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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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英偉達被專利限制帕斯卡或繼續(xù)用GDDR5

　　NVIDIA之前宣稱要在2016年導(dǎo)入新型閃存HBM2，用在繼麥克斯韋之后的“帕斯卡”架構(gòu)上，其容量最高可達32GB，性能十分強勁。但是AMD先搶得了HBM首發(fā)，AMD的Fury系列是全球第一個配備了HBM高帶寬顯存的顯卡。　　　　HBM雖然不是AMD的發(fā)明，但它已經(jīng)和海力士共同研究了7年之久，特別是主導(dǎo)開發(fā)了關(guān)鍵的2.5D封裝樣式，甚至已經(jīng)就此申請了專利。所以在專利問題上，NVIDIA面臨著不小的麻煩，目前只有兩條路可走：要使用2.5D封裝，那就必
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美光出貨全球首個20nm GDDR5顯存

　　雖然AMD已經(jīng)開始使用HBM高帶寬顯存，NVIDIA明年也會跟上，但在一段時間內(nèi)，GDDR5仍將是絕對主流。美光今天宣布，已經(jīng)開始出貨全球第一個20nm級別工藝的GDDR5顯存顆粒，可用于顯卡和游戲主機。美光沒有披露任何細節(jié)，但看起來應(yīng)該就是幾周前就已開始悄然供貨的最新型8Gb GDDR5顆粒。　　　　目前市場上的GDDR5顯存基本被三星、海力士所壟斷，但工藝都停留在30nm級別，單顆容量也是2Gb、4Gb絕對主流。　　美光自身在GDDR5上并不算強勢，但兩年前收購的日
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存儲器市場再下一城　三星量產(chǎn)20納米GDDR5

　　三星(Samsung)宣布將以該公司20奈米(nm)先進制程，量產(chǎn)業(yè)界首款8Gb第五代繪圖雙倍資料率(GDDR5)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)。GDDR5為目前市場上被廣泛采用的獨立型(Discrete)繪圖記憶體。　　三星電子記憶體銷售與行銷執(zhí)行副總裁Joo Sun Choi表示，三星預(yù)期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始設(shè)備制造商(OEM)最高效的繪圖記憶體解決方案，并為游戲機(Game Console)、筆記型電腦及桌上型電腦等裝置提供出色的效能。　　Joo Sun Choi進一步
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三星量產(chǎn)1GB GDDR5：8GB顯存要成標配

　　三星電子宣布，已經(jīng)開始在業(yè)內(nèi)率先量產(chǎn)單顆容量8Gb(1GB)的GDDR5顯存，并采用了最新的20nm工藝。與此同時，新顆粒不但比4Gb GDDR5在容量上翻了一番，數(shù)據(jù)傳輸率也從7Gbps提升到了8Gbps，創(chuàng)造了GDDR5顯存的新高度。這樣的顆粒只需要八顆，就能組成8GB顯存，滿足高端顯卡的需求。　　前幾天還說GTX 980受制于顯存技術(shù)無法做到8GB，這下子迎刃而解了。　　每顆顆粒的位寬為32-bit，八顆全速運行就能提供256-bit位寬、256GB/s帶寬。　　雖然說AMD下代顯
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應(yīng)用高帶寬示波器表征GDDR5數(shù)據(jù)抖動，確保有效的數(shù)據(jù)傳輸

GDDR5（GraphicsDoubleDataRate,圖形雙倍數(shù)據(jù)速率存儲接口，第5版）動態(tài)隨機存取圖形卡存儲技術(shù)已應(yīng)用于主流移...
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應(yīng)用高帶寬示波器表征 GDDR5 數(shù)據(jù)抖動,確保有效的數(shù)據(jù)傳輸

GDDR5(Graphics Double Data Rate,圖形雙倍數(shù)據(jù)速率存儲接口，第 5 版)動態(tài)隨機存取圖形卡存儲技術(shù)已應(yīng)用于主流移動和游戲用戶的高性能 GPU(圖形處理器)。最新的 GDDR5 技術(shù)可提供 5Gb/s 或更高的數(shù)據(jù)速率。高數(shù)據(jù)速率條件下，數(shù)據(jù)抖動測量是了解抖動對數(shù)據(jù)有效窗口影響的重要手段。
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Hynix宣布開發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片

　　Hynix公司近日宣布成功開發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款面向PC機和游戲機的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱這款新開發(fā)出來的GDDR5顯存運行頻率可達7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? 　　Hynix公司計劃于明年下半年開始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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爾必達宣布完成首款1Gb GDDR5顯存芯片的研發(fā)

　　三個月前，日本爾必達公司曾確認稱他們從瀕臨倒閉的奇夢達公司那里得到了其GDDR5顯存芯片的技術(shù)授權(quán)，而本周這家日本公司則正式宣布其首款GDDR顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)開發(fā)完成，產(chǎn)品代號為EDW1032BABG，這是一款1Gb GDDR5顯存芯片產(chǎn)品，其芯片位寬可按X32或X16進行配置，并可達到6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速度。　　預(yù)計這款1Gb GDDR5顯存芯片將被用于顯卡，游戲機以及高性能計算產(chǎn)品中。這款GDDR5顯存芯片將于下月開始進入試樣階段，并將于明年第二季度開始批量生產(chǎn)。盡管爾必達并未透露這批
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奇夢達攜手Advantest共同開發(fā)GDDR5測試解決方案

奇夢達攜手Advantest開發(fā)GDDR5（顯示雙數(shù)據(jù)速率5）測試硬件。此次合作旨在開發(fā)適用于GDDR5圖形DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的經(jīng)濟有效的大容量測試解決方案。 GDDR5將成為繼GDDR3之后的下一個主要顯示DRAM標準。GDDR5存儲器性能將超過現(xiàn)有的顯示標準。全新特性和性能將使GDDR5成為適用于未來高性能顯示應(yīng)用（如PC顯卡或游戲控制臺）的理想產(chǎn)品。GDDR5標準目前正在由JEDEC制定。新的I/O標準要成功地進入市場需要可制造性的支持，而內(nèi)存測試正是制造的一個主要部分。　　
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gddr5介紹

　　GDDR5是第五代顯存的簡稱，與之前的顯存相比，GDDR5顯存采用了新的頻率架構(gòu)，擁有更佳的容錯性能，還有著自動降低空閑顯存的頻率，并支持錯誤糾正、適應(yīng)性界面計時等多種新技術(shù)。現(xiàn)在已經(jīng)為大多數(shù)的顯卡所采用。　　顯存帶寬決定了GPU與顯存之間的數(shù)據(jù)傳輸速率，通常來說顯存帶寬越大，顯卡性能就越出色，但要提高顯存帶寬，最直接有效的辦法是提升顯存位寬。遺憾的是，顯存位寬并不是由芯片技術(shù)決定，而是取決于 [ 查看詳細 ]

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