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arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

  • NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？

  • 內(nèi)存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
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鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品

  • 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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NAND市場，激戰(zhàn)打響

  • 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？兩座NAND工廠開工率提高至100%

  • 據(jù)日經(jīng)新聞報道，鑒于市場正在復(fù)蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據(jù)
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Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

  • · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%

  • 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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