首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> bics flash

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  • 　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
  • 關(guān)鍵字： Nand Flash  寄存器  

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
  • 關(guān)鍵字： MSP430G  單片機(jī)  Flash    

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
  • 關(guān)鍵字： 單片機(jī)  flash  eeprom  

NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
  • 關(guān)鍵字： Flash  NAND  扇區(qū)管理  

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： JEDEC  Flash  JESD    

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要 為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無(wú)需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過(guò)數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
  • 關(guān)鍵字： DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
  • 關(guān)鍵字： 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
  • 關(guān)鍵字： NOR flash  Nand flash  FlaSh  

DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

  • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
  • 關(guān)鍵字： 硬件設(shè)計(jì)  FlaSh  DSP  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
  • 關(guān)鍵字： Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
  • 關(guān)鍵字： NAND  Flash   

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
  • 關(guān)鍵字： 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過(guò)其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
  • 關(guān)鍵字： 東芝  Flash   

全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
  • 關(guān)鍵字： Flash  存儲(chǔ)器  

全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
  • 關(guān)鍵字： Flash  存儲(chǔ)器  
共517條 10/35 |‹ « 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 » ›|

bics flash介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條bics flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)bics flash的理解，并與今后在此搜索bics flash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473