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SiC: 為何被稱(chēng)為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC

SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

德州儀器推出業(yè)界新款集成了CAN FD控制器和收發(fā)器的系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

CAN FD通信協(xié)議是基于原始CAN總線標(biāo)準(zhǔn)（又稱(chēng)為“經(jīng)典CAN”）而設(shè)計(jì)的，有助于確保多種車(chē)載網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸率和吞吐量在繼續(xù)演進(jìn)的同時(shí)，汽車(chē)微控制器和連接的系統(tǒng)能夠以各種速率高效通信。
關(guān)鍵字：德州儀器 CAN FD控制器系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

看好CAN FD車(chē)載網(wǎng)絡(luò)前景，TI發(fā)布系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

? ? ? CAN FD是一種通信協(xié)議，主要用于車(chē)載網(wǎng)絡(luò)，是CAN總線標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版。自2019年以來(lái)，包括中國(guó)在內(nèi)的車(chē)廠、一級(jí)經(jīng)銷(xiāo)商（Tier 1）等，紛紛提出了對(duì)CAN FD芯片的需求。而在2019年以前，CAN FD幾乎無(wú)人問(wèn)津。究其原因，新能源汽車(chē)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)對(duì)總線帶寬的需求不斷上升。照片：TI接口產(chǎn)品部門(mén)產(chǎn)品線經(jīng)理Charles Sanna? ? ? CAN FD的芯片用量非?？捎^，如果一輛汽車(chē)全部采用CAN FD，可能傳統(tǒng)車(chē)需要二十個(gè)
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CAN總線冷知識(shí)-邊沿臺(tái)階是怎么來(lái)的？

你了解CAN總線波形嗎？你知道是什么因素造成CAN信號(hào)不穩(wěn)定的嗎？本文將帶你探究影響CAN波形穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)住呇嘏_(tái)階。阻抗匹配是指信號(hào)源或者傳輸線跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配，阻抗匹配主要為了調(diào)整負(fù)載功率和抑制信號(hào)反射；然而，阻抗不匹配的現(xiàn)象在CAN總線網(wǎng)絡(luò)中隨處可見(jiàn)；如圖1所示，阻抗不匹配的將造成7個(gè)現(xiàn)象，其中最受關(guān)注的為上升沿和下降沿的臺(tái)階；下文將針對(duì)邊沿臺(tái)階的現(xiàn)象做詳細(xì)介紹。圖1 阻抗不匹配波形解釋邊沿臺(tái)階是怎么出現(xiàn)的，如何消除，對(duì)總線有何影響；一、邊沿臺(tái)階的源頭在CAN總線的網(wǎng)絡(luò)布
關(guān)鍵字： CAN 通信致遠(yuǎn)電子

更小體積！SMD封裝CAN/RS485/RS232工業(yè)總線隔離收發(fā)模塊

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介? ? ? 金升陽(yáng)近期推出高性?xún)r(jià)比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發(fā)器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列，協(xié)助電力、工控、交通（軌道、汽車(chē)）、儀器儀表等行業(yè)的客戶(hù)實(shí)現(xiàn)信號(hào)精準(zhǔn)地橋接。該系列進(jìn)行了產(chǎn)品性能的升級(jí)，并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝，客戶(hù)可輕松實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化加工，大大降低加工成本。產(chǎn)品的體積L*W*H
關(guān)鍵字： SMD封裝金升陽(yáng) CAN/RS485/RS232

基于UDS的CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)設(shè)計(jì)

Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ，慕永云 123 ，侯冬冬 123 ，胡代榮 123 ，朱亮 1（1.齊魯工業(yè)大學(xué)（山東省科學(xué)院），山東濟(jì)南，250353；2．山東省科學(xué)院自動(dòng)化研究所，山東濟(jì)南，250014；3．山東省汽車(chē)電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，山東濟(jì)南，250014）?????? 摘要：汽車(chē)CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)過(guò)程中大量頻繁的CAN通信造成網(wǎng)絡(luò)負(fù)載率升高，可能導(dǎo)致大
關(guān)鍵字： 201904 CAN節(jié)點(diǎn) 軟件升級(jí) UDS on CAN Bootloader 多幀通信

