cmos 文章進入cmos 技術(shù)社區(qū)

展現(xiàn)深耕決心中芯提升MEMS為獨立部門

　　繼臺積電上周于技術(shù)論壇中廣發(fā)MEMS英雄帖后，中芯MEMS部門升格為獨立部門，以展現(xiàn)深耕MEMS市場決心。中芯表示，踏入此市場僅約1年，但預計2009年底前，已有3項商品已可進入大量投產(chǎn)，而市場上每項MEMS產(chǎn)品，中芯至少都有1個客戶，因此對中芯來說，MEMS成長潛力值得期待。　　臺積電于上周舉辦技術(shù)論壇中對于MEMS市場相當看好，指出進入MEMS市場到現(xiàn)在為止已有7年，當中已累計出多項制程及IP技術(shù)，除此之外，臺積電更已可提供標準制程(StandardProcess)，讓MEMS客戶可安心至臺積
關(guān)鍵字：中芯國際 MEMS IP CMOS SoC

MEMS市場繼續(xù)增長機會多

　　按Yole Developpement報道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L率小于1%。然而當汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經(jīng)濟下滑時,許多新的MEMS應用卻得到切實的增長。　　MEMS在消費類電子產(chǎn)品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續(xù)看好,推動供應商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設備的應用擴大,其市場繼續(xù)增大。今年新
關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 CMOS 芯片堆疊封裝 TSV 納米印刷

臺積電MEMS苦練7年　2010年進入收成期

　　臺積電在MEMS領域歷經(jīng)7年苦練后，與客戶關(guān)系由接受指導，轉(zhuǎn)變成共同合作開發(fā)，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處處長劉信生自信表示，臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步，相信2010年臺積電MEMS將進入收成期。　　劉信生在出席臺積電技術(shù)研討會時指出，臺積電在MEMS上布局已有7年左右，經(jīng)過幾年努力，相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺積電現(xiàn)已能提供多種標準制程模塊(Process Module)供客戶使用，包含蝕刻模塊、掏空模塊等，MEMS客戶至臺積電投產(chǎn)，僅需針對MEMS產(chǎn)品內(nèi)部架構(gòu)設計，其余交給臺積電
關(guān)鍵字：臺積電 MEMS CMOS 晶圓代工

臺積電搶進電源IC 市場潛力160億美元

　　不僅擴充先進制程研發(fā)、產(chǎn)能，臺積電主流制程技術(shù)也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場，臺積電主流技術(shù)事業(yè)發(fā)展處長劉信生表示，目前臺積電在電源管理IC約150億~160億美元市場市占率約個位數(shù)，絕大部分市場由IDM業(yè)者把持，不過未來他看好IDM業(yè)者產(chǎn)能不足情況下轉(zhuǎn)單到晶圓代工的可能性，同時也將全力扶持臺灣IC設計客戶搶進此一市場。　　劉信生表示，在電源管理市場規(guī)模約150億~160億美元中，幾近8~9成是由IDM業(yè)者所把持，目前臺積電不論在設計環(huán)境與制程平臺上都已做足準備，積極搶攻此市場
關(guān)鍵字：臺積電電源管理IC IDM CMOS

一種基于真隨機數(shù)發(fā)生器的擴展頻譜CMOS振蕩器的設

采用恒流源充放電技術(shù)，以比較器為核心，利用一種新型真隨機數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生隨機控制信號，設計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴展頻譜振蕩器，振蕩頻率在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)。通過Cadence spectre仿真工具對電路進行仿真驗證，結(jié)果表明，該方案能夠在1～1.6 MHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生隨機振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC／DC轉(zhuǎn)換器的噪聲性能。
關(guān)鍵字： CMOS 隨機數(shù)發(fā)生器擴展頻譜振蕩器

基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實現(xiàn)

　　在去年的Freescale全國大學生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設計和軟件處理較復雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下，討論如何對數(shù)據(jù)進行處理和控制策略的實現(xiàn)。　　數(shù)據(jù)采集　　我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進行信號分離，結(jié)合AD采樣
關(guān)鍵字：飛思卡爾智能車傳感技術(shù) CMOS 攝像頭

