(shè)計(jì)A系列應(yīng)用處理器在內(nèi)的多種芯片,但是沒有自己的
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Intel:10nm不會(huì)像14nm那樣高產(chǎn)、5nm時(shí)代將重奪制程領(lǐng)導(dǎo)地位

  • 由于在14nm上??刻?Intel在名義制程工藝上,已經(jīng)明顯落后臺(tái)積電與三星。日前參加大摩TMT會(huì)議時(shí),Intel CFO George Davis坦言,10nm不會(huì)像14nm和22nm那樣高產(chǎn)。他這番話有兩層意思,一是與14nm并軌的狀態(tài)下,10nm產(chǎn)品本身就有限;二是10nm僅會(huì)改良1~2代(10nm+、10nm++),以便迅速推出7nm。Davis確認(rèn),第一代改良的10nm+工藝Tiger Lake處理器會(huì)在今年底推出。他同時(shí)透露,預(yù)計(jì)2021年底前拿出7nm產(chǎn)品,之后迅速切換到5nm,并重新奪取
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華為今年將量產(chǎn)2顆5nm芯片 Mate 40旗艦首發(fā)麒麟1020

  • 雖然三星搶先臺(tái)積電首發(fā)了高通的5nm工藝驍龍X60基帶,不過要到2021年才能出貨,2020年臺(tái)積電依然會(huì)是唯一一家大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片的代工廠,主要客戶就是華為及蘋果。根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃,5nm工藝今年上半年正式量產(chǎn)(正常是Q2季度),2020年下半年,尤其是Q3季度會(huì)是出貨高峰期,因?yàn)樘O果及華為普遍是在9月份發(fā)布新一代旗艦手機(jī),今年是iPhone 12及Mate 40系列。在7nm節(jié)點(diǎn)之后,5nm將是臺(tái)積電的又一個(gè)重要工藝節(jié)點(diǎn),分為N5、N5P兩個(gè)版本,前者相比于N7 7nm工藝性能提升15%、功耗降低
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Intel:10nm不會(huì)像14nm那樣高產(chǎn)、5nm時(shí)代將重奪制程領(lǐng)導(dǎo)地位

  • 由于在14nm上??刻?Intel在名義制程工藝上,已經(jīng)明顯落后臺(tái)積電與三星。日前參加大摩TMT會(huì)議時(shí),Intel CFO George Davis坦言,10nm不會(huì)像14nm和22nm那樣高產(chǎn)。他這番話有兩層意思,一是與14nm并軌的狀態(tài)下,10nm產(chǎn)品本身就有限;二是10nm僅會(huì)改良1~2代(10nm+、10nm++),以便迅速推出7nm。Davis確認(rèn),第一代改良的10nm+工藝Tiger Lake處理器會(huì)在今年底推出。他同時(shí)透露,預(yù)計(jì)2021年底前拿出7nm產(chǎn)品,之后迅速切換到5nm,并重新奪取
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臺(tái)積電5nm即將大規(guī)模量產(chǎn) 蘋果承包60%產(chǎn)能

  • 據(jù)之前消息,目前臺(tái)積電的5nm制程工藝進(jìn)展十分順利,基本可以確定將于上半年開始量產(chǎn),并且有望拿到A14處理器的獨(dú)家訂單,而屏蘋果的訂單也將占下5n產(chǎn)能的60%以上。蘋果將承包臺(tái)積電60%以上的5nm產(chǎn)能臺(tái)積電副總裁黃仁昭近日透露,得益于行業(yè)領(lǐng)先的7nm技術(shù)在高端智能手機(jī)、5G及HPC方面的應(yīng)用,2019年第四季度,臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3170億新臺(tái)幣(約合723億人民幣),環(huán)比增長(zhǎng)8.3%。毛利率提高2.6%,達(dá)到50.2%。5G的快速發(fā)展也將成為臺(tái)積電未來主要增長(zhǎng)動(dòng)力產(chǎn)業(yè)鏈方面消息顯示,在接下來的時(shí)間里,5n
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從3微米到5納米 一圖看臺(tái)積電成立33年來的工藝演進(jìn)

  • 1月21日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,為蘋果、華為等公司代工芯片的臺(tái)積電,近幾年在芯片工藝方面走在行業(yè)的前列,已連續(xù)4年獨(dú)享蘋果的A系列芯片大單,今年預(yù)計(jì)還會(huì)繼續(xù)。臺(tái)積電能夠連續(xù)4年獨(dú)享蘋果的大單,靠的是業(yè)界領(lǐng)先的工藝,而臺(tái)積電也在官網(wǎng),披露了他們自成立以來的工藝演進(jìn)。臺(tái)積電芯片工藝演進(jìn)圖從臺(tái)積電官網(wǎng)所公布的信息來看,在1987年成立時(shí),他們的芯片工藝是3微米,隨后逐步提升,在1990年提升到了1微米;2001年的時(shí)候提升到了0.13微米,也就是130納米;2004年開始采用90納米工藝;隨后是65納米、45納
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臺(tái)積電5nm即將大規(guī)模量產(chǎn) 蘋果承包60%產(chǎn)能

  • 據(jù)之前消息,目前臺(tái)積電的5nm制程工藝進(jìn)展十分順利,基本可以確定將于上半年開始量產(chǎn),并且有望拿到A14處理器的獨(dú)家訂單,而屏蘋果的訂單也將占下5n產(chǎn)能的60%以上。蘋果將承包臺(tái)積電60%以上的5nm產(chǎn)能臺(tái)積電副總裁黃仁昭近日透露,得益于行業(yè)領(lǐng)先的7nm技術(shù)在高端智能手機(jī)、5G及HPC方面的應(yīng)用,2019年第四季度,臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3170億新臺(tái)幣(約合723億人民幣),環(huán)比增長(zhǎng)8.3%。毛利率提高2.6%,達(dá)到50.2%。5G的快速發(fā)展也將成為臺(tái)積電未來主要增長(zhǎng)動(dòng)力產(chǎn)業(yè)鏈方面消息顯示,在接下來的時(shí)間里,5n
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價(jià)值200億美元 臺(tái)積電4月份揭秘3nm工藝:與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開始

  • 在上周的說法會(huì)上,臺(tái)積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會(huì)上臺(tái)積電沒有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門的發(fā)布會(huì),會(huì)公開3nm工藝的詳情。臺(tái)積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來說很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺(tái)積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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國(guó)產(chǎn)CPU工藝雙喜臨門 華虹14nm工藝良率已達(dá)25%

  • 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上,國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際SMIC的14nm工藝已經(jīng)量產(chǎn),改進(jìn)版的 12nm工藝也在導(dǎo)入中,取得了優(yōu)秀的成績(jī)??紤]到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工藝上的落后,光指望中芯國(guó)際一家也是不行的,上海華虹集團(tuán)日前透露其14nm FinFET工藝也全線貫通,SRAM良率已達(dá)25%。1月12日下午,,華虹集團(tuán)在無錫新落成的華虹七廠研發(fā)大樓召開“開放、創(chuàng)新、合作—華虹集團(tuán)2020年全球供應(yīng)商迎新座談會(huì)”,邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)30多家、國(guó)外50多家供應(yīng)商合作伙伴出席,華虹集團(tuán)高管分享了該公司的最新進(jìn)展。華虹方面表示,
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Intel最新制程路線圖曝光:10nm+++得到證實(shí)、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上),有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖,14nm之后的節(jié)點(diǎn)一覽無余,甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時(shí)間順序來看——目前,10nm已經(jīng)投產(chǎn),7nm處于開發(fā)階段,5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段,3nm處于探索、先導(dǎo)階
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Intel 2029年上1.4nm工藝?非官方路線圖

  • Intel的制程工藝一直備受關(guān)注。今天早些時(shí)候,荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML(阿斯麥)放出一張路線圖,赫然羅列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工藝節(jié)點(diǎn),尤其是最后這個(gè)將在2029年上馬的1.4nm非常意外,是我們第一次看到非整數(shù)工藝節(jié)點(diǎn)。就此消息,快科技收到了Intel官方的澄清聲明。原來,這張路線圖并非完全來自Intel官方,而是ASML CEO Martin van den Brink拿了此前Intel 9月份公布的一張制程工藝更新PPT修改而來,自行添加了原來沒有的幾個(gè)工藝名稱,
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臺(tái)積電5nm良率已達(dá)50%

  • 蘋果、華為和AMD幾乎可以說是當(dāng)前純?cè)O(shè)計(jì)型Fabless芯片企業(yè)中應(yīng)用先進(jìn)制程最積極的三家企業(yè),7nm均已經(jīng)成為主力。
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臺(tái)積電5nm良率已超50% AMD Zen4/蘋果A14穩(wěn)了

  • 據(jù)此前消息,臺(tái)積電的5nm制程工藝早在今年在三月份之前就已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。近日,有知情人士表示,臺(tái)積電5nm的生產(chǎn)良率已爬升至50%,預(yù)計(jì)最快明年第一季度量產(chǎn)。臺(tái)積電5nm制程工藝良率爬升至50%消息稱,臺(tái)積電5nm制程的初期月產(chǎn)能為5萬片,后期將逐步增加到7~8萬片。從目前的消息來看,首發(fā)5nm制程的產(chǎn)品應(yīng)該會(huì)是蘋果A14芯片。蘋果A14或首發(fā)5nm制程工藝據(jù)了解,目前手機(jī)上應(yīng)用的最先進(jìn)的工藝是7nm,而當(dāng)初7nm工藝開始應(yīng)用時(shí)就是蘋果的A12芯片首發(fā),綜合歷年來產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間線來推測(cè),首款搭載5nm
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5nm 工藝介紹

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