5nm 工藝 文章 進(jìn)入5nm 工藝技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電擴(kuò)大開放創(chuàng)新平臺(tái)云端聯(lián)盟,5nm測(cè)試芯片 4 小時(shí)完成驗(yàn)證
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電近日宣布,擴(kuò)大開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform,OIP)云端聯(lián)盟,其中明導(dǎo)國際(Mentor)加入包括創(chuàng)始成員亞馬遜云端服務(wù)(AWS)、益華國際計(jì)算機(jī)科技(Cadence)、微軟 Azure(Microsoft Azure)以及新思科技(Synopsys)等企業(yè)的行列,成為聯(lián)盟生力軍,拓展了臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)的規(guī)模,并可以運(yùn)用嶄新的云端就緒設(shè)計(jì)解決方案來協(xié)助客戶采用臺(tái)積電的制程技術(shù)釋放創(chuàng)新。
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三星5nm EUV研發(fā)完成:功耗降低20%
- 在芯片代工領(lǐng)域,臺(tái)積電和三星是實(shí)力最強(qiáng)勁的兩大巨頭。不過,最近幾年,臺(tái)積電的實(shí)力要更勝一籌,通過7nm工藝,臺(tái)積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器,采用的則還是8nm工藝。今天,三星在官網(wǎng)上帶來了一個(gè)新消息,5nm EUV成功開發(fā)完成。這對(duì)三星而言,算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示,與7nm相比,5nm FinFET工藝功耗降低了20%,性能提高了10%。需要說明的是,三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產(chǎn),今年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。最近三星曝光
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臺(tái)積電5nm制程蓄勢(shì)待發(fā) 三星恐望塵莫及
- 4月4日消息,臺(tái)積電宣布在開放創(chuàng)新平臺(tái)之下推出5nm設(shè)計(jì)架構(gòu)的完整版本,協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)支持下一代高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5nm系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì),目標(biāo)鎖定擁有廣闊發(fā)展前景的5G與人工智能(AI)市場(chǎng)。目前全球7nm以下先進(jìn)制程賽場(chǎng)只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾三個(gè)選手。其中臺(tái)積電搶先進(jìn)入7nm制程,且支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版(7nm+)制程已經(jīng)按原計(jì)劃于3月底量產(chǎn),全程采用EUV技術(shù)的5nm制程已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn),臺(tái)積電制程技術(shù)已經(jīng)與英特爾平起平坐,并把三星甩在身后,后者預(yù)計(jì)2020年才會(huì)進(jìn)入7nm E
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芯片設(shè)計(jì)企業(yè)該如何選擇適合的工藝?
- 如何向芯片設(shè)計(jì)企業(yè)推薦最合適的工藝,芯片設(shè)計(jì)企業(yè)應(yīng)該怎么權(quán)衡?不久前,在珠海舉行的“2018中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)(ICCAD)”期間, 芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法?! D 從左至右:Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司總裁王琦博士、芯原微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士、UMC(和艦)公司副總經(jīng)理林偉圣 先進(jìn)工藝選擇的考量 芯原微電子創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士稱,28 nm以前一切是很好的、沒有爭(zhēng)
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重磅!國產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)通過驗(yàn)證,將用于臺(tái)積電5nm芯片制造!
- 近日,臺(tái)積電對(duì)外宣布,將在2019年第二季度進(jìn)行5nm制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。與此同時(shí),中微半導(dǎo)體也向“上觀新聞”透露了一個(gè)重磅消息,其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線?! ≈档靡惶岬氖?,中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉,中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開始合作,并一直延續(xù)到10nm和7nm制程?! 《形雽?dǎo)體如此亮眼成績(jī)的背后,離不開尹志堯和他團(tuán)隊(duì)的多年努力?! ∷艞墖獍偃f年薪工作,只為一顆
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5nm技術(shù)指日可待,EUV技術(shù)有重磅突破
- 全球一號(hào)代工廠臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破,一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作,二是5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)。今年4月開始,臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn),蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造,但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。 而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+),臺(tái)積電將首次應(yīng)用EUV,不過僅限四個(gè)非關(guān)鍵層,以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn),也借
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華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
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莫大康:芯片制造業(yè)要具特色及相對(duì)集中
- 誠然現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展,可能并非存在哪種模式下一定優(yōu)越,正是百花齊放的好時(shí)代。但是對(duì)于它的風(fēng)險(xiǎn)性可能尚缺乏足夠的重視與認(rèn)識(shí)。因?yàn)榘雽?dǎo)體業(yè)有許多獨(dú)特的規(guī)律,其中生產(chǎn)線太分散,不但造成互相爭(zhēng)搶人材,力量不能集中,同時(shí)未來要保證生產(chǎn)線的連續(xù)運(yùn)行是十分困難的。因?yàn)槲覀儫o法與如三星、臺(tái)積電、英特爾等大牌廠商相比擬,它們的單條生產(chǎn)線規(guī)模大,訂單穩(wěn)定,設(shè)備廠可以從它的提供服務(wù)中獲得收益?! ?莫大康 2018年8月27日 半導(dǎo)體業(yè)的最大特征有兩條:一個(gè)是摩爾定律,每?jī)赡旯に囍瞥糖斑M(jìn)一個(gè)臺(tái)階,基本上同樣工藝
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5nm 工藝介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條5nm 工藝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)5nm 工藝的理解,并與今后在此搜索5nm 工藝的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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