韓國半導體代工廠MagnaChip已申請破產(chǎn)保護

　　Thomson Reuters12日報導，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請破產(chǎn)保護。根據(jù)報導，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達5,000萬美元，負債則超過10億美元。　　2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業(yè)半導體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導體代工策略
關(guān)鍵字： Magnachip CMOS 傳感器液晶顯示器驅(qū)動芯片微控制器

NEC和東芝將擴展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議

　　NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費者產(chǎn)品的28 納米半導體技術(shù)。　　這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。　　東芝公司2007年12月加
關(guān)鍵字： NEC CMOS 28納米半導體

高性能小型化成霍爾傳感器未來發(fā)展方向

　　霍爾傳感器是一種基于霍爾效應的器件，它能實現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測磁場及其變化。　　霍爾效應雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀50年代才出現(xiàn)了對其的應用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中，從而促進了霍爾器件的應用。　　經(jīng)歷三大發(fā)展階段　　霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個階段：　　第一階段是從霍爾效應被發(fā)現(xiàn)到20世紀40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
關(guān)鍵字：霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器總線接口

市場前景看好NXP潛心相變存儲器技術(shù)

　　NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。　　他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢在于可以在斷電時也能保存數(shù)據(jù)，作為當前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應，因此前景十分看好。預計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。　　Penning de Vries在
關(guān)鍵字： NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術(shù)

中國MEMS市場前景樂觀汽車電子領域發(fā)展最快

　　2008年，在國際金融危機的影響下，中國網(wǎng)絡與通信類電子整機、計算機類電子整機、消費類電子整機產(chǎn)量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國MEMS市場規(guī)模達110.6億元，同比增長21.9%，較2007年，市場增速下降接近20個百分點。　　MEMS市場前景樂觀　　2008年，中國MEMS市場增速大幅回落。然而，作為半導體領域最為前沿的產(chǎn)品領域之一，未來，MEMS新型顯示器、MEMS
關(guān)鍵字：汽車電子 MEMS CMOS

正電壓型電壓穩(wěn)壓器S-1137系列（SII）

　　S-1137系列是使用CMOS技術(shù)開發(fā)的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩(wěn)壓器。可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器，也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。為了使負載電流不超過輸出晶體管的電流容量，內(nèi)置了過載電流保護電路。此外，還能通過電源開/關(guān)控制電路來延長電池的使用壽命。和以往采用CMOS工藝的電壓穩(wěn)壓器相比，可使用的電容器種類較多，還可以使用小型的陶瓷電容器。因能采用小型的SOT-89-5, SO
關(guān)鍵字：精工 CMOS 穩(wěn)壓器

ST攜手Soitec開發(fā)新一代CMOS圖像感測器技術(shù)

　　全球領先的半導體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領導商意法半導體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領先的工程基板供應商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作，以便於為消費電子產(chǎn)品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術(shù)。　　當今最先進的圖像感測器的解析度正不斷提高，而特別是在消費市場，總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發(fā)更小的單個圖元尺寸，同時保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開發(fā)新一代圖像感測器時，背面照度是一項能
關(guān)鍵字： ST CMOS 圖像感測器

先進FPGA有助于信息包處理

初創(chuàng)公司Cswitch推出一種瞄準網(wǎng)絡、無線基站和電信基礎設施應用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質(zhì)陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統(tǒng)FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內(nèi)容地址存儲器）模塊、ALU（算術(shù)邏輯單元）和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執(zhí)行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長的如下應用：這類應用必須以線速處理打包數(shù)據(jù)，而且要使用比傳統(tǒng)FP
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思源科技與聯(lián)華電子支持客制芯片設計

　　電子設計自動化領導廠商思源科技與聯(lián)華電子17日共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。雙方后續(xù)的合作將專注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得設計團隊能將不同產(chǎn)品以最快的時程上市。　　Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC設計軟件，能支持聯(lián)華電子的65奈米CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術(shù)與低
關(guān)鍵字： springsoft CMOS 芯片設計

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路制造工藝，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導通，要么NMOS導通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計算機領域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日 [ 查看詳細 ]