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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

  • 未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
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LDO及DC-DC的對(duì)比

  • 應(yīng)當(dāng)可以這樣理解：DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉(zhuǎn)換），只要符合這個(gè)定義都可以叫DC-DC轉(zhuǎn)換器...
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LDO原理結(jié)構(gòu)及應(yīng)用簡(jiǎn)介

  • 　LDO的種類　　LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。　　LDO按其靜態(tài)耗流來(lái)分，分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。　　Omn
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CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識(shí)解析方案

  • 1、引言小型會(huì)議系統(tǒng)或語(yǔ)音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過(guò)音頻交換電路來(lái)控制各路音頻信號(hào)的輸出。音頻交換電路主要用于完成語(yǔ)音信號(hào)的切換。以實(shí)現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對(duì)可靠性、經(jīng)
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如何選擇恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器

  • 電子應(yīng)用設(shè)計(jì)人員現(xiàn)今面臨的一項(xiàng)極重要挑戰(zhàn)是將電子系統(tǒng)能耗降至最低。為了達(dá)到此目的，大多數(shù)系統(tǒng)利用不同的低功率模式，幫助降低整體功耗。在利用不同工作模式時(shí)，系統(tǒng)供電電流差異極大，低者如休眠模式下僅為數(shù)微安(μA)或不足1微安，高者如完整功率模式下達(dá)數(shù)十毫安(mA)甚至數(shù)百毫安。
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基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種ESD保護(hù)電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能故
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CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢(shì)就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒(méi)有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是ld
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CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒(méi)用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
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CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10
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一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場(chǎng)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說(shuō)法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  • 　　AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 　　在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來(lái)應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
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CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
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一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0．25mu;m CM
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