CAN一致性測(cè)試最重要的幾個(gè)測(cè)試項(xiàng)是什么？

　　CAN一致性測(cè)試在于縮小CAN網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)差異，保證CAN網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境穩(wěn)定，有效提高CAN網(wǎng)絡(luò)的抗干擾能力。因此CAN節(jié)點(diǎn)的一致性測(cè)試就顯得尤為重要?！　　　‰S著新能源、智能網(wǎng)聯(lián)等概念發(fā)展，車(chē)身CAN總線環(huán)境變得復(fù)雜及紊亂，CAN節(jié)點(diǎn)質(zhì)量不穩(wěn)定給主機(jī)廠安全性帶來(lái)極大威脅。所以，CAN一致性測(cè)試已成為保證CAN網(wǎng)絡(luò)安全運(yùn)行的重要手段，CAN一致性測(cè)試內(nèi)容覆蓋了物理層、鏈路層、應(yīng)用層等測(cè)試需求，如表1 CAN一致性測(cè)試內(nèi)容(節(jié)選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點(diǎn)、位寬容忍度重點(diǎn)測(cè)試項(xiàng)目?！　”?
關(guān)鍵字： CAN，CANDT

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型，產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型?！　OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

　　2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶(hù)能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
關(guān)鍵字：安森美 SiC

采樣點(diǎn)測(cè)試的原理和設(shè)計(jì)

　　采樣點(diǎn)是接收節(jié)點(diǎn)判斷信號(hào)邏輯的位置，采樣點(diǎn)對(duì)CAN總線來(lái)說(shuō)極其重要，尤其是在組網(wǎng)的時(shí)候，多個(gè)節(jié)點(diǎn)盡量保持同一個(gè)采樣點(diǎn)，若網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)采樣點(diǎn)不一致會(huì)導(dǎo)致同樣的采樣頻率出現(xiàn)采樣錯(cuò)誤，進(jìn)而會(huì)使整個(gè)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)故障?！　?1 采樣點(diǎn)的規(guī)則及原理　　CAN 協(xié)議里將一個(gè)位時(shí)間分為同步段、傳播段、相位緩沖段 1 和相位緩沖段 2。這些段又由稱(chēng)之為T(mén)ime Quantum(以下稱(chēng)為T(mén)q)的最小時(shí)間單位構(gòu)成。1位由多少個(gè)Tq構(gòu)成、每個(gè)段由多少個(gè)Tq構(gòu)成等是可以設(shè)定的。通過(guò)設(shè)置bit時(shí)序，使得可以設(shè)定一個(gè)采樣點(diǎn)以使總線上
關(guān)鍵字： CAN 采樣點(diǎn)

集邦咨詢(xún)：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長(zhǎng)8%?！　〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
關(guān)鍵字： IGBT SiC

CAN一致性測(cè)試隔離和非隔離供電的電路區(qū)別

　　汽車(chē)電子中有隔離和非隔離DUT，常用于在與發(fā)動(dòng)機(jī)、BMS等容易產(chǎn)生瞬時(shí)高壓的設(shè)備部分會(huì)采用隔離的通訊連接，隔離DUT的目的是為防止電磁干擾影響DUT通信信號(hào)以及瞬時(shí)高壓脈沖損壞DUT;而非隔離DUT，則常用于與低壓車(chē)載電子設(shè)備的通信。根據(jù)DUT類(lèi)型，CANDT設(shè)計(jì)兩種供電模式，隔離供電與非隔離供電，本文與讀者淺談隔離與非隔離電路原理和接線方式的區(qū)別，以及其對(duì)測(cè)試的影響。常見(jiàn)的CAN設(shè)備分為隔離和非隔離兩類(lèi)?！　∫?、隔離供電DUT設(shè)備　　隔離ECU內(nèi)部的收發(fā)器和控制器之間有隔離模塊(包括數(shù)字隔離芯片和隔
關(guān)鍵字： CAN DUT

碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
關(guān)鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源。　　SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET