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UltraSoC推出CAN Sentinel增強(qiáng)汽車(chē)的網(wǎng)絡(luò)安全性

近日，UltraSoC宣布推出CAN Sentinel，從而推動(dòng)其汽車(chē)網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)重要邁進(jìn)。全新的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）在CAN總線中增加了一個(gè)亟需的基于硬件的安全層，CAN總線是汽車(chē)制造商和整車(chē)廠（OEM）所遵循的互連技術(shù)的全球性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。UltraSoC的CAN Sentinel駐留在總線上，可以監(jiān)測(cè)與車(chē)輛電子控制單元（ECU）之間的事務(wù)，識(shí)別可疑行為，防止惡意消息，并抑制攻擊。
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英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
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UltraSoC推出CAN Sentinel增強(qiáng)汽車(chē)的網(wǎng)絡(luò)安全性

UltraSoC近日宣布推出CAN Sentinel，從而推動(dòng)其汽車(chē)網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)重要邁進(jìn)。全新的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）在CAN總線中增加了一個(gè)亟需的基于硬件的安全層，CAN總線是汽車(chē)制造商和整車(chē)廠（OEM）所遵循的互連技術(shù)的全球性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。UltraSoC的CAN Sentinel駐留在總線上，可以監(jiān)測(cè)與車(chē)輛電子控制單元（ECU）之間的事務(wù)，識(shí)別可疑行為，防止惡意消息，并抑制攻擊。CAN Sentinel可以用戶(hù)自定義的安全規(guī)則進(jìn)行配置，從而提供保護(hù)以防范諸如框架欺騙等常見(jiàn)的漏洞利用手段，并且允許系統(tǒng)隨著威
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如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車(chē)牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動(dòng)車(chē)牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿(mǎn)負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開(kāi)關(guān)頻率，以對(duì)電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車(chē)的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問(wèn)題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明，純電動(dòng)車(chē)?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車(chē)制造商（包括現(xiàn)有制
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如何快速實(shí)現(xiàn)CAN總線故障定位？

CAN總線是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的現(xiàn)場(chǎng)總線之一，但其復(fù)雜的故障排查經(jīng)常困擾到應(yīng)用工程師。本文結(jié)合工作經(jīng)驗(yàn)為大家推薦幾種快速定位CAN總線故障節(jié)點(diǎn)的方法。
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整車(chē)CAN網(wǎng)絡(luò)介紹

在了解can網(wǎng)絡(luò)之前, 先了解1個(gè)問(wèn)題：什么是智能硬件與ECU？何為智能硬件，就是包含智能控制單元的硬件。比如發(fā)動(dòng)機(jī)，發(fā)動(dòng)機(jī)上有一塊兒專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)控制發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣量、噴油量、排氣量的控制單元，這塊單元相當(dāng)于發(fā)動(dòng)機(jī)的大腦。它具有信號(hào)發(fā)送、信號(hào)接收、參數(shù)存儲(chǔ)等基本功能，這個(gè)控制單元就是ECU。ECU(Electronic ControlUnit）電子控制單元，是汽車(chē)專(zhuān)用微機(jī)控制器，一個(gè)ECU一般負(fù)責(zé)1個(gè)或多個(gè)智能硬件設(shè)備。隨著汽車(chē)的發(fā)展，車(chē)上的智能設(shè)備越來(lái)越多，也就是說(shuō)車(chē)上的ECU也越來(lái)越多，如何用一個(gè)網(wǎng)絡(luò)把這些智
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說(shuō)：
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未來(lái)的CAN——CAN XL構(gòu)想簡(jiǎn)介

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，用戶(hù)應(yīng)用需求的增加，數(shù)據(jù)吞吐量越來(lái)越大，對(duì)CAN總線的通信數(shù)據(jù)量與通信質(zhì)量要求也越來(lái)越高，那么下一代的CAN——CAN XL會(huì)是什么樣子的呢？
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利用高度集成的8位MCU簡(jiǎn)化CAN汽車(chē)應(yīng)用

控制器局域網(wǎng)（CAN）協(xié)議是在20世紀(jì)80年代中期專(zhuān)為汽車(chē)行業(yè)設(shè)計(jì)的一種規(guī)范，可在日益增長(zhǎng)的互聯(lián)應(yīng)用中減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟季€復(fù)雜性（重量、數(shù)量和成本）。CAN的優(yōu)勢(shì)也被其他市場(chǎng)（包括工廠自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用）接受和吸納，這使其應(yīng)用范圍更加廣泛，全球每年交付的CAN節(jié)點(diǎn)超過(guò)10億個(gè)。同樣，每年交付的8位單片機(jī)（MCU）也超過(guò)10億個(gè)。如今，雖然這些統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)有部分重疊，但今后仍會(huì)有大幅增長(zhǎng)。CAN繼續(xù)滿(mǎn)足汽車(chē)制造商的需求傳統(tǒng)的CAN通信以事件為基礎(chǔ)，允許單片機(jī)和專(zhuān)用集成電路（ASICS）在應(yīng)用中直接相互通信，無(wú)需主機(jī)
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使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專(zhuān)用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開(kāi)和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求，例如，，通過(guò)去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)，這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
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CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類(lèi)應(yīng)用中
關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN

SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對(duì)性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導(dǎo)體

ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè)園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對(duì)工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費(fèi)類(lèi)電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實(shí)現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個(gè)大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會(huì)非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對(duì)某一類(lèi)小應(yīng)用/小客戶(hù)的需
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
關(guān)鍵字： SiC MOSFET