cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
- 一、前言:早期的模擬開關(guān)大多工作于plusmn;20V 的電源電壓,導(dǎo)通電阻為幾百歐姆,主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口,近幾年,集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高,它們可工作在非常低的電源電壓,具有較低的導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開關(guān) 典型
基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器
- 基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn),也正是由于這個原因推動和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展,各國都競相發(fā)展,不斷應(yīng)用高新技術(shù),提高汽車電氣化性能
- 關(guān)鍵字: CMOS 單片機(jī) 汽車電子 調(diào)節(jié)器
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(二)
- 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間,而
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計是CMOS集成電路可靠性設(shè)計的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來越小,管子的柵氧層厚度越來越
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識介紹
- 標(biāo)簽:數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號為EOS D30的專業(yè)級數(shù)碼相機(jī)后,人們對CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)椋珻MOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
- 關(guān)鍵字: 介紹 知識 傳感器 CMOS 數(shù)碼相機(jī)
cmos-ldo介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473