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硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
關(guān)鍵字：硅光子半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計(jì)

如何解決電源管理芯片效率不高的問題？

如何解決電源管理芯片效率不高的問題？-DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛，為了統(tǒng)一物料，工程師往往會(huì)用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片，不管負(fù)載大小均用一個(gè)型號(hào)一統(tǒng)江湖。由此可能在小負(fù)載電流時(shí)，效率不盡如人意，該怎么解決？
關(guān)鍵字：電源管理芯片 DC-DC LDO

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ)，各取所長(zhǎng)才能共建一個(gè)良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時(shí)開啟它們的共贏之路。
關(guān)鍵字： MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
關(guān)鍵字： cmos 憶阻器傳感器

資深工程師教你如何設(shè)計(jì)一個(gè)合適的系統(tǒng)電源

資深工程師教你如何設(shè)計(jì)一個(gè)合適的系統(tǒng)電源-分析電源需求不僅僅是關(guān)心輸入電壓，輸出電壓和電流，還要仔細(xì)考慮總的功耗，電源實(shí)現(xiàn)的效率，電源部分對(duì)負(fù)載變化的瞬態(tài)響應(yīng)能力，關(guān)鍵器件對(duì)電源波動(dòng)的容忍范圍以及相應(yīng)的允許的電源紋波，還有散熱問題等。
關(guān)鍵字：電源 LDO

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
關(guān)鍵字： ccd cmos 圖像傳感器

圖像傳感器原理及分類

圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CCD CMOS

ldo與dcdc區(qū)別、原理及應(yīng)用詳解

ldo與dcdc區(qū)別、原理及應(yīng)用詳解-LDO低壓差線性穩(wěn)壓器，故名思意，為線性的穩(wěn)壓器，僅能使用在降壓應(yīng)用中。也就是輸出電壓必需小于輸入電壓。C/DC：直流電壓轉(zhuǎn)直流電壓。嚴(yán)格來講，LDO也是DC/DC的一種，但目前DC/DC多指開關(guān)電源。
關(guān)鍵字： ldo dcdc 開關(guān)電源

LDO能否提高小型照相機(jī)的照片質(zhì)量

LDO能否提高小型照相機(jī)的照片質(zhì)量-數(shù)字照相電子設(shè)備變得越來越便攜，集成了高質(zhì)量的解決方案。照相機(jī)應(yīng)用的高性能與小型尺寸常常受到照相機(jī)中為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）圖像傳感器供電的低壓差（LDO）穩(wěn)壓器的影響。
關(guān)鍵字： LDO ti 圖像傳感器

DCDC與LDO的區(qū)別詳解

DCDC與LDO的區(qū)別詳解-LDO：LOWDROPOUTVOLTAGELDO（是lowdropoutvoltageregulator的縮寫，整流器）低壓差線性穩(wěn)壓器，故名思意，為線性的穩(wěn)壓器，僅能使用在降壓應(yīng)用中。也就是輸出電壓必需小于輸入電壓。
關(guān)鍵字： DCDC LDO

電路設(shè)計(jì)常用接口類型說明

本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下：　　(1)TTL電平接口：　　這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過一定頻率的話，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
關(guān)鍵字： TTL CMOS

關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

　　手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換。現(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí)：　　一、集
關(guān)鍵字： TTL CMOS

Sony傳擴(kuò)增CMOS產(chǎn)能14%，滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，Sony 計(jì)劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴(kuò)增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計(jì)算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬片。　　報(bào)導(dǎo)指出，因智能手機(jī)自拍用前置相機(jī)朝高性能化演進(jìn)，加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。　　根據(jù) Sony 公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
關(guān)鍵字： Sony CMOS

CMOS影像傳感器市場(chǎng)下一輪成長(zhǎng)要靠誰？

　　除了傳統(tǒng)的醫(yī)療和工業(yè)市場(chǎng)，3D成像和感知已經(jīng)準(zhǔn)備好征服消費(fèi)者和汽車產(chǎn)業(yè);生態(tài)系統(tǒng)熱情洋溢，新的技術(shù)和應(yīng)用將以破壞力改寫市場(chǎng)現(xiàn)況… 　　根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究公司Yole Developpement針對(duì)CIS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況進(jìn)行的調(diào)查，2016年全球CIS市場(chǎng)達(dá)到了116億美元的規(guī)模，在2016年至2022年間的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為10.5%。　　移動(dòng)市場(chǎng)領(lǐng)域由于規(guī)模龐大及其專用性能，目前仍然是CMOS影像傳感器(CIS)技術(shù)的主要應(yīng)用。不過，安全與汽車應(yīng)用也緊隨其后，紛紛借由顛覆性的CIS
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CMOS圖像傳感器的過去，現(xiàn)在和未來

　　在過去的十年里，CMOS圖像傳感器(CIS)技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)展，圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機(jī)中引入相機(jī)以來，CIS技術(shù)取得了巨大的商業(yè)成功。　　包括科學(xué)家和市場(chǎng)營(yíng)銷專家在內(nèi)的許多人，早在15年前就預(yù)言，CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設(shè)備，就像20世紀(jì)80年代中期CCD設(shè)備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領(lǐng)域占有牢固的地位，但它并沒有完全取代CCD設(shè)備。　　另一方面，對(duì)CMOS技術(shù)的驅(qū)動(dòng)極大地提升了整個(gè)成像市場(chǎng)。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng)建了新的產(chǎn)品應(yīng)用程序
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器