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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
IDT推出全球首款超低功耗CrystalFree CMOS振蕩器
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ,推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器,在任何要求 ±50 ppm 時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中,節(jié)省功耗高達(dá) 75%,包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)。 IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
- 關(guān)鍵字: IDT CMOS
基于LDO的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
- 電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線(xiàn)性電源和開(kāi)關(guān)電源兩大類(lèi),由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài),本
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān)電源 LDO 基于
恩智浦推出采用小型晶圓級(jí)CSP封裝的最佳性能LDO
- 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開(kāi)始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設(shè)計(jì)尺寸有限且對(duì)電池壽命要求極高的移動(dòng)設(shè)備的理想之選。手機(jī)電池的放電幾乎與時(shí)
- 關(guān)鍵字: NXP LDO LD6806CX4
Vishay Siliconix推出CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn),可用于高速、高精度開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
cmos-ldo介紹
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