5nm 工藝文章進(jìn)入5nm 工藝技術(shù)社區(qū)

淺談項(xiàng)目教學(xué)在電子工藝實(shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

　SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實(shí)訓(xùn)》課程的一個(gè)重要項(xiàng)目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門(mén)課程的特點(diǎn),我們?cè)陔娮訉?shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項(xiàng)目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實(shí)訓(xùn)室參與項(xiàng)目教學(xué)
關(guān)鍵字：環(huán)節(jié) 應(yīng)用工藝電子教學(xué) 項(xiàng)目

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

對(duì)于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計(jì) 方法 FPGA 平臺(tái) 0.13 微米 CMOS 工藝

0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

0 引言
運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分，如流水線(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類(lèi)設(shè)計(jì)中，速度和精度是兩個(gè)重要因素，而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來(lái)決定的。
本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級(jí)高增益運(yùn)
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基于0．5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

針對(duì)DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下，實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設(shè)計(jì)，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 工藝 BCD 基于

國(guó)產(chǎn)設(shè)備必須走自主創(chuàng)新之路

　　半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。在工業(yè)制備方面要加強(qiáng)新型工藝的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達(dá)到國(guó)際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。　　蘭州瑞德自主開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域，在國(guó)際金融危機(jī)期間，遇到的問(wèn)題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據(jù)各行業(yè)特點(diǎn)，公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段，使研、切、拋電子專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

近年來(lái)，軟件無(wú)線(xiàn)電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線(xiàn)電臺(tái)要求對(duì)天線(xiàn)接收的模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對(duì)
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采用SiGe工藝的GPS接收機(jī)設(shè)計(jì)(一)

基于美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)的E911定向和定位業(yè)務(wù)(LBS)，期望緊跟這一標(biāo)準(zhǔn)的全球定位系統(tǒng)(GPS)接收機(jī)隨時(shí)準(zhǔn)備在無(wú)線(xiàn)通信中扮演一個(gè)至關(guān)重要的角色。成功的E911/LBS產(chǎn)品與業(yè)務(wù)將會(huì)需要具有以下特征的解決方案：能在移
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三星：硅技術(shù)尺寸微縮還將延續(xù)

　　三星電子公司執(zhí)行副總裁兼研發(fā)中心總經(jīng)理Kinam Kim在近日IMEC技術(shù)論壇上表示，業(yè)界有人認(rèn)為芯片特征尺寸微縮極限在5nm左右，而他并不同意這一說(shuō)法，他相信存在眾多可能的途徑來(lái)克服硅微縮過(guò)程中所遇到的障礙，使硅產(chǎn)業(yè)越過(guò)納米量級(jí)。
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多晶硅企業(yè)命系裝備和技術(shù)

　　從現(xiàn)有市場(chǎng)行情來(lái)看，國(guó)內(nèi)多晶硅價(jià)格下跌的趨勢(shì)將難以改變。國(guó)內(nèi)可將生產(chǎn)成本壓低到50美元/公斤以下的多晶硅企業(yè)，幾乎是鳳毛麟角。　　森松集團(tuán)(中國(guó))(下稱(chēng)“森松”)董事總經(jīng)理薛絳穎接受記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，目前中國(guó)的多晶硅設(shè)備制造已較為成熟。而國(guó)內(nèi)多晶硅生產(chǎn)商的管理、技術(shù)及工藝都有待提高，這樣才能有效控制成本。　　裝備技術(shù)尤為關(guān)鍵。以森松集團(tuán)為例，作為國(guó)內(nèi)最大的多晶硅工藝成套設(shè)備供應(yīng)商，約有80%的國(guó)內(nèi)多晶硅廠(chǎng)，都使用其成套設(shè)備如還原爐以及相關(guān)技術(shù)。　　該公司生產(chǎn)的還原爐要
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我國(guó)大規(guī)模集成電路制造重大專(zhuān)項(xiàng)進(jìn)入實(shí)施階段

　　新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國(guó)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專(zhuān)項(xiàng)進(jìn)入全面實(shí)施階段? 　　據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專(zhuān)項(xiàng)旨在開(kāi)發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國(guó)高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴(lài)進(jìn)口的狀況,帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整? 　　重大專(zhuān)項(xiàng)是實(shí)現(xiàn)我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃的一項(xiàng)重要內(nèi)容,黨中央?國(guó)務(wù)院高度重視重大專(zhuān)項(xiàng)的實(shí)施工作,多次召開(kāi)
關(guān)鍵字：集成電路工藝

怎樣可以降低RFID應(yīng)答器設(shè)計(jì)中的功耗

應(yīng)答器設(shè)計(jì)的成本依賴(lài)于幾個(gè)因素，而不僅僅是硅的成本。事實(shí)上，芯片制造工藝的成本(就其復(fù)雜性和成熟程度...
關(guān)鍵字：功耗低功耗驅(qū)動(dòng) 工藝溫度電壓

基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計(jì)

壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來(lái)隨著無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢(shì)，即單個(gè)收發(fā)機(jī)要實(shí)現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動(dòng)數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實(shí)現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個(gè)頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計(jì)采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對(duì)于其他結(jié)構(gòu)的VCO來(lái)說(shuō)該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。
關(guān)鍵字：寬帶 LC VCO 設(shè)計(jì) 相噪工藝 0.18 RF CMOS 基于

基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計(jì)

本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計(jì)方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
關(guān)鍵字： CMOS 工藝步進(jìn) 數(shù)字

村田：研發(fā)新材料挑戰(zhàn)新領(lǐng)域

制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

IBM聯(lián)盟開(kāi)發(fā)出可在32納米芯片中加速實(shí)現(xiàn)一種被稱(chēng)為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱(chēng)為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶(hù)轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡(jiǎn)單和更省時(shí)間的途徑，由此而能夠帶來(lái)的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過(guò)使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開(kāi)發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時(shí)提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
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